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HCS166MS
1995年9月
抗辐射8位
并行输入/串行输出移位寄存器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
DS
D0
D1
D2
D3
CE
CP
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 PE
14 D7
13 Q7
12 D6
11 D5
10 D4
9 MR
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD S(硅) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C
to
+125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
DS
D0
D1
D2
D3
CE
CP
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
PE
D7
Q7
D6
D5
D4
MR
描述
Intersil的HCS166MS是具有完全的8位的移位寄存器
通过一个选择的同步串行或并行的数据输入
低电平有效使能并行(PE )的输入。当PE为低
前一个设置时间低到高的时钟跳变,
并行数据被输入到寄存器中。当PE为高,
数据输入到串行数据的内部位的位置Q0
输入(DS) ,并且剩余的比特被移动一个位置,以
右( Q0
Q1
Q2M等)与每个正向
时钟跳变。扩展寄存器的并行
串行转换器,将Q7的输出端被连接到DS输入
的后级。
时钟输入门控或结构允许一个
输入要用作有源低时钟使能(CE)输入。
引脚分配为CP和CE输入是任意的,
骗子被逆转的布局方便。低到高
CE输入的过渡只发生而CP是
高可预测的操作。
一个低的主复位( MR)输入覆盖所有其他
输入和清除寄存器异步,强迫所有位
职位到低状态。
该HCS166MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS166MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
部分
HCS166DMSR
温度
范围
筛选
水平
-55
o
C至+ 125
o
Intersil的S级16引脚
当量
SBDIP
-55
o
C至+ 125
o
Intersil的S级16引脚
当量
陶瓷的
扁平
+25
o
C
样品
16引脚
SBDIP
16引脚
陶瓷的
扁平
DIE
HCS166KMSR
HCS166D/
样品
HCS166K/
样品
+25
o
C
样品
HCS166HMSR
+25
o
C
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
250
518758
2482.2
HCS166MS
工作原理图
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
CP
CE
DS
PE
MR
Q7
真值表
输入
并行
RESET
L
H
H
H
H
H
并行
启用
X
X
L
H
H
X
时钟
启用
X
L
L
L
L
H
时钟
X
L
串行
X
X
X
H
L
X
D0 - D7
X
X
一... H
X
X
X
L
Q00
a
H
L
Q00
内部Q态
Q0 Q1
L
Q10
b
Q0n
Q0n
Q10
产量
Q7
L
Q0
h
Q6n
Q6n
Q70
H =高电平
L =低电平
X =非物质
=转型从低到高级别
一。 。 。 H =稳态输入的输入端D0水平通D7分别。
Q00 , Q10, Q70 = Q0,Q1或Q7,所述的电平分别之前所指示的稳
态输入条件建立。
Q0n , Q6n = Q 0或Q 6 ,分别水平,最近的过渡之前
时钟。
规格编号
251
518758
特定网络阳离子HCS166MS
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) , (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
252
518758
特定网络阳离子HCS166MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
最大
32
37
31
36
单位
ns
ns
ns
ns
参数
CP或行政长官Q7
符号
的TPH1
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
MR到Q7
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C
输出转换时间
(图1)
时钟频率(图1)
TTHL
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
磁共振脉冲宽度(图2)
tw
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
时钟脉冲宽度(图1)
tw
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
建立实时数据和行政长官
时钟(图3,4)
数据保持时间,以时钟
(图4)
拆除时间MR到时钟
(图3)
设置时间PE为CP (图4 )
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
tH
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
TREM
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
保持时间为PE的CP或CE
(图4)
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
tH
VCC = 4.5V
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-
-
-
-
-
-
30
20
20
30
16
24
16
24
1
1
0
0
29
44
0
0
最大
65
81
10
10
15
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
253
518758
特定网络阳离子HCS166MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP或行政长官Q7
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
37
37
36
ns
ns
ns
MR到Q7
注意事项:
的TPH1
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.对于功能测试,VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
254
518758
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCS166DMSR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
8050
贴◆插
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