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HCS165MS
1995年9月
抗辐射反相
8位并行输入/串行输出移位寄存器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
PL
CP
D4
D5
D6
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q7
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C
D7
Q7
GND
to
+125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
PL
CP
D4
D5
D6
D7
Q7
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
CE
D3
D2
D1
D0
DS
Q7
描述
Intersil的HCS165MS是一种抗辐射的8位Paral-
具有互补序列LEL -IN /串行输出移位寄存器
输出和异步并行加载输入。
该HCS165MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS165MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCS165DMSR
HCS165KMSR
HCS165D/Sample
HCS165K/Sample
HCS165HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
240
518757
2481.2
HCS165MS
工作原理图
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
CP
CE
CL
DP PL
DS
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
CL
DP PL
FF
DS Q
PL
D7
D7
真值表
输入
操作
模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
持有“什么都不做”
H
CE
X
X
L
L
H
X
CP
X
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
QN注册
Q0
L
H
L
H
Q0
Q1 - Q6
L-L
H-H
Q0 - Q5
Q0 - Q5
Q1 - Q6
输出
Q7
L
H
Q6
Q6
Q7
Q7
H
L
Q6
Q6
Q7
H =高电压等级
H =高压一级建立时间之前低到高时钟转换
L =低电压等级
L =低电压一级建立时间之前低到高时钟转换
QN =小写的字母表示的参考输出一组行动之前低到高时钟转换时间的状态。
X =无关
=低到高时钟跳变。
规格编号
241
518757
特定网络阳离子HCS165MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
242
518757
特定网络阳离子HCS165MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
笔Q7或者Q7
TPLH
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
D7到Q7
TPLH
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
D7到Q7
TPLH
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
35
41
40
46
27
31
29
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CP或行政长官Q7或
Q7
符号
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TREC
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
FMAX
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
16
24
16
24
7
11
0
0
20
30
30
20
1
1
最大
41
56
10
10
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
CIN
输出电容
COUT
脉冲宽度时间CP ,
PL
建立时间
DS到CP ,CE到CP ,
DN为PL
保持时间
DS到CP ,CE
保持时间
CE到CP
恢复时间
PL到CP
最大
频率
输出转换时间
TW
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
规格编号
243
518757
特定网络阳离子HCS165MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP或CEN到Q7或
Q7N
笔Q7或Q7N
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
41
ns
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
46
ns
D7到Q7
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
31
ns
D7到Q7N
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
35
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
244
518757
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    HCS165MS
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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