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HCS151MS
1995年9月
抗辐射
8输入多路复用器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16
顶视图
I3
I2
I1
I0
Y
Y
E
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 I4
14 I5
13 I6
12 I7
11 S0
10 S1
9 S2
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 X
10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
宇宙射线底价免疫2 ×10
-9
错误/天门
(典型值)
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = VCC最大值的30%
- VCC敏VIH = 70 %
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
I3
I2
I1
I0
Y
Y
E
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
I4
I5
I6
I7
S0
S1
S2
描述
Intersil的HCS151MS是一种抗辐射的8输入
多路转换器具有三个二进制控制输入( S0,S1, S2)的
和低电平有效使能( E)的输入。这三个二进制信号
选择的八个通道之一。输出都是反相和
非反相。
该HCS151MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS151MS采用16引线陶瓷FL atpack供应(K
SUF科幻X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCS151DMSR
HCS151KMSR
HCS151D/Sample
HCS151K/Sample
HCS151HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
163
518753
3077.1
HCS151MS
工作原理图
I0
I1
I2
I3
I4
I5
I6
I7
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
S0
S1
S2
7
E
16
VCC
8
GND
11
S0
S0
10
S1
S1
9
6
Y
Y
8
S2
S2
S2
S1
S0
真值表
输入
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S0
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
S1
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
S2
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
I0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
I4
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
I5
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
I6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
I7
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
输出
Y
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Y
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
H =水平高, L =水平低,X =无关
规格编号
164
518753
特定网络阳离子HCS151MS
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
165
518753
特定网络阳离子HCS151MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
输入为Y
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
选择为Y
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
选择为Y
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
为Y
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
为Y
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
21
23
24
27
25
29
29
33
17
19
20
21
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
输入为Y
符号
的TPH1
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-
-
-
-
-
-
最大
68
83
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
规格编号
166
518753
特定网络阳离子HCS151MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) ,在200K RAD , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) ,在200K RAD , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 (VCC)在200K RAD, (注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
750
-
单位
A
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
输入为Y
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
+25
o
C
2
29
ns
输入为Y
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
34
ns
选择为Y
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
选择为Y
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
42
ns
为Y
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
24
ns
为Y
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
27
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.对于功能测试,VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
167
518753
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    联系人:杨小姐
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    HCS151KMSR
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    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
HCS151KMSR
INTERSIL
14+
850
NA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCS151KMSR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7930
贴◆插
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