【HCS138MS数据表2005年9月12日FN2473.3抗辐射反相3到8线译码器/多路分解器Int】,IC型号HCS138MS,HCS138MS PDF资料,HCS138MS经销商,ic,电子元器件-51电子网

HCS138MS

数据表

2005年9月12日

FN2473.3

抗辐射反相

3到8线译码器/多路分解器

Intersil的HCS138MS是一种抗辐射3至8号线

解码器/多路解复用器。的输出是活动的，在低

状态。两个活动低一高有效使能（ E1 ， E2 ，

E3 ）被提供。如果设备被激活，开关量输入

（ A0，A1， A2），确定该8常高的一个

输出将进入一个低逻辑电平。

该HCS138MS采用先进的CMOS / SOS技术

以实现高速操作。该设备是其成员

抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。

该HCS138MS采用16引线陶瓷FL atpack提供

（K SUF网络X）或SBDIP封装（D SUF网络X）。

特点

3微米抗辐射CMOS SOS

总剂量200K RAD （SI ）

SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米

2

/毫克

单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10

-9

错误/比特

日（典型值）

闭锁免费在任何条件

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出 - 10输入通道负载

军用温度范围：-55

o

C至+ 125

o

C

显着降低功耗相比LSTTL集成电路

直流工作电压范围： 4.5V至5.5V

引脚配置

16引脚陶瓷双列直插式

金属密封封装（ SBDIP ）

MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16

顶视图

A0

A1

A2

E1

E2

E3

Y7

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16 VCC

15 Y0

14 Y1

13 Y2

12 Y3

11 Y4

10 Y5

9 Y6

输入逻辑电平

- VIL = 0.3 VCC最大

- VIH = 0.7 VCC敏

输入电流水平㈡

≤

5μA在VOL ， VOH

订购信息

产品型号

HCS138DMSR

HCS138KMSR

温度

范围

-55

o

C到

+125

o

C

-55

o

C到

+125

o

C

+25

o

C

筛选

水平

Intersil的S级

当量

Intersil的S级

当量

DIE

包

16引脚

SBDIP

16引脚

陶瓷的

扁平

DIE

16引脚陶瓷 - 金属密封

FLATPACK包装（ FLATPACK ）

MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16

顶视图

A0

A1

A2

E1

E2

E3

Y7

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VCC

Y0

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

HCS138HMSR

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

HCS138MS

工作原理图

1

A0

15

Y0

14

2

A1

13

Y2

3

A2

11

Y4

4

E1

5

E2

6

E3

10

Y5

9

Y6

7

Y7

12

Y3

Y1

真值表

输入

启用

E3

X

L

X

H

E2

X

H

L

E1

H

X

L

A2

X

L

H

A1

X

L

H

L

H

A0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

Y0

H

L

H

Y1

H

L

H

Y2

H

L

H

输出

Y3

H

L

H

Y4

H

L

H

Y5

H

L

H

Y6

H

L

H

Y7

H

L

H =水平高， L =水平低，X =无关

2

FN2473.3

2005年9月12日

特定网络阳离子HCS138MS

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 7.0V

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 -0.5V到VCC + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

直流漏电流，任何一个输出。

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

（所有电压参考的VSS终端）

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

引线温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 265

o

C

结温（Tj ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 175

o

C

ESD分类科幻阳离子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1级

可靠性信息

热阻

θ

JA

θ

JC

o

C / W

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

24

o

C / W

o

C / W

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。 114

29

o

C / W

在125的最大封装功耗

o

C环境

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .0.68W

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .0.44W

如果设备功率超过封装散热能力，提供

散热或者降额直线从以下速率：

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .13.7mW /

o

C

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .8.8mW /

o

C

注意：与所有半导体，强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备（一次一个），而造成永久性损坏

年龄。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。 Electri-下“中列出的条件

CAL性能特点“被推荐用于满足设备运行的唯一条件..

工作条件

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 4.5V至+ 5.5V

输入上升和下降时间VCC = 4.5V （ TR ， TF ）。。。。。最大为500ns

工作温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . -55

o

C至+ 125

o

C

输入低电压（ VIL ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.0V到VCC的30％

输入高电压（ VIH ）。。。。。。。。。。。。。。。。。 VCC的0.70 ％至VCC

表1. DC电性能等特点

A组

SUBGRO

UPS

1

2, 3

输出电流（漏）

IOL

VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，

VOUT = 0.4V ， VIL = 0V

1

2, 3

输出电流

（来源）

IOH

VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，

VOUT = VCC -0.4V ，

VIL = 0V

VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，

IOL = 50μA ， VIL = 1.35V

VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，

IOL = 50μA ， VIL = 1.65V

输出电压高

VOH

VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，

IOH = -50μA ， VIL = 1.35V

VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，

IOH = -50μA ， VIL = 1.65V

输入漏

当前

IIN

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或

GND

1

2, 3

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

民

-

7.2

6.0

-7.2

-6.0

-

最大

40

750

-

0.1

单位

A

mA

V

参数

静态电流

符号

ICC

（注1 ）

条件

VCC = 5.5V ，

VIN = VCC或GND

输出电压低

VOL

1, 2, 3

-

0.1

V

1, 2, 3

VCC

-0.1

VCC

-0.1

-

V

1, 2, 3

-

V

1

2, 3

±0.5

±5.0

-

A

-

噪声抗扰度

功能测试

FN

VCC = 4.5V ，

VIH = 0.70（ VCC）的

VIL = 0.30 （ VCC ）（注2 ）

7，图8A ，8B

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.功能测试VO

≥

4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO

≤

0.5V被识别为逻辑“0”。

3

FN2473.3

2005年9月12日

特定网络阳离子HCS138MS

表2. AC电性能等特点

A组

SUBGRO

UPS

9

10, 11

的TPH1

VCC = 4.5V

9

10, 11

使能到输出

TPLH

VCC = 4.5V

9

10, 11

的TPH1

VCC = 4.5V

9

10, 11

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

2

最大

28

34

28

34

27

33

27

33

单位

ns

参数

地址输出

符号

TPLH

（注1,2 ）

条件

VCC = 4.5V

表3.电气性能特性

范围

参数

电容电源

耗散

符号

CPD

条件

VCC = 5.0V ， F = 1MHz的

笔记

1

输入电容

CIN

VCC = 5.0V ， F = 1MHz的

1

输出转换

时间

TTHL

tTLH

VCC = 4.5V

1

注意：

1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证，但没有直接测试。

这些参数的特点，在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。

温度

+25

o

C

+125

o

C

+25

o

C

+125

o

C

+25

o

C

+125

o

C

民

-

最大

78

113

10

15

22

单位

pF

ns

表4.直流POST辐射电性能等特点

200K RAD

范围

参数

静态电流

输出电流（漏）

符号

ICC

IOL

（注1,2 ）

条件

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND

VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，

VOUT = 0.4V

VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，

VOUT = VCC -0.4V

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

6.0

最大

0.75

-

单位

mA

输出电流（源）

IOH

-6.0

-

mA

4

FN2473.3

2005年9月12日

特定网络阳离子HCS138MS

表4.直流POST辐射的电气性能特性（续）

200K RAD

范围

参数

输出电压低

符号

VOL

（注1,2 ）

条件

VCC = 4.5V和5.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC ）， IOL = 50μA

VCC = 4.5V和5.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC ）， IOH = -50μA

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND

VCC = 4.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC）（注3）

VCC = 4.5V

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

0.1

单位

V

输出电压高

VOH

VCC

-0.1

-

V

输入漏电流

噪声抗扰度

功能测试

地址输出

IIN

FN

±5

-

A

-

TPLH

的TPH1

2

34

33

ns

使能到输出

TPLH

的TPH1

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。

3.功能测试VO

≥

4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO

≤

0.5V被识别为逻辑“0”。

表5.老化和寿命测试， DELTA参数（ +25

o

C)

参数

ICC

IOL / IOH

B组

小组

5

DELTA LIMIT

12A

0小时-15 ％

表6.适用子群

合规组

初步测试（预燃式）

临时测试

I

（烧伤后）个

临时测试

II

（烧伤后）个

PDA

临时测试

III

（烧伤后）个

PDA

最终测试

A组（注1 ）

B组

B亚组-5-

B亚组-6-

D组

注意：

1.备用组符合MIL -STD- 883方法5005一检查，可以行使。

法

100%/5004

Sample/5005

A组子群

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

子群1，2， 3，9 ，10，11

ICC ， IOL / H

读取并记录

ICC ， IOL / H

5

FN2473.3

2005年9月12日

HCS138MS

1995年8月

抗辐射反相

3到8线译码器/多路分解器

引脚配置

16引脚陶瓷双列直插式

金属密封封装（ SBDIP ）

MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16

顶视图

A0

A1

A2

E1

E2

E3

Y7

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16 VCC

15 Y0

14 Y1

13 Y2

12 Y3

11 Y4

10 Y5

9 Y6

特点

3微米抗辐射CMOS SOS

总剂量200K RAD （SI ）

SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米

2

/毫克

单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10

-9

错误/

位日（典型值）

剂量率生存能力： >1 ×10

12

RAD （SI ） / S

闭锁免费在任何条件

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出 - 10输入通道负载

军用温度范围：-55

o

C至+ 125

o

C

显着的功耗相比减少LSTTL集成电路

直流工作电压范围： 4.5V至5.5V

输入逻辑电平

- VIL = 0.3 VCC最大

- VIH = 0.7 VCC敏

输入电流水平㈡

≤

5μA在VOL ， VOH

16引脚陶瓷 - 金属密封

FLATPACK包装（ FLATPACK ）

MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16

顶视图

A0

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

VCC

Y0

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

描述

Intersil的HCS138MS是一种抗辐射3至8号线

解码器/多路解复用器。的输出是活动的，在低

状态。两个活动低一高有效使能（ E1 ， E2 ，

E3 ）被提供。如果设备被激活，开关量输入

（ A0，A1， A2），确定该8常高的一个

输出将进入一个低逻辑电平。

该HCS138MS采用先进的CMOS / SOS技术

以实现高速操作。该设备是其成员

抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。

该HCS138MS采用16引线陶瓷FL atpack提供

（K SUF网络X）或SBDIP封装（D SUF网络X）。

A1

A2

E1

E2

E3

Y7

GND

订购信息

产品型号

HCS138DMSR

HCS138KMSR

HCS138D/Sample

HCS138K/Sample

HCS138HMSR

温度范围

-55

o

C至+ 125

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

筛选LEVEL

Intersil的S级当量

样品

DIE

包

16铅SBDIP

16引脚陶瓷扁平封装

16铅SBDIP

16引脚陶瓷扁平封装

DIE

DB NA

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

规格编号

网络文件编号

143

518751

2473.2

HCS138MS

工作原理图

1

A0

15

Y0

14

2

A1

13

Y2

3

A2

11

Y4

4

E1

5

E2

6

E3

10

Y5

9

Y6

7

Y7

12

Y3

Y1

真值表

输入

启用

E3

X

L

X

H

E2

X

H

L

E1

H

X

L

A2

X

L

H

A1

X

L

H

L

H

A0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

Y0

H

L

H

Y1

H

L

H

Y2

H

L

H

输出

Y3

H

L

H

Y4

H

L

H

Y5

H

L

H

Y6

H

L

H

Y7

H

L

H =水平高， L =水平低，X =无关

规格编号

144

518751

特定网络阳离子HCS138MS

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 7.0V

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 - 0.5V至VCC + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

直流漏电流，任何一个输出。

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

（所有电压参考的VSS终端）

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

引线温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

结温（Tj ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

ESD分类科幻阳离子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1级

可靠性信息

热阻

θ

JA

θ

JC

o

C / W

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

73

24

o

C / W

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。 114

o

C / W

29

o

C / W

o

C环境

在125的最大封装功耗

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.68W

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.44W

如果设备功率超过封装散热能力，提供热

下沉或线性降额从以下速率：

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 13.7mW /

o

C

陶瓷扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8.8mW /

o

C

注意：与所有半导体，强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备（一次一个），而不会导致永久性的

损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件

“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..

工作条件

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 4.5V至+ 5.5V

输入上升和下降时间VCC = 4.5V （ TR ， TF ）。。。。 .500ns最大

工作温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . -55

o

C至+ 125

o

C

输入低电压（ VIL ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.0V到VCC的30％

输入高电压（ VIH ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。 70 ％ VCC到VCC

表1. DC电性能等特点

组

一分

群体

1

2, 3

输出电流

（汇）

IOL

VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，

VOUT = 0.4V ， VIL = 0V

1

2, 3

输出电流

（来源）

IOH

VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，

VOUT = VCC -0.4V ，

VIL = 0V

VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，

IOL = 50μA ， VIL = 1.35V

VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，

IOL = 50μA ， VIL = 1.65V

输出电压高

VOH

VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，

IOH = -50μA ， VIL = 1.35V

VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，

IOH = -50μA ， VIL = 1.65V

输入漏

当前

IIN

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或

GND

1

2, 3

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

民

-

7.2

6.0

-7.2

-6.0

-

最大

40

750

-

0.1

单位

A

mA

V

参数

静态电流

符号

ICC

（注1 ）

条件

VCC = 5.5V ，

VIN = VCC或GND

输出电压低

VOL

1, 2, 3

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

0.1

V

1, 2, 3

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

VCC

-0.1

VCC

-0.1

-

V

1, 2, 3

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

V

1

2, 3

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

±0.5

±5.0

-

A

-

噪声抗扰度

功能测试

FN

VCC = 4.5V ，

VIH = 0.70（ VCC）的

VIL = 0.30 （ VCC ）（注2 ）

7，图8A ，8B

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.功能测试VO

≥

4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO

≤

0.5V被识别为逻辑“0”。

规格编号

145

518751

特定网络阳离子HCS138MS

表2. AC电性能等特点

组

一分

群体

9

10, 11

的TPH1

VCC = 4.5V

9

10, 11

使能到输出

TPLH

VCC = 4.5V

9

10, 11

的TPH1

VCC = 4.5V

9

10, 11

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

2

最大

28

34

28

34

27

33

27

33

单位

ns

参数

地址输出

符号

TPLH

（注1,2 ）

条件

VCC = 4.5V

表3.电气性能特性

范围

参数

电容电源

耗散

符号

CPD

条件

VCC = 5.0V ， F = 1MHz的

笔记

1

输入电容

CIN

VCC = 5.0V ， F = 1MHz的

1

输出转换

时间

TTHL

tTLH

VCC = 4.5V

1

注意：

1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证，但不能直接

测试。这些参数的特点，在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。

温度

+25

o

C

+125

o

C

+25

o

C

+125

o

C

+25

o

C

+125

o

C

民

-

最大

78

113

10

15

22

单位

pF

ns

表4.直流POST辐射电性能等特点

200K RAD

范围

参数

静态电流

输出电流（漏）

符号

ICC

IOL

（注1,2 ）

条件

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND

VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，

VOUT = 0.4V

VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，

VOUT = VCC -0.4V

温度

+25

o

C

+25

o

C

民

-

6.0

最大

0.75

-

单位

mA

输出电流

（来源）

IOH

+25

o

C

-6.0

-

mA

规格编号

146

518751

特定网络阳离子HCS138MS

表4.直流POST辐射的电气性能特性（续）

200K RAD

范围

参数

输出电压低

符号

VOL

（注1,2 ）

条件

VCC = 4.5V和5.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC ）， IOL = 50μA

VCC = 4.5V和5.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC ）， IOH = -50μA

VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND

VCC = 4.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ），

VIL = 0.30 （ VCC）（注3）

VCC = 4.5V

温度

+25

o

C

民

-

最大

0.1

单位

V

输出电压高

VOH

+25

o

C

VCC

-0.1

-

V

输入漏电流

噪声抗扰度

功能测试

地址输出

IIN

FN

+25

o

C

+25

o

C

±5

-

A

-

TPLH

的TPH1

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

2

34

33

ns

使能到输出

TPLH

的TPH1

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。

3.功能测试VO

≥

4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO

≤

0.5V被识别为逻辑“0”。

表5.老化和寿命测试， DELTA参数（ +25

o

C)

B组

小组

5

参数

ICC

IOL / IOH

DELTA LIMIT

12A

0小时-15 ％

表6.适用子群

合规组

初步测试（预燃式）

临时测试

I

（烧伤后）个

临时测试

II

（烧伤后）个

PDA

临时测试

III

（烧伤后）个

PDA

最终测试

A组（注1 ）

B组

B亚组-5-

B亚组-6-

D组

注意：

1.备用组符合MIL -STD- 883方法5005一检查，可以行使。

法

100%/5004

Sample/5005

A组子群

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

子群1，2， 3，9 ，10，11

ICC ， IOL / H

读取并记录

ICC ， IOL / H

规格编号

147

518751