单通道： 6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502双通道： HCPL2530 ， HCPL2531 - 高速晶体管光电耦合器
2008年8月
单通道： 6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502
双通道： HCPL2530 ， HCPL2531
高速晶体管光电耦合器
特点
■
高速-1 Mbit / s的
■
高级CMR - 的10kV / μs的
■
双通道HCPL2530 / HCPL2531
■
双工作电压 - 480V RMS
■
CTR保证0-70 ℃，
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
描述
该HCPL4502 ， HCPL2503 ， 6N135 ， 6N136 ， HCPL2530
和HCPL2531光电耦合器组成的AlGaAs的
LED光学耦合到一个高速光检测器
晶体管。
为光电二极管的偏压一个单独的连接
由大小超过几个数量提高了速度
传统的光电晶体管光耦合器减少
输入晶体管的基极 - 集电极电容。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制的10kV /微秒。一种改进的封装允许
优越的保温，允许一个480V工作电压
相对于220V的工业标准。
应用
■
线接收器
■
脉冲变压器更换
■
输出接口为CMOS ， LSTTL -TTL
■
宽带耦合模拟
示意图
包装纲要
N / C 1
8 V
CC
+ 1
V
F1
8 V
CC
8
1
+ 2
V
F
7 V
B
_
2
7 V
01
_
3
6 V
O
_
V
3
6 V
02
8
1
8
1
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502
引脚7未连接
型号HCPL4502
HCPL2530/HCPL2531
2005仙童半导体公司
6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502 ， HCPL2530 ， HCPL2531版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
单通道： 6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502双通道： HCPL2530 ， HCPL2531 - 高速晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
（ AVG）
I
F
（ PK）
I
F
（反式）
V
R
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
DC /平均正向输入
目前每个通道
(1)
正向峰值输入电流
每个通道
(2)
峰值瞬态输入电流
每个通道
反向输入电压每
通道
输入功率耗散每
通道
条件
价值
-55到+125
-55到+100
260 ，持续10秒
25
单位
°C
°C
°C
mA
mA
A
V
mW
占空比为50％ ， 1毫秒P.W。
≤
为1μs P.W. ， 300pps
50
1.0
5
6N135 / 6N136和HCPL2503 / 4502
HCPL-2530/253
(3)
100
45
探测器
I
O
（ AVG）
I
O
（ PK）
V
EBR
V
CC
V
O
I
B
PD
平均输出电流每
通道
峰值输出电流每
通道
发射极 - 基反向电压
电源电压
输出电压
基极电流
输出功率耗散
每个通道
6N135 ， 6N136和HCPL2503只
6N135 ， 6N136 ， HCPL2503 ， HCPL4502
(4)
HCPL2530 ， HCPL2531
6N135 ， 6N136和HCPL2503只
8
16
5
-0.5到30
-0.5到20
5
100
35
mA
mA
V
V
V
mA
mW
mW
注意事项：
1.线性降额70°C以上的自由空气的温度/速度0.8毫安中℃。
2.线性降额70°C以上的自由空气的温度/速度1.6毫安中℃。
3.减免线性高于70 ℃的自由空气的温度为0.9毫瓦/分钟的速率°以下。
4.减免线性高于70 ℃的自由空气的温度在2.0毫瓦/分钟的速率°以下。
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电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
输入正向电压
输入反向击穿
电压
I
F
= 16毫安，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 16毫安
5.0
-1.6
1.45
1.7
1.8
V
毫伏/°C的
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
F
/
T
A
温度COEF网络cient
正向电压
探测器
I
OH
逻辑高电平输出电流
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 5.5V,
T
A
=25°C
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 15V,
T
A
=25°C
所有
6N135
6N136
HCPL4502
HCPL2503
所有
6N135
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2530
HCPL2531
6N135
6N136
HCPL4502
HCPL2503
6N135
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2530
HCPL2531
0.001
0.005
0.5
1
A
I
F
= 0毫安，V
O
= V
CC
= 15V
I
CCL
逻辑低电源电流
I
F
= 16毫安，V
O
=开，
V
CC
= 15V
50
120
200
A
I
F1
= I
F2
= 16毫安，
V
O
=打开，V
CC
= 15V
I
CCH
逻辑高电平电源电流
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 15V ，T
A
=25°C
200
400
1
A
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 15V
2
I
F
= 0毫安，V
O
=开，
V
CC
= 15V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
0.02
4
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电气特性
（续） （T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
传输特性
符号
再加
CTR
电流传输
比
(5)
I
F
= 16毫安，V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5V ，T
A
=25°C
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2531
HCPL2503
I
F
= 16毫安，
V
CC
= 4.5V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.5V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.5V
V
OL
= 0.4V
V
OL
逻辑低输出
电压
I
F
= 16毫安，我
O
= 1.1毫安，
V
CC
= 4.5V ，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 3mA电流，
V
CC
= 4.5V ，T
A
=25°C
I
F
= 16毫安，我
O
= 0.8毫安，
V
CC
= 4.5V
I
F
= 16毫安，我
O
= 2.4毫安，
V
CC
= 4.5V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意：
5.电流传递比是德音响定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
,
乘以100 ％。
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2531
HCPL2503
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
HCPL4502
HCPL2531
9
30
0.18
0.18
0.25
0.25
0.4
0.5
0.4
0.5
0.5
0.5
%
V
15
30
%
7
19
18
27
50
50
%
%
参数
测试条件
设备
分钟。 （典型值） *最大。单位
12
5
27
21
%
%
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电气特性
（续） （T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
开关特性
(V
CC
= 5V)
符号参数
T
PHL
传播延迟
时间逻辑低
测试条件
T
A
= 25 ° C，R
L
= 4.1k,
I
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安，
T
A
= 25°C
(7)
（图7）的
设备
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
6N135
HCPL2530
6N136
HCPL4502
HCPL2503
HCPL2531
分钟。
TYP 。 *
0.45
0.45
马克斯。
1.5
0.8
单位
s
s
R
L
= 4.1kΩ ，我
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
2.0
1.0
s
s
T
PLH
传播延迟
时间逻辑高
T
A
= 25 ℃， （注册商标
L
= 4.1k,
I
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
T
A
= 25°C
0.5
0.3
1.5
0.8
s
s
R
L
= 4.1kΩ ，我
F
= 16毫安
(6)
（图7）的
R
L
= 1.9kΩ ，我
F
= 16毫安
(7)
（图7）的
2.0
1.0
s
s
|厘米
H
|
共模
短暂
在免疫力
逻辑高
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
I
F
= 0毫安，V
CM
= 10V
P-P
,
R
L
= 1.9kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
10,000
10,000
V / μs的
V / μs的
|厘米
L
|
共模
短暂
在免疫力
逻辑低
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10 V
P-P
,
R
L
= 4.1kΩ ，T
A
= 25°C
(8)
（图8）的
I
F
= 16毫安，V
CM
= 10 V
P-P
,
R
L
= 1.9k
(8)
（图8）的
10,000
10,000
V / μs的
V / μs的
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
6. 4.1kΩ负载代表了0.36毫安和6.1kΩ的上拉电阻1 LSTTL单位负载。
7.在1.9kΩ负载代表了1.6毫安和5.6kΩ的上拉电阻1 TTL单位负载。
在逻辑高电平8.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ DT上的领先优势
共模脉冲信号V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
> 2.0V ） 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的（负面）DV
cm
/ dt的后缘上
共模脉冲信号，V的
CM
，以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
< 0.8V ） 。
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5
QQ：2880707522 复制
