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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第318页 > HCPL2611M
单通道： 6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M
双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步） - 高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
2010年2月
单通道： 6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M
双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步）
高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
特点
■
■
■
■
■
■
■
描述
该6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M单通道
和HCPL2630M ， HCPL2631M双通道光耦
plers包括一个850纳米的AlGaAs LED的光耦合
到非常高的速度集成光探测器的逻辑门
有strobable输出。此输出设有一个开放式协作
择器，从而允许有线或输出。该
切换参数都保证在温度
TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。最大输入信号
5毫安将提供13毫安的最小输出灌电流
（扇出8 ） 。
内部噪音屏蔽提供卓越共
模抑制比典型的10kV /微秒。该HCPL2601M
和HCPL2631M具有5kV的/ μs的最小CMR 。该
HCPL2611M具有10kV的/ μs的最小CMR 。
非常高的速度 - 10 Mbit / s的
高级CMR - 10 KV / μs的
扇出8在-40 ° C至+ 85°C
逻辑门输出
Strobable输出
有线或开集电极
U.L.识别（文件＃ E90700 ，第2卷）
应用
■
■
■
■
■
■
■
消除接地环路
LSTTL为TTL ， LSTTL或5伏CMOS
线路接收器，数据传输
数据复用
开关电源
脉冲变压器更换
电脑外设接口
示意图
包装纲要
N / C 1
8 V
CC
8
+ 1
V
F1
8 V
CC
1
8
1
+ 2
V
F
_
3
7 V
E
_ 2
7 V
01
8
6 V
O
_
V
3
6 V
02
8
1
1
F2
N / C 4
5 GND
+ 4
5 GND
真值表
（正逻辑）
输入
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
www.fairchildsemi.com
6N137M
HCPL2601M
HCPL2611M
H
HCPL2630M
HCPL2631M
（初步）
L
H
L
H
L
一个0.1μF的旁路电容必须连接引脚8和5之间
(1)
.
2009仙童半导体公司
6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M ， HCPL2630M ， HCPL2631M版本1.0.3
单通道： 6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M
双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步） - 高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
V
E
V
R
P
I
探测器
电源电压
V
CC
（最长1分钟）
I
O
V
O
P
O
输出电流
输出电压
集电极输出
功耗
DC /平均正向
输入电流
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+125
-40至+100
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
mA
V
V
mW
单通道
双通道（每个通道）
单通道
每个通道
单通道
双通道（每个通道）
50
30
5.5
5.0
100
45
7.0
使能输入电压不超过
V
CC
超过500mV的
反向输入电压
功耗
V
mA
V
mW
单通道
双通道（每个通道）
每个通道
单通道
双通道（每个通道）
50
50
7.0
85
60
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件是特定网络版，以确保最佳性能达到数据表特定网络阳离子。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
I
FL
I
FH
V
CC
V
EL
V
EH
T
A
N
参数
输入电流，低电平
输入电流，高级别
电源电压，输出
开启电压，低级别
开启电压，高级别
低电平电源电流
扇出（ TTL负载）
分钟。
0
*6.3
4.5
0
2.0
-40
马克斯。
250
15
5.5
0.8
V
CC
+85
8
单位
A
mA
V
V
V
°C
* 6.3毫安是一个保护条带状的值，它允许至少20 ％的点击率降低。初始输入电流阈值
是5.0毫安或更少。
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6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M ， HCPL2630M ， HCPL2631M版本1.0.3
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2
单通道： 6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M
双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步） - 高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
电气特性
(T
A
= 0 70 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
C
IN
V
F
/
T
A
探测器
I
CCH
I
CCL
高水平的电源电流
低电平电源电流
V
CC
= 5.5V ，我
F
= 0毫安，
V
E
= 0.5V
单通道
双通道
I
EL
I
EH
V
EH
V
EL
低电平使电流
高级别使电流
高级别启用电压
低电平使能电压
V
CC
= 5.5V, V
E
= 0.5V
V
CC
= 5.5V, V
E
= 2.0V
V
CC
= 5.5V ，我
F
= 10毫安
V
CC
= 5.5V ，我
F
= 10毫安
(3)
2.0
0.8
单通道
双通道
V
CC
= 5.5V,
I
F
= 10毫安
V
E
= 0.5V
6
10
8
14
-0.7
-0.5
10
15
13
21
-1.6
-1.6
mA
mA
V
V
mA
mA
输入正向电压
输入反向击穿
电压
输入电容
输入二极管温度
COEF网络cient
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
I
R
= 10A
V
F
= 0中，f = 1MHz的
I
F
= 10毫安
5.0
60
-1.4
1.4
1.8
1.75
V
pF
毫伏/°C的
V
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
开关特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5V ，我
F
= 7.5毫安除非另有规定编）
符号
T
PLH
AC特性
传播延迟
时间到输出高
水平
传播延迟
时间输出低
水平
输出上升时间
(10–90%)
输出上升时间
(90–10%)
使传播
延迟时间到输出
高层
使传播
延迟时间到输出
低层
共模
瞬态抗扰度
（在输出高电平）
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15pF的
(4)
（图12）
T
A
= 25°C
(5)
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的（图12）
(R
L
= 350
, C
L
= 15pF的（图12）
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
(6)
（图12）
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
(7)
（图12）
I
F
= 7.5毫安，V
EH
= 3.5V ，R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
(8)
（图13）
I
F
= 7.5毫安，V
EH
= 3.5V ，R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
(9)
（图13）
T
A
= 25 ° C， | V
CM
| = 50V 6N137M ， HCPL2630M
（峰值） ，我
F
= 0毫安，
HCPL2601M,
V
OH
（分钟） = 2.0V ，
HCPL2631M
R
L
= 350
(10)
（图14）
|V
CM
| = 400V
HCPL2611M
T
A
= 25°C
分钟。
20
TYP 。 *
40
MAX 。 UNIT
75
100
ns
T
PHL
25
40
75
100
ns
|T
PHL
–T
PLH
|脉冲宽度失真
t
r
t
f
t
ELH
1
30
10
15
35
ns
ns
ns
ns
t
EHL
15
ns
|厘米
H
|
10,000
5000
10,000
V / μs的
10,000
5000
10,000
15,000
10,000
10,000
15,000
V / μs的
|厘米
L
|
共模
瞬态抗扰度
（在输出低电平）
R
L
= 350, I
F
= 7.5毫安， 6N137M ， HCPL2630M
V
OL
（最大） = 0.8V ，
HCPL2601M,
T
A
= 25°C
(11)
（图14） HCPL2631M
|V
CM
| = 400V
HCPL2611M
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双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步） - 高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
电气特性
（续）
传输特性
(T
A
= -40+ 85 ° C除非另有规定编）
符号
I
OH
V
OL
I
FT
DC特性
高电平输出电流
低电平输出电流
输入阈值电流
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
O
= 5.5V,
I
F
= 250μA ，V
E
= 2.0V
(2)
V
CC
= 5.5V ，我
F
= 5毫安，V
E
= 2.0V,
I
CL
= 13毫安
(2)
V
CC
= 5.5V, V
O
= 0.6V, V
E
= 2.0V,
I
OL
= 13毫安
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
100
单位
A
V
mA
0.4
3
0.6
5
隔离特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
符号
I
我-O
特征
输入 - 输出绝缘
漏电流
耐压绝缘测试
电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
测试条件
相对湿度= 45％ ，
T
A
= 25 ° C，T = 5秒，
V
我-O
= 3000 VDC
(12)
RH < 50 ％ ，T
A
= 25°C,
I
我-O
≤
10μA ， T = 1分。
(12)
V
我-O
= 500V
(12)
F = 1MHz的
(12)
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
1.0*
单位
A
V
ISO
R
我-O
C
我-O
5000
10
11
1
V
RMS
pF
*所有标准结构在V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C
注意事项：
1. V
CC
供应到每个光隔离器必须通过一个0.1μF的电容或更大的旁路。这可以是一种陶瓷
或固体钽电容器具有良好的高频特性，并应连接尽可能接近
到包V
CC
以及GND的每个设备的。
2.每个通道。
3.使能输入 - 不拉所需的电阻作为器件具有内部上拉电阻。
4. t
PLH
- 传播延迟是从3.75毫安水平测量都在大输入电流的低转换
脉冲到1.5V的电平上的低电平输出电压脉冲的高电平的过渡。
5. t
PHL
- 传播延迟是从3.75毫安水平测量在低输入电流高的转换
脉冲上的高到输出电压脉冲的低电平跃迁的1.5V的电平。
6. t
r
- 上升时间是从90 ％开始，到10 ％的水平就低，以输出脉冲的高电平跳变。
7. t
f
- 下降时间是从10 ％开始，到90％的水平上的高到输出脉冲的低电平过渡。
8. t
ELH
- 使能输入的传播延迟是从1.5V电平测量都在大的输入低电平转换
电压脉冲，以对低的1.5V电平的输出电压脉冲的高电平的过渡。
9. t
EHL
- 使能输入的传播延迟是从1.5V电平测量低电平的输入高电平转换
电压脉冲的高电平输出电压脉冲的低电平跃迁的1.5V电平。
10. CM
H
- 共模电压的上升的最大容许速率，以确保输出将保持在
高邦（即V
OUT
> 2.0V ） 。测定在每微秒（V / μs）内伏。
11 CM
L
- 共模电压的上升的最大容许速率，以确保输出将保持在
低输出状态（即，V
OUT
< 0.8V ） 。测定在每微秒（V / μs）内伏。
12.设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并且销5 ，6，7和8短接
在一起。
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单通道： 6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M
双通道： HCPL2630M ， HCPL2631M （初步） - 高速的10Mbit / s的逻辑门光电耦合器
典型性能曲线
图。 1低电平输出电压与环境温度
0.8
I
F
= 5毫安
V
E
= 2V
V
CC
= 5.5V
图。 2输入二极管正向电压与正向电流
V
OL
- 低电平输出电压（ V）
0.7
0.6
I
OL
= 12.8毫安
I
F
- 正向电流（mA ）
10
0.5
I
OL
= 16毫安
1
0.4
0.3
I
OL
= 9.6毫安
I
OL
= 6.4毫安
0.100
0.2
0.1
0.0
-40
0.010
-20
0
20
40
60
80
100
0.001
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
T
A
=环境温度（℃）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3切换时间与正向电流
120
50
V
CC
= 5V
T
A
= 25°C
图。 4低电平输出与环境温度
T
P
- 传播延迟（ns ）
100
I
OL
- 低电平输出电流（mA）
45
I
F
= 15毫安
80
R
L
= 4KΩ （T
PLH
)
40
I
F
= 10毫安
60
R
L
= 1kΩ的（T
PLH
)
R
L
= 350 (t
PLH
)
35
I
F
= 5毫安
40
R
L
= 4KΩ （T
PHL
)
R
L
= 1kΩ的（T
PHL
)
R
L
= 350 (t
PHL
)
30
V
CC
= 5V
V
E
= 2V
V
OL
= 0.6V
20
25
0
5
7
9
11
13
15
20
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
=环境温度（℃）
图。 5输入阈值电流与环境温度
4.0
I
FT
- 输入阈值电流（毫安）
V
CC
= 5V
V
E
= 2V
V
OL
= 0.6V
图。 6输出电压与输入正向电流
6
3.5
5
3.0
R
L
= 350
V
O
=输出电压（V）的
4
R
L
= 1k
2.5
R
L
= 1k
3
R
L
= 350
2.0
R
L
= 4k
2
R
L
= 4k
1.5
1
1.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
0
1
2
3
4
5
6
T
A
=环境温度（℃）
I
F
- 正向电流（mA ）
2009仙童半导体公司
6N137M ， HCPL2601M ， HCPL2611M ， HCPL2630M ， HCPL2631M版本1.0.3
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HY628100LLG-85
HD647180XF-8
HV22714PJ
HDSP-B07G-0K300
HFBR-5903A
HLMP-1320-GO000
HCF4515BM1
HYS64T128020HU-3-A
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型号
厂家
批号
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封装
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    HCPL2611M
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