安捷伦HCPL- 0738
高速CMOS光电耦合器
数据表
特点
15纳秒典型的脉冲宽度
失真
40 ns的最大支柱。延迟偏差
描述
本HCPL - 0738是一款双通道
15 MBd的CMOS光电耦合器在
SOIC - 8封装。本HCPL- 0738
光电耦合器采用了最新的CMOS
IC技术来实现输出
站立性能具有非常低的
功耗。基础建设
HCPL- 0738的块是高
高速LED和CMOS检测器芯片。
20纳秒典型的道具。延迟
安捷伦还提供了相同的
在单信道的性能
版本， HCPL- 0708 。每
检测器集成了一个
集成光电二极管，一个高
高速跨阻放大器，
和一个电压比较器，具有一个
输出驱动器。
高速： 15兆位
+ 5 V CMOS兼容
10 KV / μs的最小共模
拒绝
-40 ℃100℃的温度范围内
安全和法规认证
- UL认证（ 2500 V有效值
符合UL 1577 1分钟）
- CSA元器件验收
请注意， ＃ 5 。
- VDE 0884 （ TUV ）批准
HCPL- 0738选件060
应用
PDP（等离子显示面板）
数字现场总线隔离：
的DeviceNet ， SDS ，PROFIBUS
复用的数据传输
计算机外设接口
微处理器系统接口
DC / DC转换器
工作原理图
真值表
阳极1
1
8
V
DD
阴极1
2
7
V
O
1
LED
关闭
ON
V
O
，输出
H
L
阴极2
3
6
V
O
2
注： 0.1
F
旁路电容必须是
连接销5和8之间。
阳极2
4
5
GND
注意事项：
据表示，正常的静电注意事项应采取的处理，这和组装
部件，以防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
选购指南
小外形SO- 8
HCPL-0738
订购信息
指定型号后面
选项数（如果需要的话） 。
例子
HCPL- 0738 -060 = VDE0884
选项
HCPL- 0738 -500 =卷带
卷轴包装选项
无选项代码包含100
每管单位。选件500
含有1500单位每卷。
选择数据表提供。
联系安捷伦科技公司
销售代表或授权
分销商。
封装外形图
HCPL- 0738外形图（小外形SO - 8封装）
8
7
6
XXX
YWW
5
5.994 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
类型编号
（后3位）
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
销1
一
0.405 ± 0.076
(0.015 ± 0.003)
2
3
4
1.270 BSG
(0.050)
日期代码
*5.080 ± 0.127
(0.205 ± 0.005)
7°
45° x 0.432
(0.017)
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
1.524
(0.060)
0 - 7°
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
0.202 ± 0.102
(0.008 ± 0.004)
0.305
分钟。
(0.012)
*总包长（毛边融合型）
5.207 ± 0.254 (0.205 ± 0.010)
尺寸以毫米（英寸） 。
引脚共面性= 0.10毫米（ 0.004英寸）最大。
焊锡溢流温度廓线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
2
法规信息
本HCPL- 0738已经
批准通过以下
组织：
UL
UL 1577所承认，
组件识别程序，
文件E55361 。
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件
CA88324.
TUV
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，证书
R9650938.
绝缘和安全相关规范（审批申请中）
参数
最小外部气隙
（间隙）
最少的外部跟踪
（爬）
最小内部塑料峡
（游隙）
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
所有安捷伦数据表报告
爬电距离和电气间隙的内在
到光耦元件
本身。这些尺寸
需要为起点的
阻止 - 当设备设计师
挖掘回路绝缘重
quirements 。然而，一旦
安装在印刷电路上
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
电源电压
输出电压
平均正向电流输入
平均输出电流
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
输入电流（ ON）的
3
符号
T
A
V
DD
I
F
最低
–40
4.5
10
最大
100
5.5
16
单位
C
V
mA
符号
最低
最大
T
S
–55
125
T
A
–40
100
V
DD
0
6.0
V
O
–0.5
V
DD
+ 0.5
I
F
—
20
I
O
—
2
260℃ 10秒，1.6毫米以下的飞机座位
见回流焊温度曲线段
单位
C
C
伏
伏
mA
mA
CTI
符号
L(I01)
L(I02)
价值
4.9
4.8
0.08
≥
175
IIIa受体
单位
mm
mm
mm
伏
条件
从输入端至输出端测得
通过空气的最短距离。
从输入端至输出端测得
最短距离路径沿着身体。
发射器与检测器之间的绝缘厚度;还
被称为穿通绝缘距离。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团（ DIN VDE 0110 ， 1/89 ，表1）
是推荐技术
如凹槽和肋
可以在印刷电路上使用的
板实现预期的易渗透
年龄和间隙。爬电距离和
间隙距离也将
取决于各种因素改变
如污染程度，
绝缘水平。
板，最小爬电距离和
间隙要求必须是
作为指定的个别会面
设备标准。对于易渗透
年龄，最短距离的路径
沿的印刷表面
焊料之间的电路板
输入和输出的鱼片
导线必须加以考虑。那里
电气规格
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
输入正向电压
输入反向击穿
电压
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
输入阈值电流
逻辑低输出电源
当前
逻辑高电平输出电源
当前
符号
V
F
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
分钟。
1.3
5
4.0
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
单位
V
V
V
0.1
8.2
18.0
15.0
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 12毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 0, I
O
= –20
A
I
F
= 12 mA时，我
O
= 20
A
I
OL
= 20
A
I
F
= 12毫安
I
F
= 0毫安
2
4
3
图。
1
笔记
5
0.01
4.5
10
8
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10% – 90%)
输出下降时间
(90% – 10%)
共模瞬变
免疫力的逻辑高电平输出
共模瞬变
免疫力逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
10
10
20
25
15
15
分钟。
20
11
100
0
典型值。
35
20
马克斯。
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
测试条件
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 0 mA时，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25C,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25C,
I
F
= 12毫安
图。
5
5
笔记
1
1
15
30
40
5
2
3
4
5
4
封装特性
所有的标准结构在T
A
= 25C.
参数
输入 - 输出绝缘
符号
I
我-O
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
A
测试条件
45 ％RH下，吨= 5秒
V
我-O
= 3千伏直流，
T
A
= 25C
RH
≤
50％时， t为1分钟，
T
A
= 25C
V
我-O
= 500 V DC
F = 1 MHz时，T
A
= 25C
输入输出瞬间
耐压
输入，输出电阻
输入输出电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
2500
10
12
0.6
V有效值
pF
注意事项：
1. t
PHL
传播延迟是从50 ％的水平上测量输入脉冲的上升沿至V的下降沿的2.5V的电平
O
信号。
t
PLH
传播延迟是从50 ％的水平上测量输入脉冲的至V的上升沿的2.5伏电平的下降沿
O
信号。
2. PWD是德网络定义为|吨
PHL
- t
PLH
|.
3. t
PSK
等于在吨最坏的情况下二FF erence的幅度
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间，在内部的任何给定的温度下可见
推荐工作条件。
4. CM
H
是共模电压的上升的最大容许速率，以保证该输出将保持在高逻辑状态。
5. CM
L
是落入共模电压的最大容许速率，以保证该输出将保持在逻辑低状态。
I
DDH
- 逻辑高电平输出电源电流 - 毫安
I
th
- 输入阈值电流 - 毫安
1000
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
th
1
I
th
2
V
DD
= 5.0 V
I
OL
= 20 A
10.0
V
DD
= 5.0 V
9.5
9.0
8.5
I
DDH
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流 - 毫安
T
A
= 25°C
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
1.1
I
F
+
V
F
–
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
F
- 正向电压 - V
T
A
- 温度 - °C
T
A
- 温度 - °C
图1：典型的输入二极管的正向
的特点。
图2.典型的输入阈值电流 -
温度。
图3.典型的逻辑高电平O / P供应
电流与温度的关系。
I
DDL
- 逻辑低电源电流 - 毫安
11.6
V
DD
= 5.0 V
TP - 传播延迟 - NS
50
45
40
35
30
25
20
15 PWD CH 1
10
5
0
V
DD
= 5.0 V
T
A
= 25 °C
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14
T
PLH
通道1
T
PLH
第2章
PWD CH 2
T
PHL
第2章
T
PHL
通道1
11.4
11.2
11.0
10.8
10.6
10.4
10.2
10.0
9.8
9.6
-40
I
DDL
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 温度 - °C
I
F
- 脉冲输入电流 - 毫安
图4.典型的逻辑低O / P供应
电流与温度的关系。
图5.典型开关速度与脉冲
输入电流。
5
安捷伦HCPL- 0738
高速CMOS光电耦合器
数据表
特点
15纳秒典型的脉冲宽度
失真
40 ns的最大支柱。延迟偏差
描述
本HCPL - 0738是一款双通道
15 MBd的CMOS光电耦合器在
SOIC - 8封装。本HCPL- 0738
光电耦合器采用了最新的CMOS
IC技术来实现输出
站立性能具有非常低的
功耗。基础建设
HCPL- 0738的块是高
高速LED和CMOS检测器芯片。
20纳秒典型的道具。延迟
安捷伦还提供了相同的
在单信道的性能
版本， HCPL- 0708 。每
检测器集成了一个
集成光电二极管，一个高
高速跨阻放大器，
和一个电压比较器，具有一个
输出驱动器。
高速： 15兆位
+ 5 V CMOS兼容
10 KV / μs的最小共模
拒绝
-40 ℃100℃的温度范围内
安全和法规认证
- UL认证（ 2500 V有效值
符合UL 1577 1分钟）
- CSA元器件验收
请注意， ＃ 5 。
- VDE 0884 （ TUV ）批准
HCPL- 0738选件060
应用
PDP（等离子显示面板）
数字现场总线隔离：
的DeviceNet ， SDS ，PROFIBUS
复用的数据传输
计算机外设接口
微处理器系统接口
DC / DC转换器
工作原理图
真值表
阳极1
1
8
V
DD
阴极1
2
7
V
O
1
LED
关闭
ON
V
O
，输出
H
L
阴极2
3
6
V
O
2
注： 0.1
F
旁路电容必须是
连接销5和8之间。
阳极2
4
5
GND
注意事项：
据表示，正常的静电注意事项应采取的处理，这和组装
部件，以防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
选购指南
小外形SO- 8
HCPL-0738
订购信息
指定型号后面
选项数（如果需要的话） 。
例子
HCPL- 0738 -060 = VDE0884
选项
HCPL- 0738 -500 =卷带
卷轴包装选项
无选项代码包含100
每管单位。选件500
含有1500单位每卷。
选择数据表提供。
联系安捷伦科技公司
销售代表或授权
分销商。
封装外形图
HCPL- 0738外形图（小外形SO - 8封装）
8
7
6
XXX
YWW
5
5.994 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
类型编号
（后3位）
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
销1
一
0.405 ± 0.076
(0.015 ± 0.003)
2
3
4
1.270 BSG
(0.050)
日期代码
*5.080 ± 0.127
(0.205 ± 0.005)
7°
45° x 0.432
(0.017)
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
1.524
(0.060)
0 - 7°
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
0.202 ± 0.102
(0.008 ± 0.004)
0.305
分钟。
(0.012)
*总包长（毛边融合型）
5.207 ± 0.254 (0.205 ± 0.010)
尺寸以毫米（英寸） 。
引脚共面性= 0.10毫米（ 0.004英寸）最大。
焊锡溢流温度廓线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
2
法规信息
本HCPL- 0738已经
批准通过以下
组织：
UL
UL 1577所承认，
组件识别程序，
文件E55361 。
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件
CA88324.
TUV
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，证书
R9650938.
绝缘和安全相关规范（审批申请中）
参数
最小外部气隙
（间隙）
最少的外部跟踪
（爬）
最小内部塑料峡
（游隙）
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
所有安捷伦数据表报告
爬电距离和电气间隙的内在
到光耦元件
本身。这些尺寸
需要为起点的
阻止 - 当设备设计师
挖掘回路绝缘重
quirements 。然而，一旦
安装在印刷电路上
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
电源电压
输出电压
平均正向电流输入
平均输出电流
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
输入电流（ ON）的
3
符号
T
A
V
DD
I
F
最低
–40
4.5
10
最大
100
5.5
16
单位
C
V
mA
符号
最低
最大
T
S
–55
125
T
A
–40
100
V
DD
0
6.0
V
O
–0.5
V
DD
+ 0.5
I
F
—
20
I
O
—
2
260℃ 10秒，1.6毫米以下的飞机座位
见回流焊温度曲线段
单位
C
C
伏
伏
mA
mA
CTI
符号
L(I01)
L(I02)
价值
4.9
4.8
0.08
≥
175
IIIa受体
单位
mm
mm
mm
伏
条件
从输入端至输出端测得
通过空气的最短距离。
从输入端至输出端测得
最短距离路径沿着身体。
发射器与检测器之间的绝缘厚度;还
被称为穿通绝缘距离。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团（ DIN VDE 0110 ， 1/89 ，表1）
是推荐技术
如凹槽和肋
可以在印刷电路上使用的
板实现预期的易渗透
年龄和间隙。爬电距离和
间隙距离也将
取决于各种因素改变
如污染程度，
绝缘水平。
板，最小爬电距离和
间隙要求必须是
作为指定的个别会面
设备标准。对于易渗透
年龄，最短距离的路径
沿的印刷表面
焊料之间的电路板
输入和输出的鱼片
导线必须加以考虑。那里
电气规格
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
输入正向电压
输入反向击穿
电压
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
输入阈值电流
逻辑低输出电源
当前
逻辑高电平输出电源
当前
符号
V
F
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
分钟。
1.3
5
4.0
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
单位
V
V
V
0.1
8.2
18.0
15.0
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 12毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 0, I
O
= –20
A
I
F
= 12 mA时，我
O
= 20
A
I
OL
= 20
A
I
F
= 12毫安
I
F
= 0毫安
2
4
3
图。
1
笔记
5
0.01
4.5
10
8
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10% – 90%)
输出下降时间
(90% – 10%)
共模瞬变
免疫力的逻辑高电平输出
共模瞬变
免疫力逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
10
10
20
25
15
15
分钟。
20
11
100
0
典型值。
35
20
马克斯。
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
测试条件
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 0 mA时，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25C,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25C,
I
F
= 12毫安
图。
5
5
笔记
1
1
15
30
40
5
2
3
4
5
4
封装特性
所有的标准结构在T
A
= 25C.
参数
输入 - 输出绝缘
符号
I
我-O
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
A
测试条件
45 ％RH下，吨= 5秒
V
我-O
= 3千伏直流，
T
A
= 25C
RH
≤
50％时， t为1分钟，
T
A
= 25C
V
我-O
= 500 V DC
F = 1 MHz时，T
A
= 25C
输入输出瞬间
耐压
输入，输出电阻
输入输出电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
2500
10
12
0.6
V有效值
pF
注意事项：
1. t
PHL
传播延迟是从50 ％的水平上测量输入脉冲的上升沿至V的下降沿的2.5V的电平
O
信号。
t
PLH
传播延迟是从50 ％的水平上测量输入脉冲的至V的上升沿的2.5伏电平的下降沿
O
信号。
2. PWD是德网络定义为|吨
PHL
- t
PLH
|.
3. t
PSK
等于在吨最坏的情况下二FF erence的幅度
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间，在内部的任何给定的温度下可见
推荐工作条件。
4. CM
H
是共模电压的上升的最大容许速率，以保证该输出将保持在高逻辑状态。
5. CM
L
是落入共模电压的最大容许速率，以保证该输出将保持在逻辑低状态。
I
DDH
- 逻辑高电平输出电源电流 - 毫安
I
th
- 输入阈值电流 - 毫安
1000
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
th
1
I
th
2
V
DD
= 5.0 V
I
OL
= 20 A
10.0
V
DD
= 5.0 V
9.5
9.0
8.5
I
DDH
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流 - 毫安
T
A
= 25°C
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
1.1
I
F
+
V
F
–
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
F
- 正向电压 - V
T
A
- 温度 - °C
T
A
- 温度 - °C
图1：典型的输入二极管的正向
的特点。
图2.典型的输入阈值电流 -
温度。
图3.典型的逻辑高电平O / P供应
电流与温度的关系。
I
DDL
- 逻辑低电源电流 - 毫安
11.6
V
DD
= 5.0 V
TP - 传播延迟 - NS
50
45
40
35
30
25
20
15 PWD CH 1
10
5
0
V
DD
= 5.0 V
T
A
= 25 °C
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14
T
PLH
通道1
T
PLH
第2章
PWD CH 2
T
PHL
第2章
T
PHL
通道1
11.4
11.2
11.0
10.8
10.6
10.4
10.2
10.0
9.8
9.6
-40
I
DDL
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 温度 - °C
I
F
- 脉冲输入电流 - 毫安
图4.典型的逻辑低O / P供应
电流与温度的关系。
图5.典型开关速度与脉冲
输入电流。
5
QQ：2880707522 复制
