HCPL062N 3.3V双通道高速10 Mbit / s的逻辑门光电耦合器
2006年7月
HCPL062N
3.3V双通道高速10 Mbit / s的逻辑门
光电耦合器
特点
■
紧凑型SO8封装
■
极高的速度 - 的10Mbit / s的
■
高级CMR - 25千伏/μs的最小（ 1000伏
■
■
■
■
tm
描述
该HCPL062N光电耦合器组成的AlGaAs LED的，
光学耦合到一个非常高的速度的集成光电
检测器的逻辑门组成的一个双极型晶体管的
CMOS工艺，可降低功耗。该
输出采用开放式集热器，从而允许
有线或输出。该装置被装在一个紧凑
小外形封装。耦合参数
保证在-40° C至温度范围
+ 85°C 。内部噪声屏蔽，并提供卓越的
共模抑制。
普通模式）
逻辑门输出
有线或开集电极
固定阈值检测器的设计最大限度地减少热
对开关时间的影响
U.L.认可（文件＃ E90700 ）
应用
■
消除接地环路
■
现场总线
■
线路接收器，数据传输
■
数据复用
■
开关电源
■
脉冲变压器更换
■
电脑外设接口
■
仪器输入/输出隔离
包装尺寸
0.164 (4.16)
0.144 (3.66)
飞机座位
销1
0.202 (5.13)
0.182 (4.63)
0.019 (0.48)
0.010 (0.25)
0.006 (0.16)
0.143 (3.63)
0.123 (3.13)
0.021 (0.53)
0.011 (0.28)
0.008 (0.20)
0.003 (0.08)
0.050 (1.27)
典型值
0.244 (6.19)
0.224 (5.69)
引脚共面性： 0.004 （ 0.10 ） MAX
注意：
所有尺寸为英寸（毫米）
2006仙童半导体公司
1
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HCPL062N版本1.0.0
HCPL062N 3.3V双通道高速10 Mbit / s的逻辑门光电耦合器
电路图纸
(1)
+ 1
V
F1
8 V
CC
_ 2
7 V
01
_
V
3
6 V
02
F2
+ 4
5 GND
注意：
1. V
CC
供应到每个光隔离器必须通过一个0.1μF的电容或更大的旁路。这可以是一种陶瓷
或固体钽电容具有良好的高频特性，应该没有进一步的连接超过3mm
从V
CC
以及GND的每个设备的。
真值表（正逻辑）
输入
H
L
产量
L
H
一个0.1μF的旁路电容必须连接引脚8和5之间。
2
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绝对最大额定值
（无需降额高达85° C）
符号
T
英镑
T
OPR
辐射源
I
F
V
R
P
I
探测器
V
CC
电源电压
（最长1分钟）
I
O
V
O
P
O
输出电流（每通道）
输出电压（每通道）
集电极输出功率耗散
7.0
15
7.0
85
V
mA
V
mW
DC /平均正向输入电流（每通道）
反向输入电压（每通道）
功耗
50
5.0
45
mA
V
mW
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+125
-40至+85
单位
°C
°C
推荐工作条件
符号
I
FL
I
FH
V
CC
T
A
N
R
L
参数
输入电流，低电平
输入电流，高级别
电源电压，输出
工作温度
扇出（ TTL负载）
输出上拉
分钟。
0
6.3
(2)
2.7
-40
–
330
马克斯。
250
15
3.3
+85
5
4K
单位
A
mA
V
°C
TTL负载
注意：
2. 6.3毫安是一个保护条带状的值，它允许至少20 ％的点击率降低。初始输入电流阈值
是5.0毫安以下
3
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电气特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
B
VR
V
F
/
T
A
输入正向电压
输入反向击穿
电压
输入二极管温度
COEF网络cient
高水平的电源电流
低电平电源电流
I
F
= 10毫安
T
A
=25°C
I
R
= 10A
I
F
= 10毫安
–
–
5.0
–
–
–
–
-1.5
1.8
1.75
–
–
V
毫伏/°C的
V
参数
测试条件
分钟。
典型值。
(3)
马克斯。
单位
探测器
I
CCH
I
CCL
I
F
= 0毫安，V
CC
= 3.3V
I
F
= 10毫安，V
CC
= 3.3V
–
–
7.1
6.7
10
15
mA
mA
开关特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 3.3V ，我
F
=除非另有规定编7.5毫安。 ）
符号
T
PLH
AC特性
传播延迟
时间到输出高
水平
传播延迟
时间输出低
水平
测试条件
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
注意，图4，图10
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
注意，如图5所示，图10
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
图。 10
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的）
注意，如图6所示，图10
R
L
= 350
, C
L
= 15pF的
注意，如图7所示，图10
R
L
= 350
, T
A
= 25 ° C，I
F
= 0 mA时，
V
CC
= 3.3V, V
O（ MIN 。 ）
= 2V
|V
CM
| = 1,000V
注8 ， 11 ，图11
R
L
= 350
, T
A
= 25 ° C，I
F
= 7.5毫安，
V
CC
= 3.3V, V
O（ MAX 。 ）
= 0.8V
|V
CM
| = 1,000V
注释9 ，图11，图11
分钟。
–
典型值。
(3)
–
马克斯。
90
单位
ns
T
PHL
–
–
75
ns
|T
PHL
–T
PLH
|脉冲宽度失真
t
r
t
f
|厘米
H
|
输出上升时间
(10–90%)
输出下降时间
(90–10%)
共模
瞬态抗扰度
（在输出高电平）
共模
瞬态抗扰度
（在输出低电平）
–
–
–
25,000
–
16
4
–
25
–
–
–
ns
ns
ns
V / μs的
|厘米
L
|
25,000
–
–
V / μs的
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传输特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
符号
V
OL
I
FT
DC特性
低电平输出电压
输入阈值电流
测试条件
V
CC
= 3.3V ，我
F
= 5毫安，我
OL
= 13毫安
V
CC
= 3.3V, V
O
= 0.6V ，我
OL
= 13毫安
分钟。
–
–
典型值。
(3)
–
–
马克斯。
0.6
5
单位
V
mA
隔离特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C除非另有规定编）
符号
I
我-O
特征
输入输出
绝缘泄漏电流
耐压绝缘测试
电压
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
测试条件
相对湿度= 45％
T
A
= 25 ℃， t为5秒。
V
我-O
= 3000 VDC ，注意10
R
H
< 50％ ，T
A
= 25°C
I
我-O
≤
2μA ，叔= 1分钟，
注10
V
我-O
= 500V ，注意10
F = 1MHz时，注意10
分钟。
–
典型值。
(3)
–
马克斯。
1.0
单位
A
V
ISO
2500
–
–
V
RMS
R
我-O
C
我-O
–
–
10
12
0.6
–
–
pF
注意事项：
3.所有典型值是在V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
4. t
PLH
- 传播延迟是从高分到输入电流的低过渡3.75毫安水平测量
脉冲上的低的1.5V电平的输出电压脉冲的高电平的过渡。
5. t
PHL
- 传播延迟是从3.75毫安级测量在低输入电流高的转换
脉冲上的高到输出电压脉冲的低电平跃迁的1.5V电平。
6. t
r
- 上升时间是从90 ％开始，到10 ％的水平就低，以输出脉冲的高电平跳变。
7. t
f
- 下降时间是从10 ％开始，到90％的水平上的高到输出脉冲的低电平过渡。
8. CM
H
- 共模电压，以确保输出的上升，最大可容忍率将保持在高
状态（即，V
OUT
> 2.0 V） 。测定在每微秒（V / μs）内伏。
9. CM
L
- 秋共模电压，以确保输出的最大容许速度将保持在低
输出状态（即，V
OUT
< 0.8V） 。测定在每微秒（V / μs）内伏。
10.设备认为是一个双端器件：引脚1,2,3和4短接在一起，并且引脚5,6,7和8短接在一起。
11.电源旁路电容必须没有进一步的比从光耦合器的线索3毫米。低
与电感接地平面宽度
≤
系列引线电感5nHy是必需的。
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