小外形， 5铅，高
高速光电耦合器
技术参数
HCPL-M452
HCPL-M453
特点
表面贴装
非常小，薄型
JEDEC注册
包装外形
兼容红外
汽相回流焊和
波峰焊工艺
非常高的共模
瞬变抗扰度：
15000 V/
在νs的
CM
= 1500 V
保证（ HCPL- M453 ）
高速： 1 Mb / s的
TTL兼容
保证AC和DC
在性能
温度： 0
°
C至70
°
C
集电极开路输出
认可下
组件项目
U.L. （文件号E55361 ）的
耐压防爆
3750伏交流试验电压， 1
分钟
无铅选项
描述
这些小尺寸高CMR ，
高速，二极管晶体管光耦
耦合器是单通道
在五引线的微型器件
足迹。他们是电
等同于下面的Agilent
光电耦合器：
SO- 5封装
HCPL-M452
HCPL-M453
标准DIP
HCPL-4502
HCPL-4503
SO- 8封装
HCPL-0452
HCPL-0453
（注：这些相当于6N135 / 6N136设备，但没有碱引线装置）。
在SO - 5 JEDEC注册
（ MO - 155 ）封装外形做
不需要“通孔”的
PCB 。这个包占用
大约四分之一的
标准的占位面积
双列直插式封装。铅
轮廓被设计成
与标准兼容
表面贴装工艺。
这些二极管三极管
光电耦合器使用的绝缘
发光层之间
二极管和一个集成光子
检测器提供的电
输入之间的绝缘
输出。单独的连接
光二极管偏压和输出
晶体管集电极增加
加快百倍
注意：所固有的这种双极型元件的设计中的小的器件尺寸增加组件的
易受静电放电（ ESD）损坏。据表示，正常的静电预防措施，采取
在处理该组件和组件，以防止其可通过诱导损伤和/或降解
ESD 。
2
过了一个传统的
光电晶体管耦合器由
减小基极 - 集电极
电容。
的HCPL- M452是专为
高速TTL / TTL应用
系统蒸发散。标准16毫安TTL
灌电流通过输入
LED将提供足够的输出
电流为1个TTL负载和一
5.6 kΩ的上拉电阻。的CTR
该HCPL- M452是19 ％
最小的我
F
= 16 mA的电流。
本HCPL- M453是HCPL-
M452与增加普通
的模瞬态抗扰度
15000 V / μs的最小的
V
CM
= 1500 V保证。
外形图（ JEDEC MO- 155 ）
概要
I
CC
6
V
CC
阳极1
4.4 ± 0.1
(0.173 ± 0.004)
6
V
CC
+
阳极
1
V
F
I
F
MXXX
XXX
7.0 ± 0.2
(0.276 ± 0.008)
阴极3
5 V
OUT
4
GND
阴极
–
3
盾
I
O
5
V
O
4
GND
0.4 ± 0.05
(0.016 ± 0.002)
3.6 ± 0.1*
(0.142 ± 0.004)
0.102 ± 0.102
(0.004 ± 0.004)
0.15 ± 0.025
(0.006 ± 0.001)
7 °最大。
1.27 BSC
(0.050)
0.71 MIN 。
(0.028)
马克斯。引脚共面性
= 0.102 (0.004)
单位为毫米（英寸）
*最大毛边每边为0.15mm （ 0.006 ）
注：浮动引脚突出为0.15毫米（ 6密耳） MAX 。
2.5 ± 0.1
(0.098 ± 0.004)
应用
线路接收器 -
高共模瞬变
免疫（ >1000 V / μs的）和
低输入输出电容
（ 0.6 pF的） 。
高速逻辑地
隔离 - TTL / TTL ， TTL /
LTTL ， TTL / CMOS ， TTL /
LSTTL 。
更换慢Phototran-
体管光电耦合器
更换脉冲
变形金刚 -
节省电路板
空间和重量
模拟信号地
隔离 -
集成光子探测器
提供了改进的线性度
在光电晶体管的类型。
土地格局的建议
4.4
(0.17)
2.5
(0.10)
1.3
(0.05)
2.0
(0.080)
8.27
(0.325)
0.64
(0.025)
尺寸以毫米（英寸）
3
绝对最大额定值
（无需降额高达85° C）
存储温度................................................ -55 ° C至+ 125°C
工作温度............................................. -55 ° C至+ 100°C
平均输入电流 - 我
F
.................................................. ... 25毫安
[1]
峰值输入电流 - 我
F
.................................................. ......... 50毫安
[2]
（占空比为50％ ， 1毫秒的脉冲宽度）
峰值瞬态输入电流 - 我
F
.............................................. 1.0 A
(≤1
s
脉冲宽度， 300为pps ）
反向输入电压 - V
R
（ Pin3-1 ） ............................................. ... 5 V
输入功率耗散............................................... ......... 45毫瓦
[3]
平均输出电流 - 我
O
（引脚5 ） ........................................... 8毫安
峰值输出电流............................................... .................. 16毫安
输出电压 - V
O
（引脚5-4 ） ........................................ -0.5 V至20 V
电源电压 - V
CC
（引脚6-4 ） ....................................... -0.5 V至30 V
输出功率耗散............................................... ..... 100毫瓦
[4]
红外线和汽相回流焊温度..................见下文
回流焊温度曲线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
推荐无铅红外廓
t
p
T
p
T
L
260 +0/-5 °C
217 °C
斜升
3°C /秒。 MAX 。
150 - 200 °C
减速
6 ° C /秒。 MAX 。
时间内5℃的实际
峰值温度
20-40秒。
温度
T
SMAX
T
SMIN
t
s
预热
60至180秒。
25
吨25 ° C到峰值
t
L
60至150秒。
时间
注意事项：
的时间从25 ° C至峰值温度=最多8分钟。
T
SMAX
= 200℃ ，T
SMIN
= 150 °C
4
保温相关的特定连接的阳离子
参数
最小外部气隙
（间隙）
分钟。外部跟踪路径
（爬）
分钟。国内塑料峡
（间隙）
防跟踪
隔离组（根据DIN VDE 0109 ）
符号
L(IO1)
L(IO2)
价值
≥
5
≥
5
0.08
CTI
175
IIIa受体
单位
mm
mm
mm
V
条件
从输入端测得的
到输出端子
从输入端测得的
到输出端子
穿通绝缘距离
导体导体
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
物资集团DIN VDE 0109
电气规格
在推荐的温度（T
A
= 0℃至70℃ ），除非另有说明。 （见注11 ）
参数
当前
传输比
逻辑低
产量
电压
逻辑高
产量
当前
逻辑低
供应
当前
逻辑高
供应
当前
输入正向
电压
输入反向
击穿
电压
温度
对COEF网络cient
前锋
电压
输入
电容
输入输出
绝缘
阻力
（输入输出）
电容
（输入输出）
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
符号最小值。 （典型值） *最大。单位
CTR
20
15
V
OL
24
25
0.1
0.4
0.5
I
OH
0.003
0.01
0.5
1
50
I
CCL
50
200
A
V
50
%
测试条件
T
A
= 25°C V
O
= 0.4 V
V
O
= 0.5 V
T
A
= 25 ° C I
O
= 3.0毫安
I
O
= 2.4毫安
T
A
= 25°C V
O
= V
CC
= 5.5 V
T
A
= 25°C V
O
= V
CC
= 15.0 V
I
F
= 0毫安
I
F
= 16 mA时， V
O
=开，
V
CC
= 15 V
T
A
= 25 ° C I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15.0 V
图。记
5
V
CC
= 4.5 V 1, 2,
I
F
= 16毫安
4
7
11
I
CCH
0.02
1
2
11
V
F
1.5
1.7
1.8
V
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
3
BV
R
5
V
F
/T
A
-1.6
毫伏/ ° C I
F
= 16毫安
C
IN
V
ISO
R
我-O
C
我-O
3750
60
pF
F = 1MHz时， V
F
= 0
6, 7
6
6
V
RMS
RH
≤
50％时， t为1分钟。 ，T
A
= 25°C
10
12
0.6
pF
V
我-O
= 500 V
DC
F = 1 MHz的
5
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= 0℃至70℃ ）V
CC
= 5 V，I
F
= 16毫安除非另有规定ED 。
参数
传播
延迟时间
为逻辑低电平
在输出
传播
延迟时间
逻辑高
在输出
符号
t
PHL
器件起价。 （典型值） *最大。单位测试条件
0.2
0.8
1.0
s
T
A
= 25°C
图。记
9
5, 6,
R
L
= 1.9 k 10
t
PLH
0.6
0.8
1.0
T
A
= 25°C
5, 6,
R
L
= 1.9 k 10
9
常见
|厘米
H
|
模式
短暂
在免疫力
逻辑高
电平输出
常见
|厘米
L
|
模式
短暂
在免疫力
逻辑低
电平输出
带宽
BW
HCPL-
M452
HCPL-
M453
HCPL-
M452
HCPL-
M453
15
15
1
KV / μs的V
CM
= 10 V
p-p
11
I
F
= 0毫安
T
A
= 25°C
R
L
= 1.9 k
8, 9
30
V
CM
= 1500 V
p-p
1
V
CM
= 10 V
p-p
I
F
= 16毫安11
T
A
= 25°C
R
L
= 1.9 k
8, 9
30
V
CM
= 1500 V
p-p
3
兆赫
L
= 100
,
见测试电路8,9
10
所有的标准结构在T
A
= 25°C.
注意事项：
1.线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为0.5毫安/ ℃的速率。
2.线性降额超过85 ℃的自由空气的温度在1.0mA / ℃的速率。
3.线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为1.1毫瓦/小时的速度°以下。
4.线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为2.3毫瓦/小时的速度°以下。
在百分之5的电流传输比被定义为输出集电极电流的比率，我
O
到前方的LED输入
目前，我
F
，乘以100 。
6.设备认为是一个双端器件：引脚1和3短接在一起，并且引脚4，5和6短接在一起。
7.根据UL 1577 ，每个光耦是证明通过应用绝缘测试电压测试
≥
4500 V
RMS
1秒
（泄漏检测电流限制，我
我-O
≤
5
A).
在逻辑高电平8.常见的瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
CM
/ dt值的上升沿
共模脉冲，V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
> 2.0 V） 。共模
在一个逻辑低电平瞬态抗扰度是最大耐受（负）DV
CM
/ dt值的共模的下降沿
脉冲信号V
CM
以保证该输出将保持在逻辑低状态（也就是，V
O
< 0.8V） 。
9. 1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
10.频率处的交流输出电压低于它的中频值3分贝。
11.使用0.1
F
旁路电容器，连接引脚4和6之间，推荐。
HCPL-M452/HCPL-M453
小外形， 5铅，高速光电耦合器
数据表
铅（Pb ）免费
RoHS指令6全
柔顺
符合RoHS 6提供完全符合的选项;
-xxxE表示无铅产品
描述
这些小尺寸高CMR ，高速，二极管，晶体管
光电耦合器在一个科幻的单通道器件已经领先
微型足迹。它们在电气上等同于
以下Avago的光电耦合器：
在SO - 5 JEDEC注册（ MO- 155 ）封装外形
不需要“通孔”，在PCB上。这个包
占据约四分之一的触地区域
标准的双列直插式封装。铅廓是DE-
签约是COM -兼容标准的表面贴装
流程。
这些二极管的晶体管光耦合器使用绝缘lay-
发光二极管和一个集成之间呃
光子检测器之间提供电绝缘
输入和输出。对于光电单独连接
二极管偏压和输出晶体管集电极增加
加快一百倍以上的传统
光电晶体管耦合器通过减小基极 - 集电极
电容。
本HCPL- M452是专为高速TTL / TTL
应用程序。标准16毫安TTL的灌电流通过
输入LED将提供足够的输出电流为1
TTL负载和一个5.6 K＆ frac12 ;上拉电阻。在HCPL-的CTR
M452是19 ％，最低为我
F
= 16 mA的电流。
本HCPL- M453是HCPL- M452增加的共同
15000 V / PS最低的模瞬态抗扰度
V
CM
= 1500 V保证。
特点
x
表面贴装
x
非常小的，低廓JEDEC注册封装外形
x
兼容红外气相再溢流和波
焊接工艺
x
非常高的共模瞬变抗扰度：
15000 V / PS在V
CM
= 1500 V保证（ HCPL- M453 ）
x
高速： 1 Mb / s的
x
TTL兼容
x
集电极开路输出
x
WORLDWIDE安全认证：
- UL1577认可， 3750Vrms / 1分钟
CSA认证
x
无铅选项
应用
x
线路接收器：高共模瞬态抗扰度
（ >1000 V / μs的）和低输入输出电容（ 0.6 pF的） 。
x
高速逻辑接地隔离： TTL / TTL ， TTL / LTTL ，
TTL / CMOS ， TTL / LSTTL
x
更换慢光敏三极管的光耦合器
x
取代脉冲变压器：节省电路板空间和
重量
x
模拟信号接地隔离：集成光子
探测器提供了改进的线性度光电
晶体管型
订购选项
SO- 5封装
HCPL-M452
HCPL-M453
标准DIP
HCPL-4502
HCPL-4503
SO- 8封装
HCPL-0452
HCPL-0453
注意：这些相当于6N135 / 6N136的设备，但没有设备
该基地的领先优势。
注意事项：
所固有的这种双极型元件的设计，小的器件尺寸增加组件的
易受静电放电（ ESD）损坏。据表示，正常的静电预防措施，采取的
处理此组件和组件，以防止损坏和/或降解其可以通过静电放电所诱导。
订购信息
HCPL- M452和HCPL- M453是UL认可与3750 Vrms的每UL1577 1分钟。
选项
部分
数
HCPL-M452
HCPL-M453
RoHS指令
柔顺
-000E
-500E
不符合RoHS
柔顺
不选
#500
包
SO-5
表面贴装
X
X
磁带&卷轴
X
QUANTITY
100每管
1500每卷
如需订购，请从零件号列中的零件编号，结合从选项中选择所需的选项
列，以形成一个订单输入。
实施例1：
HCPL- M452-500E以卷带式封装，符合RoHS规范秩序，使- 5表面贴装封装的产品。
实施例2：
HCPL- M452在软管包装和非RoHS标准订购SO- 5表面贴装封装的产品。
选择数据表可用。请联系您的安华高的销售代表或授权分销商信息
备注：符号“ #XXX ”用于现有产品的同时，自2001年7月15日和RoHS推出（新）产品
标准将采用' -XXXE “。
外形图（ JEDEC MO- 155 ）
阳极
4.4 ± 0.1
(0.173 ± 0.004)
1
6
5
V
CC
VOUT
GND
MXXX
XXX
7.0 ± 0.2
(0.276 ± 0.008)
阴极
3
4
0.4 ± 0.05
(0.016 ± 0.002)
3.6 ± 0.1*
(0.142 ± 0.004)
2.5 ± 0.1
(0.098 ± 0.004)
0.102 ± 0.102
(0.004 ± 0.004)
0.15 ± 0.025
(0.006 ± 0.001)
7 °最大。
1.27 BSC
(0.050)
0.71 MIN 。
(0.028)
马克斯。引脚共面性
= 0.102 (0.004)
单位为毫米（英寸）
*每面最大的模具FL灰为0.15毫米（ 0.006 ）
注： Foating引脚突出为0.15毫米（ 6密耳）最大。
2
概要
I
CC
6
V
CC
土地格局的建议
4.4
(0.17)
阳极
+
1
V
F
–
3
I
F
2.5
(0.10)
1.3
(0.05)
I
O
5
阴极
V
O
盾
4
GND
2.0
(0.080)
8.27
(0.325)
尺寸以毫米（英寸）
0.64
(0.025)
焊锡溢流热廓线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
温度（℃）
200
160°C
150°C
140°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
30
美国证券交易委员会。
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
PEAK
温度。
230°C
焊接
时间
200°C
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
房间
温度
50秒。
紧
典型
LOOSE
0
0
50
100
时间（秒）
150
200
250
注：非卤化的通量应该被使用。
推荐无铅红外廓
建议再溢流条件按照JEDEC标准J- STD- 020 （最新修订版） 。
非卤化物通量应该被使用。
3
法规信息
本HCPL - M452 / M453被批准由以下机构：
UL
UL 1577批准下，元件识别
计划至V
ISO
= 3750 V
RMS
之前预计的产品
释放。
CSA
根据CSA元件验收通知＃ 5批准。
保温相关的特定连接的阳离子
参数
最小外部气隙（间隙）
分钟。外部跟踪路径（爬）
分钟。内部塑料间隙（间隙）
防跟踪
隔离组（根据DIN VDE 0109 ）
CTI
符号
L(IO1)
L(IO2)
价值
≥5
≥5
0.08
175
IIIa受体
单位
mm
mm
mm
V
条件
输入端至输出端测得
码头
输入端至输出端测得
码头
穿通绝缘距离导体
导体
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
物资集团DIN VDE 0109
绝对最大额定值
（无需降额高达85° C）
存储温度................................................ .............................- 55 ° C至+ 125°C
工作温度................................................ ........................- 55 ° C至+ 100°C
平均输入电流 - 我
F
.................................................. .............................. 25毫安
[1]
峰值输入电流 - 我
F
.................................................. ...................................... 50毫安
[2]
（占空比为50％ ， 1毫秒的脉冲宽度）
峰值瞬态输入电流 - 我
F
............................................................................ 1.0 A
（1微秒的脉冲宽度， 300为pps ）
反向输入电压 - V
R
（ Pin3-1 ） ............................................. ............................... 5 V
输入功率耗散............................................... ...................................... 45毫瓦
[3]
平均输出电流 - 我
O
（引脚5 ） .............................................. ......................... 8毫安
峰值输出电流............................................... ................................................. 16毫安
输出电压 - V
O
（引脚5-4 ） ............................................ ....................... -0.5 V至20 V
电源电压 - V
CC
（引脚6-4 ） ............................................ ...................... -0.5 V至30 V
输出功率耗散............................................... ............................... 100毫瓦
[4]
红外线和汽相再溢流温度.......................................见下文
4
电气连接特定的阳离子
在推荐的温度（T
A
= 0 ° C至70 ° C） ，除非另有规定ED 。 （见注11 ）
参数
电流传输
比
逻辑低输出
电压
逻辑高电平输出。
当前
符号
CTR
V
OL
I
OH
分钟。
20
15
TYP 。 *
24
25
0.1
0.003
0.01
马克斯。
50
0.4
0.5
0.5
1
50
单位
%
V
PA
测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
O
= 0.4 V
V
O
= 0.5 V
I
O
= 3.0毫安
I
O
= 2.4毫安
V
O
= V
CC
=
5.5 V
V
O
= V
CC
=
15.0 V
I
F
= 0毫安
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 16毫安
图。
1, 2, 4
记
5
7
逻辑低电平电源
当前
逻辑高电源
当前
输入正向
电压
输入反向
击穿电压
温度
中科FFI cient
正向电压
输入电容
输入输出
绝缘
阻力
（输入输出）
电容
（输入输出）
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
I
CCL
I
CCH
V
F
BV
R
'V
F
/
'T
A
C
IN
V
ISO
R
我-O
C
我-O
3750
5
50
0.02
1.5
200
1
2
1.7
1.8
V
I
F
= 16 mA时， V
O
=打开，V
CC
= 15 V
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
R
= 10
PA
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15.0 V
I
F
= 16毫安
3
11
11
-1.6
毫伏/°C的
I
F
= 16毫安
60
pF
V
RMS
F = 1MHz时， V
F
= 0
相对湿度≤ 50％ ，吨= 1分，T
A
= 25°C
V
我-O
= 500 V
DC
F = 1 MHz的
6, 7
6
6
10
12
0.6
:
pF
5
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