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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第179页 > HCPL-817-00D
安捷伦HCPL- 817
光电晶体管光耦合器
高密度安装类型
数据表
描述
本HCPL- 817包含一个光
发光二极管的光耦合到
一个光电晶体管。它被包装在
一个4针DIP封装,可
在宽引线间距选项,
引脚弯曲SMD选项。输入输出
隔离电压为5000 V有效值。
响应时间,t
r
,一般为4
s
和最低CTR为输入50 %
电流为5毫安。
订购信息
指定型号后面
选项数(如果需要的话) 。
HCPL-817-XXX
期权数量
060
W00
300
500
00A
00B
00C
00D
00L
=
=
=
=
=
=
=
=
=
VDE0884选项
0.4"引线间隔选项
导致弯曲SMD选项
磁带和卷轴包装
选项
排名大关
等级标记B
等级标记C
等级标记d
等级线L
工作原理图
PIN NO 。和内部
接线图
4
3
特点
电流传输比
( CTR :分钟,我50 % 。
F
= 5毫安,
V
CE
= 5 V)
高输入输出隔离电压
(V
ISO
= 5000 Vrms的)
响应时间(t
r
:典型值4
s
at
V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
)
紧凑型双列直插式封装
UL认证
CSA认证
= VDE认证
选项可供选择:
- 与0.4" (10.16 MM)信息
间距( W00 )
- 引线弯曲表面
安装(300)
- 磁带和卷轴的SMD ( 500 )
- VDE 0884认证( 060 )
应用
之间的信号传输
不同电位的电路和
阻抗
I / O计算机接口
反馈回路电源
概要
阳极
1
+
I
F
I
C
4
集热器
V
F
1
1.阳极
2.阴极
2
阴极
3.辐射源
4.收集
2
3
辐射源
注意事项:
据表示,正常的静电注意事项应采取的处理和组件的装配
防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
封装外形图
4.6 ± 0.5
(0.181)
4
类型编号
3
选项代码
对期权060
6.5 ± 0.5
(0.256)
2.8 ± 0.5
(0.110)
3.3 ± 0.5
(0.130)
0.5
典型值。
(0.02)
3.5 ± 0.5
(0.138)
7.62 ± 0.3
(0.3)
日期代码
一个817 V
YWW
1
2
PIN一个点
军衔标志
0.5 ± 0.1
(0.02)
尺寸以毫米(英寸)
2.54 ± 0.25
(0.1)
0.35 +0.15/-0.10
(0.014)
7.62 ~ 9.98
包装外形 - 选项W00
4.6 ± 0.5
(0.181)
7.62 ± 0.3
(0.3)
3.5 ± 0.5
(0.138)
6.5 ± 0.5
(0.256)
2.8 ± 0.5
(0.110)
0.5 ± 0.1
(0.02)
2.54 ± 0.25
(0.1)
尺寸以毫米(英寸)
2.3 ± 0.5
(0.09)
6.9 ± 0.5
(0.272)
0.35 +0.15/-0.10
(0.014)
10.16 ± 0.5
(0.4)
包装外形 - 选件300
4.6 ± 0.5
(0.181)
7.62 ± 0.3
(0.3)
3.5 ± 0.5
(0.138)
6.5 ± 0.5
(0.256)
1.2 ± 0.1
(0.047)
2.54 ± 0.25
(0.1)
0.35 ± 0.25
(0.014)
1.0 ± 0.25
(0.039)
10.16 ± 0.3
(0.4)
0.35 ± 0.25
(0.014)
尺寸以毫米(英寸)
2
绝对最大额定值(T
A
= 25C)
贮藏温度,T
S
工作温度,T
A
无铅焊锡温度,最大。
(1.6毫米以下座位平面)
平均正向电流,I
F
反向输入电压,V
R
输入功率耗散,P
I
集电极电流,I
C
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
发射极 - 集电极电压V
ECO
集电极耗散功率
总功耗
隔离电压,V
ISO
(AC 1分钟,相对湿度= 40 %60% )
-55 ° C至+ 125°C
-30 ° C至+ 100°C
260 ℃下进行10秒
50毫安
6V
70毫瓦
50毫安
35 V
6V
150毫瓦
200毫瓦
5000 Vrms的
电气规格(T
A
= 25C)
参数
正向电压
反向电流
终端电容
集电极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极电流
*电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
响应时间(上升)
响应时间(秋季)
截止频率
绝缘电阻
杂散电容
* CTR =
I
C
x 100%
I
F
符号
V
F
I
R
C
t
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
CTR
V
CE ( SAT )
t
r
t
f
f
c
R
ISO
C
f
分钟。
35
6
2.5
50
5 x 10
10
典型值。
1.2
30
0.1
4
3
80
1 x 10
11
0.6
马克斯。
1.4
10
250
100
30
600
0.2
18
18
1.0
单位
V
A
pF
nA
V
V
mA
%
V
s
s
千赫
pF
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 4 V
V = 0中,f = 1千赫
V
CE
= 20 V
I
C
- 0.1毫安
I
E
= 10
A
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V,
R
BE
=
I
F
= 20 mA时,我
C
= 1毫安
V
CC
= 2 V,I
C
= 2毫安
R
L
= 100
V
CC
= 5 V,I
C
= 2毫安
R
L
= 100
,
-3分贝
直流500 V
4060 %相对湿度
V = 0中,f = 1 MHz的
军衔标志
L
A
B
C
D
CTR ( % )
50 ~ 100
80 ~ 160
130 ~ 260
200 ~ 400
300 ~ 600
条件
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V ,T
A
= 25°C
3
60
I
F
- 正向电流 - 毫安
P
C
- 集电极耗散功率 - 毫瓦
50
40
30
20
10
0
-30
V
CE (SAT )。
- 集电极 - 发射极
饱和电压 - V
200
6
T
A
= 25°C
5
4
3
2
1
0
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 3毫安
I
C
= 6毫安
I
C
= 7毫安
150
100
50
0
25
50
75
100
125
0
-30
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
I
F
- 正向电流 - 毫安
图1.正向电流与温度的关系。
图2.集电极耗散功率对比
温度。
图3.集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流。
CTR - 电流传输比 - %
I
C
- 集电极电流 - 毫安
500
I
F
- 正向电流 - 毫安
T
A
= 75°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -25°C
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
5
10
20
50
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
50
I
F
= 30毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25°C
P
C
( MAX 。 )
I
F
= 20毫安
20
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
30
10
0
I
F
- 正向电流 - 毫安
V
F
- 正向电压 - V
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4.正向电流与正向电压。
图5.电流传输比与正向
电流。
图6.集电极电流与集电极
发射极电压。
相对电流传输比 - %
I
首席执行官
- 集电极暗电流 - 一个
150
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V
100
V
CE (SAT )。
- 集电极 - 发射极
饱和电压 - V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-25
0
25
50
75
100
I
F
= 20毫安
I
C
= 1毫安
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
-25
V
CE
= 20 V
50
0
-30
0
25
50
75
100
0
25
50
75
100
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
图7.相对电流传输比主场迎战
温度。
图8.集电极 - 发射极饱和
电压与温度的关系。
图9.集电极暗电流与
温度。
4
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
tr
tf
td
ts
电压增益AV - 分贝
响应时间 - 微秒
V
CE
= 2 V
I
C
= 2毫安
T
A
= 25°C
0
V
CE
= 2 V
I
C
= 2毫安
T
A
= 25°C
10
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 100
20
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200 500
R
L
- 负载电阻 - kΩ的
的F - 频率 - 千赫
图10.响应时间和负载电阻。
图11.频率响应。
测试电路的响应时间
V
CC
测试电路的频率响应
V
CC
R
D
输入
R
L
产量
R
D
R
L
产量
~
输入
产量
10%
90%
td
tr
ts
tf
5
安捷伦HCPL- 817
光电晶体管光耦合器
高密度安装类型
数据表
描述
本HCPL- 817包含一个光
发光二极管的光耦合到
一个光电晶体管。它被包装在
一个4针DIP封装,可
在宽引线间距选项,
引脚弯曲SMD选项。输入输出
隔离电压为5000 V有效值。
响应时间,t
r
,一般为4
s
和最低CTR为输入50 %
电流为5毫安。
订购信息
指定型号后面
选项数(如果需要的话) 。
HCPL-817-XXX
期权数量
060
W00
300
500
00A
00B
00C
00D
00L
=
=
=
=
=
=
=
=
=
VDE0884选项
0.4"引线间隔选项
导致弯曲SMD选项
磁带和卷轴包装
选项
排名大关
等级标记B
等级标记C
等级标记d
等级线L
工作原理图
PIN NO 。和内部
接线图
4
3
特点
电流传输比
( CTR :分钟,我50 % 。
F
= 5毫安,
V
CE
= 5 V)
高输入输出隔离电压
(V
ISO
= 5000 Vrms的)
响应时间(t
r
:典型值4
s
at
V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100
)
紧凑型双列直插式封装
UL认证
CSA认证
= VDE认证
选项可供选择:
- 与0.4" (10.16 MM)信息
间距( W00 )
- 引线弯曲表面
安装(300)
- 磁带和卷轴的SMD ( 500 )
- VDE 0884认证( 060 )
应用
之间的信号传输
不同电位的电路和
阻抗
I / O计算机接口
反馈回路电源
概要
阳极
1
+
I
F
I
C
4
集热器
V
F
1
1.阳极
2.阴极
2
阴极
3.辐射源
4.收集
2
3
辐射源
注意事项:
据表示,正常的静电注意事项应采取的处理和组件的装配
防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
封装外形图
4.6 ± 0.5
(0.181)
4
类型编号
3
选项代码
对期权060
6.5 ± 0.5
(0.256)
2.8 ± 0.5
(0.110)
3.3 ± 0.5
(0.130)
0.5
典型值。
(0.02)
3.5 ± 0.5
(0.138)
7.62 ± 0.3
(0.3)
日期代码
一个817 V
YWW
1
2
PIN一个点
军衔标志
0.5 ± 0.1
(0.02)
尺寸以毫米(英寸)
2.54 ± 0.25
(0.1)
0.35 +0.15/-0.10
(0.014)
7.62 ~ 9.98
包装外形 - 选项W00
4.6 ± 0.5
(0.181)
7.62 ± 0.3
(0.3)
3.5 ± 0.5
(0.138)
6.5 ± 0.5
(0.256)
2.8 ± 0.5
(0.110)
0.5 ± 0.1
(0.02)
2.54 ± 0.25
(0.1)
尺寸以毫米(英寸)
2.3 ± 0.5
(0.09)
6.9 ± 0.5
(0.272)
0.35 +0.15/-0.10
(0.014)
10.16 ± 0.5
(0.4)
包装外形 - 选件300
4.6 ± 0.5
(0.181)
7.62 ± 0.3
(0.3)
3.5 ± 0.5
(0.138)
6.5 ± 0.5
(0.256)
1.2 ± 0.1
(0.047)
2.54 ± 0.25
(0.1)
0.35 ± 0.25
(0.014)
1.0 ± 0.25
(0.039)
10.16 ± 0.3
(0.4)
0.35 ± 0.25
(0.014)
尺寸以毫米(英寸)
2
绝对最大额定值(T
A
= 25C)
贮藏温度,T
S
工作温度,T
A
无铅焊锡温度,最大。
(1.6毫米以下座位平面)
平均正向电流,I
F
反向输入电压,V
R
输入功率耗散,P
I
集电极电流,I
C
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
发射极 - 集电极电压V
ECO
集电极耗散功率
总功耗
隔离电压,V
ISO
(AC 1分钟,相对湿度= 40 %60% )
-55 ° C至+ 125°C
-30 ° C至+ 100°C
260 ℃下进行10秒
50毫安
6V
70毫瓦
50毫安
35 V
6V
150毫瓦
200毫瓦
5000 Vrms的
电气规格(T
A
= 25C)
参数
正向电压
反向电流
终端电容
集电极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极电流
*电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
响应时间(上升)
响应时间(秋季)
截止频率
绝缘电阻
杂散电容
* CTR =
I
C
x 100%
I
F
符号
V
F
I
R
C
t
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
CTR
V
CE ( SAT )
t
r
t
f
f
c
R
ISO
C
f
分钟。
35
6
2.5
50
5 x 10
10
典型值。
1.2
30
0.1
4
3
80
1 x 10
11
0.6
马克斯。
1.4
10
250
100
30
600
0.2
18
18
1.0
单位
V
A
pF
nA
V
V
mA
%
V
s
s
千赫
pF
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 4 V
V = 0中,f = 1千赫
V
CE
= 20 V
I
C
- 0.1毫安
I
E
= 10
A
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V,
R
BE
=
I
F
= 20 mA时,我
C
= 1毫安
V
CC
= 2 V,I
C
= 2毫安
R
L
= 100
V
CC
= 5 V,I
C
= 2毫安
R
L
= 100
,
-3分贝
直流500 V
4060 %相对湿度
V = 0中,f = 1 MHz的
军衔标志
L
A
B
C
D
CTR ( % )
50 ~ 100
80 ~ 160
130 ~ 260
200 ~ 400
300 ~ 600
条件
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V ,T
A
= 25°C
3
60
I
F
- 正向电流 - 毫安
P
C
- 集电极耗散功率 - 毫瓦
50
40
30
20
10
0
-30
V
CE (SAT )。
- 集电极 - 发射极
饱和电压 - V
200
6
T
A
= 25°C
5
4
3
2
1
0
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 3毫安
I
C
= 6毫安
I
C
= 7毫安
150
100
50
0
25
50
75
100
125
0
-30
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
I
F
- 正向电流 - 毫安
图1.正向电流与温度的关系。
图2.集电极耗散功率对比
温度。
图3.集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流。
CTR - 电流传输比 - %
I
C
- 集电极电流 - 毫安
500
I
F
- 正向电流 - 毫安
T
A
= 75°C
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -25°C
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
5
10
20
50
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
50
I
F
= 30毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25°C
P
C
( MAX 。 )
I
F
= 20毫安
20
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
30
10
0
I
F
- 正向电流 - 毫安
V
F
- 正向电压 - V
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4.正向电流与正向电压。
图5.电流传输比与正向
电流。
图6.集电极电流与集电极
发射极电压。
相对电流传输比 - %
I
首席执行官
- 集电极暗电流 - 一个
150
I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V
100
V
CE (SAT )。
- 集电极 - 发射极
饱和电压 - V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-25
0
25
50
75
100
I
F
= 20毫安
I
C
= 1毫安
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
-25
V
CE
= 20 V
50
0
-30
0
25
50
75
100
0
25
50
75
100
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
图7.相对电流传输比主场迎战
温度。
图8.集电极 - 发射极饱和
电压与温度的关系。
图9.集电极暗电流与
温度。
4
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
tr
tf
td
ts
电压增益AV - 分贝
响应时间 - 微秒
V
CE
= 2 V
I
C
= 2毫安
T
A
= 25°C
0
V
CE
= 2 V
I
C
= 2毫安
T
A
= 25°C
10
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 100
20
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200 500
R
L
- 负载电阻 - kΩ的
的F - 频率 - 千赫
图10.响应时间和负载电阻。
图11.频率响应。
测试电路的响应时间
V
CC
测试电路的频率响应
V
CC
R
D
输入
R
L
产量
R
D
R
L
产量
~
输入
产量
10%
90%
td
tr
ts
tf
5
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