【安捷伦HCPL- 814AC输入光电晶体管光电耦合器高密度安装类型数据表特点AC输入响应高输入输出隔】,IC型号HCPL-814-060E,HCPL-814-060E PDF资料,HCPL-814-060E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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安捷伦HCPL- 814

AC输入光电晶体管

光电耦合器

高密度安装类型

数据表

特点

AC输入响应

高输入输出隔离电压

(V

ISO

= 5,000 V

RMS

)

低集电极暗电流

(I

首席执行官

： MAX 。 10

-7

一个在V

CE

= 20 V)

电流传输比

（ CTR ：分钟，我20 ％。

F

=

±

1毫安，

V

CE

= 5 V)

- 响应时间

(t

r

：典型值。 4

s

在V

CE

= 2 V，I

C

= 2毫安，

R

L

= 100

)

紧凑型双列直插式封装

UL认证

CSA认证

- IEC / EN / DIN EN 60747-5-2

批准

选项可供选择：

- 与0.4" （10.16 MM）信息

间距（ W00 ）

- 引线弯曲表面

安装（300）

- 磁带和卷轴的SMD （ 500 ）

- IEC / EN / DIN EN 60747-5-2

认证（ 060 ）

应用

检测或监测交流信号

AC线/数字逻辑隔离

可编程逻辑控制器

AC / DC - 输入模块

描述

本HCPL- 814包含一个

光电晶体管，光耦合

到两个发光二极管

连接反向并联。它可以

直接用AC输入操作

电流。它被装在一个4针

DIP封装，可用宽

引线间距选项和铅弯

SMD选项。输入输出隔离

电压为5000 V

RMS

。响应

时间t

r

，一般为4

s

和

最低CTR为输入20 ％

当前的

±

1毫安。

订购信息

指定型号后面

选项数（如果需要的话）。

HCPL-814-XXXE

无铅

期权数量

000 =无选项

060 = IEC / EN / DIN EN 60747-5-2

选项

W00 = 0.4"引线间隔选项

300 =引脚弯曲SMD选项

500 =卷带式包装

选项

00A =等级大关

工作原理图

1

4

2

3

1.阳极，阴极

2.阴极，阳极

3.辐射源

4.收集

注意事项：

据表示，正常的静电注意事项应采取的处理和组件的装配

防止损坏和/或降解可通过静电诱导。

封装外形图

HCPL-814-000E

4.6

±

0.5

(0.181)

7.62

±

0.3

(0.3)

日期代码* 1

无铅

阳极

A 814

WW

3.5

±

0.5

(0.138)

0.5 TYP 。

(0.02)

6.5

±

0.5

(0.256)

2.8

±

0.5

(0.110)

RANK * 2

3.3

±

0.5

(0.130)

0.5

±

0.1

(0.02)

2.54

±

0.25

(0.1)

0.26

(0.010)

7.62 ~ 9.98

尺寸以毫米（英寸）

HCPL-814-060E

4.6

±

0.5

(0.181)

7.62

±

0.3

(0.3)

日期代码* 1

无铅

阳极

一个814 V

WW

3.5

±

0.5

(0.138)

0.5 TYP 。

(0.02)

6.5

±

0.5

(0.256)

2.8

±

0.5

(0.110)

RANK * 2

3.3

±

0.5

(0.130)

0.5

±

0.1

(0.02)

2.54

±

0.25

(0.1)

0.26

(0.010)

7.62 ~ 9.98

尺寸以毫米（英寸）

HCPL-814-W00E

4.6

±

0.5

(0.181)

7.62

±

0.3

(0.3)

日期代码* 1

无铅

阳极

A 814

WW

3.5

±

0.5

(0.138)

2.3

±

0.5

(0.09)

6.9

±

0.5

(0.272)

6.5

±

0.5

(0.256)

2.8

±

0.5

(0.110)

RANK * 2

0.5

±

0.1

(0.02)

2.54

±

0.25

(0.1)

0.26

(0.010)

10.16

±

0.5

(0.4)

尺寸以毫米（英寸）

2

HCPL-814-300E

4.6

±

0.5

(0.181)

7.62

±

0.3

(0.3)

日期代码* 1

无铅

阳极

A 814

WW

3.5

±

0.5

(0.138)

6.5

±

0.5

(0.256)

1.2

±

0.1

(0.047)

2.54

±

0.25

(0.1)

0.35

±

0.25

(0.014)

1.0

±

0.25

(0.039)

10.16

±

0.3

(0.4)

0.26

(0.010)

RANK * 2

尺寸以毫米（英寸）

温度（℃）

焊锡溢流温度廓线

1 ）一次性回流焊接是

在推荐

温度的条件，

如右图所示的时间曲线。

2）当使用另一个焊接

方法，如红外线

灯中，温度可能升高

部分中的模

装置。保持温度在

内包装上的设备的

的上述（1）的条件。

30秒

250°C

217°C

200°C

260C （峰值温度）

150°C

60秒

25°C

60 150秒

90秒

时间（秒）

60秒

绝对最大额定值

参数

储存温度

工作环境温度

无铅焊锡温度为10秒

（1.6毫米以下座位平面）

平均正向电流

输入功率耗散

集电极电流

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

集电极耗散功率

总功耗

隔离电压

（AC 1分钟，相对湿度= 40 ％60％）

[1]

符号

T

S

T

A

T

SOL

I

F

P

I

I

C

V

首席执行官

V

ECO

P

C

P

合计

V

ISO

分钟。

–55

–30

马克斯。

125

100

260

±50

70

50

35

6

150

200

5000

单位

C

C

C

mA

mW

mA

V

V

mW

mW

V

RMS

3

电气规格（T

A

= 25C)

参数

正向电压

终端电容

集电极暗电流

符号

V

F

C

t

I

首席执行官

分钟。

–

–

–

35

6

0.2

20

–

5 x 10

10

–

15

–

–

典型值。

1.2

50

–

–

–

–

–

0.1

1 x 10

11

0.6

80

4

3

马克斯。

1.4

250

100

–

–

3

300

0.2

–

1

–

18

18

单位

V

pF

nA

V

V

mA

%

V

pF

千赫

s

s

测试条件

I

F

=

±20

mA

V = 0中，f = 1千赫

V

CE

= 20 V，I

F

= 0

I

C

= 0.1毫安，我

F

= 0

I

E

= 10

A,

I

F

= 0

I

F

=

±1

毫安，

V

CE

= 5 V

I

F

=

±20

妈，我

C

= 1毫安

直流500 V

4060 ％相对湿度

V = 0中，f = 1 MHz的

V

CE

= 5 V，I

C

= 2毫安

R

L

= 100

,

-3分贝

V

CE

= 2 V，I

C

= 2毫安，

R

L

= 100

集电极 - 发射极击穿电压BV

首席执行官

发射极 - 集电极击穿电压BV

ECO

集电极电流

I

C

电流传输比

[2]

集电极 - 发射极饱和电压

绝缘电阻

杂散电容

截止频率

响应时间（上升）

响应时间（秋季）

军衔标志

A

无标志

CTR （％）

50 ~ 150

20 ~ 300

CTR

V

CE （ SAT ）

R

ISO

C

f

f

c

t

r

t

f

条件

I

F

=

±1

毫安，

V

CE

= 5 V,

T

A

= 25C

注意事项：

1.隔离电压应采用以下方法来衡量：

（一）简短的阳极和阴极上的初级侧和集电极和发射极之间

在次级侧上。

（二）隔离电压测试仪具有零交叉电路，应使用。

（三）施加的电压的波形应当是正弦波。

I

2.

CTR =

C

x 100%

I

F

60

I

F

- 正向电流 - 毫安

P

C

- 集电极耗散功率 - 毫瓦

200

V

CE （SAT ）。

- 集电极 - 发射极

饱和电压 - V

6

T

A

= 25°C

5

4

3

2

1

0

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 3毫安

I

C

= 5毫安

I

C

= 7毫安

50

40

30

20

10

0

-30

150

100

50

0

25

50

75

100

125

0

-30

0

25

50

75

100

125

0

2.5

5.0

7.5

10.0

12.5

15.0

T

A

- 环境温度 - °C

T

A

- 环境温度 - °C

I

F

- 正向电流 - 毫安

图1.正向电流与温度的关系。

图2.集电极耗散功率对比

温度。

图3.集电极 - 发射极饱和电压

与正向电流。

4

CTR - 电流传输比 - ％

500

140

I

C

- 集电极电流 - 毫安

50

I

F

- 正向电流 - 毫安

200

100

50

20

10

5

2

1

0

T

A

= 75°C

T

A

= 50°C

T

A

= 25°C

120

100

80

60

40

20

V

CE

= 5 V

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

I

F

= 30毫安

T

A

= 0°C

T

A

= -25°C

40

P

C

（ MAX 。）

I

F

= 20毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 5毫安

30

20

10

I

F

= 1毫安

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0

0.1 0.2 0.5 1

2

5 10 20

50 100

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10

V

F

- 正向电压 - V

I

F

- 正向电流 - 毫安

V

CE

- 集电极 - 发射极电压 - V

图4.正向电流与正向电压。

图5.电流传输比与正向

电流。

图6.集电极电流与集电极

发射极电压。

相对电流传输比 - ％

I

首席执行官

- 集电极暗电流 - 一个

150

V

CE （SAT ）。

- 集电极 - 发射极

饱和电压 - V

0.10

I

F

= 5毫安

V

CE

= 5 V

10

-6

10

-7

10

-8

10

-9

10

-10

10

-11

10

-12

-30

I

F

= 20毫安

I

C

= 1毫安

0.08

100

0.06

0.04

50

0.02

0

-30

0

25

50

75

100

0

-30

0

20

40

60

80

100

0

20

40

60

80

100

T

A

- 环境温度 - °C

T

A

- 环境温度 - °C

T

A

- 环境温度 - °C

图7.相对电流传输比主场迎战

温度。

图8.集电极 - 发射极饱和

电压与温度的关系。

图9.集电极暗电流与

温度。

100

50

响应时间 - 微秒

V

CE

= 2 V

电压增益AV - 分贝

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

I

C

= 2毫安

T

A

= 25°C

t

r

t

f

t

d

t

s

0

V

CE

= 2 V

I

C

= 2毫安

T

A

= 25°C

R

L

= 10 k

-10

R

L

= 1 k

R

L

= 100

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10

-20

0.2

0.5 1 2

5 10

100

1000

R

L

- 负载电阻 - kΩ的

的F - 频率 - 千赫

图10.响应时间和负载电阻。

图11.频率响应。

5

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