0.4安培输出电流
IGBT门驱动光电耦合器
技术参数
HCPL-J314
特点
0.4最小峰值
输出电流
高速响应：
0.7
s最大。传播
延缓温度过高。范围
超高CMR ：最小。
10千伏/
在νs的
CM
= 1.5千伏
Bootstrappable供应
电流：最大。 3毫安
宽工作温度。
范围： -40
°
℃至100
°
C
WIDE
V
CC
经营范围：
10 V至30 V温度过高。
范围
可提供DIP8 （单人间）
和SO16 （双路）封装
安全认证： UL
认可， 3750 V
RMS
为
1分钟。 CSA认证
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
批准。 VIORM = 891 V
PEAK
描述
本HCPL- J314系列器件
组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个集成
电路具有功率输出级。
这些光电耦合器非常理想
适用于驱动功率IGBT
和用于马达的MOSFET
控制逆变器应用。该
的高工作电压范围
输出级提供的
所需的栅极驱动电压
控制的设备。电压
并通过该电流供给
光耦特性，非常
适用于直接驱动小
或中等功率IGBT 。为
的IGBT具有较高的收视率
HCPL- 3150 （ 0.5A ）或HCPL- 3120
（ 2.0A ）的光电耦合器都可以使用。
工作原理图
N / C
1
8
V
CC
V
O
V
O
V
EE
阳极
阴极
N / C
2
3
4
7
6
5
盾
HCPL-J314
真值表
LED
关闭
ON
V
O
低
高
应用
隔离式IGBT /功率
MOSFET栅极驱动器
交流和无刷直流电机
驱动器
逆变器设备
工业逆变器
开关模式电源
电源（SMPS ）
不间断电源
电源（UPS ）
A 0.1
F
旁路电容必须连接引脚V之间
CC
和V
EE
.
注意：建议在正常静止的预防措施，在处理这个组件和组装，以防止
破坏和/或降解可通过静电诱导。
2
选购指南
套餐类型
8引脚DIP （ 300密耳）
SO16
产品型号
HCPL-J314
HCPL-314J
信道数
1
2
订购信息
指定型号后面选号码（如果需要的话） 。
例如：
HCPL-J314#XXXX
没有选项=标准DIP封装， 50元管。
300 =鸥翼型表面贴装选项， 50％的管道。
500 =卷带式封装选项。
XXXE =无铅。
HCPL-314J#YYYY
没有选项= SO16封装。
500 =卷带式封装选项。
XXXE =无铅。
备注：符号“ ＃ ”用于现有产品的同时，自7月15日推出（新）产品
2001年和无铅选项将用“ - ”
3
HCPL- J314封装外形图
标准DIP封装
9.80 ± 0.25
(0.386 ± 0.010)
8
7
6
5
日期代码
7.62 ± 0.25
(0.300 ± 0.010)
6.35 ± 0.25
(0.250 ± 0.010)
HCPL-J314
YYWW
1
1.19 （ 0.047 ）最大。
2
3
4
1.78 （ 0.070 ）最大。
+ 0.076
0.254 - 0.051
+ 0.003)
(0.010 - 0.002)
5 ° TYP 。
3.56 ± 0.13
(0.140 ± 0.005)
4.70 （ 0.185 ）最大。
0.51 （ 0.020 ） MIN 。
2.92 （ 0.115 ） MIN 。
尺寸以毫米（英寸） 。
1.080 ± 0.320
(0.043 ± 0.013)
0.65 （ 0.025 ）最大。
2.54 ± 0.25
(0.100 ± 0.010)
注：浮突铅为0.5毫米（ 20密耳）最大。
鸥翼型表面贴装选件300
土地格局的建议
9.80 ± 0.25
(0.386 ± 0.010)
8
7
6
5
1.02 (0.040)
HCPL-J314
YYWW
6.350 ± 0.25
(0.250 ± 0.010)
10.9 (0.430)
模压
1
2
3
4
1.27 (0.050)
2.0 (0.080)
1.19
(0.047)
马克斯。
1.780
(0.070)
马克斯。
9.65 ± 0.25
(0.380 ± 0.010)
7.62 ± 0.25
(0.300 ± 0.010)
3.56 ± 0.13
(0.140 ± 0.005)
0.255 (0.075)
0.010 (0.003)
1.080 ± 0.320
(0.043 ± 0.013)
2.540
(0.100)
BSC
0.51 ± 0.130
(0.020 ± 0.005)
0.635 ± 0.25
(0.025 ± 0.010)
12 ° NOM 。
毫米（英寸）尺寸。
公差（除非另有规定ED ） ： XX.XX = 0.01
xx.xxx = 0.005
注：浮突铅为0.5毫米（ 20密耳）最大。
引脚共面性
最大： 0.102 （ 0.004 ）
4
焊锡溢流温度廓线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
法规信息
本HCPL- J314已经
批准通过以下
组织：
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
根据批准：
IEC 60747-5-2 ： 1997 + A1 ：2002
EN 60747-5-2 ： 2001 + A1 ：2002
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884
Teil 2 ） ：2003-01
UL
UL 1577认证下，
组件识别程序
高达V
ISO
= 3750 V
RMS
。文件
E55361.
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件CA
88324.
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
推荐无铅红外廓
时间内5℃的实际
峰值温度
20-40秒。
t
p
T
p
T
L
260 +0/-5 °C
217 °C
斜升
3°C /秒。 MAX 。
150 - 200 °C
温度
T
SMAX
T
SMIN
减速
6 ° C /秒。 MAX 。
t
s
预热
60至180秒。
25
吨25 ° C到峰值
时间
t
L
60至150秒。
注意事项：
的时间从25 ° C至峰值温度=最多8分钟。
T
SMAX
= 200℃ ，T
SMIN
= 150 °C
5
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘特性
描述
根据DIN VDE 0110 / 1.89 ，表1的安装分类网络阳离子
额定电源电压
≤
150 V
RMS
额定电源电压
≤
300 V
RMS
额定电源电压
≤
600 V
RMS
气候分类
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
最大工作绝缘电压
输入到输出的测试电压，方法B *
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试用
t
m
= 1秒，局部放电< 5件
输入到输出的测试电压，方法a *
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品检验，t
m
= 60秒，
局部放电< 5件
最高允许过压
（暂态过电压吨
INI
= 10秒）
安全限定值 - 在允许的最大值
事件发生故障。
外壳温度
输入电流**
输出功率**
在T绝缘电阻
S
, V
IO
= 500 V
V
IORM
V
PR
符号
特征
I - IV
I - III
I-II
55/100/21
2
891
1670
V
PEAK
V
PEAK
单位
V
PR
V
IOTM
1336
6000
V
PEAK
V
PEAK
T
S
I
S， INPUT
P
S，输出
R
S
175
400
1200
>10
9
°C
mA
mW
*请参阅隔离和控制组件设计的目录的光耦部分，在产品安全条例
部， IEC / EN / DIN EN 60747-5-2对于方法a的详细描述和b法局部放电试验的配置文件。
**请参考以下连接gure为P的依赖
S
我
S
在室温下进行。
输出功率 - P
S
，输入电流 - 我
S
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
P
S
（ mW）的
I
S
（MA ）
T
S
- 外壳温度 - °C
0.4安培输出电流
IGBT门驱动光电耦合器
技术参数
HCPL-314J
特点
0.4最小峰值
输出电流
高速响应：
0.7
s最大。传播
延缓温度过高。范围
超高CMR ：最小。
10千伏/
在νs的
CM
= 1.5千伏
Bootstrappable供应
电流：最大。 3毫安
宽工作温度。
范围： -40
°
℃至100
°
C
WIDE
V
CC
经营范围：
10 V至30 V温度过高。
范围
可提供DIP8 （单人间）
和SO16 （双路）封装
安全认证： UL
认可， 3750 V
RMS
为
1分钟。 CSA认证。
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
审批VIORM = 891 V
PEAK
工作原理图
描述
本HCPL- 314J系列器件
组成的AlGaAs LED的
光学耦合到一个集成
电路具有功率输出级。
这些光电耦合器非常理想
适用于驱动功率IGBT
和用于马达的MOSFET
控制逆变器应用。该
的高工作电压范围
输出级提供的
所需的栅极驱动电压
控制的设备。电压
并通过该电流供给
光耦特性，非常
适用于直接驱动小
或中等功率IGBT 。为
的IGBT具有较高的收视率
HCPL- 3150 （ 0.5A ）或HCPL- 3120
（ 2.0A ）的光电耦合器都可以使用。
N / C
阳极
阴极
1
2
3
盾
16 V
CC
15 V
O
14 V
EE
阳极
阴极
N / C
6
7
8
盾
11 V
CC
10 V
O
9
V
EE
HCPL-314J
真值表
LED
关闭
ON
V
O
低
高
应用
隔离式IGBT /功率
MOSFET栅极驱动器
交流和无刷直流电机
驱动器
逆变器设备
工业逆变器
开关模式电源
电源（SMPS ）
不间断电源
电源（UPS ）
A 0.1
F
旁路电容必须连接引脚V之间
CC
和V
EE
.
注意：建议在正常静止的预防措施，在处理这个组件和组装，以防止
破坏和/或降解可通过静电诱导。
2
选购指南
套餐类型
SO16
产品型号
HCPL-314J
信道数
2
订购信息
指定型号后面选号码（如果需要的话）
例如：
HCPL-314J#YYYY
没有选项= SO16封装。
500 =卷带式封装选项。
XXXE =无铅
备注：符号“ ＃ ”用于现有产品的同时，自2001年7月15日推出（新）产品和无铅选项将用“ - ”
封装外形图
HCPL- 314J SO16封装：
土地格局的建议
顶视图
16 15 14
GND
1
V
CC1
V
O1
11 10
V
CC2
V
O2
9
GND
2
8.76 ± 0.20
(0.345 ± 0.008)
V
IN1
HCPL-314J
7.49 ± 0.10
(0.295 ± 0.004)
11.63 (0.458)
V
IN2
NC
1
2
3
6
7
NC
V
1
V
2
8
2.16 (0.085)
0.64 (0.025)
0.10 - 0.30
(0.004 - 0.0118)
STANDOFF
意见
从
PIN码16
9°
0.64
（ 0.025 MIN 。 ）
意见
从
销1
3.51 ± 0.13
(0.138 ± 0.005)
10.36 ± 0.20
(0.408 ± 0.008)
0.23
(0.0091)
8.76 ± 0.20
(0.345 ± 0.008)
0 - 8°
1.27
0.457
(0.050)
(0.018)
0.016 ± 0.0003
(0.406 ± 0.007)
所有引线共面±0.05毫米（ 0.002英寸） 。
尺寸以毫米（英寸） 。
注：浮动引脚突出为0.25毫米（ 10密耳） MAX 。
3
回流焊温度曲线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
法规信息
本HCPL- 314J已
批准通过以下
组织：
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
根据批准：
IEC 60747-5-2 ： 1997 + A1 ：2002
EN 60747-5-2 ： 2001 + A1 ：2002
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884
Teil 2 ） ：2003-01 。
UL
UL 1577认证下，
组件识别程序
高达V
ISO
= 3750 V
RMS
。文件
E55361.
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件CA
88324.
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
推荐无铅红外廓
t
p
T
p
T
L
260 +0/-5 °C
217 °C
斜升
3°C /秒。 MAX 。
150 - 200 °C
减速
6 ° C /秒。 MAX 。
时间内5℃的实际
峰值温度
20-40秒。
温度
T
SMAX
T
SMIN
t
s
预热
60至180秒。
25
吨25 ° C到峰值
t
L
60至150秒。
时间
注意事项：
的时间从25 ° C至峰值温度=最多8分钟。
T
SMAX
= 200℃ ，T
SMIN
= 150 °C
4
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘特性
描述
根据DIN VDE 0110 / 1.89 ，表1的安装分类网络阳离子
额定电源电压
≤
150 V
RMS
额定电源电压
≤
300 V
RMS
额定电源电压
≤
600 V
RMS
气候分类
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
最大工作绝缘电压
输入到输出的测试电压，方法B *
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试用
t
m
= 1秒，局部放电< 5件
输入到输出的测试电压，方法a *
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品检验，t
m
= 60秒，
局部放电< 5件
最高允许过压
（暂态过电压吨
INI
= 10秒）
安全限定值 - 在允许的最大值
事件发生故障。
外壳温度
输入电流**
输出功率**
在T绝缘电阻
S
, V
IO
= 500 V
V
IORM
V
PR
符号
特征
I - IV
I - III
I-II
55/100/21
2
891
1670
V
PEAK
V
PEAK
单位
V
PR
V
IOTM
1336
6000
V
PEAK
V
PEAK
T
S
I
S， INPUT
P
S，输出
R
S
175
400
1200
>10
9
°C
mA
mW
*请参阅隔离和控制组件设计的目录的光耦部分，在产品安全条例
部， IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 ，对于方法a的详细描述和b法局部放电试验的配置文件。
**请参考以下连接gure为P的依赖
S
我
S
在室温下进行。
输出功率 - P
S
，输入电流 - 我
S
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
P
S
（ mW）的
I
S
（MA ）
T
S
- 外壳温度 - °C
5
绝缘和安全相关规范
参数
最小外部气隙
（间隙）
最少的外部跟踪
（爬）
最小内部塑料峡
（游隙）
符号
L(101)
HCPL-314J
8.3
单位
mm
条件
从输入端测得的
至输出端，最短
空中距离过。
从输入端测得的
至输出端，最短
距离路沿身体。
穿通绝缘距离
导线的导体，通常
的直线距离
发射极之间的厚度
和检测器。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团（ DIN VDE
0110 ， 1/89 ，表1）
L(102)
8.3
mm
0.5
mm
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
CTI
>175
IIIa受体
V
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
平均输入电流
峰值瞬态输入电流（ <1
s
脉冲
宽度， 300pps ）
反向输入电压
“高”峰值输出电流
“低”峰值输出电流
电源电压
输出电压
输出功率耗散
输入功率耗散
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
符号
T
S
T
A
I
F（ AVG）
I
F（ TRAN ）
V
R
I
OH （峰值）
I
OL （峰值）
V
CC
-V
EE
V
O（峰）
P
O
P
I
-0.5
-0.5
分钟。
-55
-40
马克斯。
125
100
25
1.0
3
0.6
0.6
35
V
CC
260
105
单位
°C
°C
mA
A
V
A
A
V
V
mW
mW
3
4
2
2
1
记
260 ℃，持续10秒。 ，1.6毫米以下飞机座位
SEE
封装外形图
部分
推荐工作条件
参数
电源
输入电流（ ON）的
输入电压（OFF）的
工作温度
符号
V
CC
-V
EE
I
F（上）
V
F（关闭）
T
A
分钟。
10
8
-3.0
- 40
马克斯。
30
12
0.8
100
单位
V
mA
V
°C
记
QQ：2880707522 复制
