HCPL-0738
高速CMOS光电耦合器
数据表“
铅（Pb ）免费
RoHS指令6全
柔顺
符合RoHS 6提供完全符合的选项;
-xxxE表示无铅产品
描述
本HCPL - 0738是一款双通道15 MBd的CMOS
光电耦合器，采用SOIC - 8封装。本HCPL- 0738
光电耦合器采用了最新的CMOS芯片技
术实现了独立的性能具有非常低的
功耗。 HCPL- 0738的基本构建块
是高速LED和CMOS检测器芯片。 Avago同时也
提供在ver-单通道相同的性能
锡永， HCPL- 0708 。每个检测器集成了一个集成的
光电二极管，高速跨阻放大器，以及
电压比较器具有一个输出驱动器。
特点
15纳秒典型的脉冲宽度失真
40 ns的最大传播延迟偏差
20 ns的典型传播延迟
高速： 15兆位
+ 5 V CMOS兼容
10 KV / μs的最小共模抑制
-40 ℃100℃的温度范围内
安全和法规认证
- UL认证（ 3750 V均方根值，符合UL 1分钟
1577)
- CSA元件验收通知＃ 5 。
- IEC / EN / DIN EN 60747-5-2批准HCPL- 0738
选件060
应用
PDP（等离子显示面板）
数字现场总线隔离：的DeviceNet ， SDS ，PROFIBUS
复用的数据传输
计算机外设接口
微处理器系统接口
DC / DC转换器
工作原理图
阳极1
1
8
V
DD
V
O
1
阴极1
2
7
阴极2
3
6
V
O
2
阳极2
4
5
GND
真值表
LED
OFF“
ON
真值表
V
O
，输出
LED
关闭
ON
V
O
，输出
H
H
L
L
注： 0.1 μF旁路电容必须CON组
销5和8之间连接的。
注意事项：
据表示，正常的静电注意事项应采取的处理和组件的装配
防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
订购信息
HCPL- 0738是UL认可与3750 Vrms的每UL1577 1分钟。
选项
产品型号
HCPL-0738
RoHS指令
柔顺
-000E
-500E
-060E
不符合RoHS
柔顺
无选项
-500
-060
SO-8
表面鸥胶带UL 5000 Vrms的/
包山永&卷1分钟评级
X
X
X
X
X
IEC / EN / DIN
EN 60747-5-2数量
100 per tube
1500 per reel
100 per tube
如需订购，请从零件号列中的零件编号，结合从了选购所需的选项
灰柱，以形成一个订单输入。
实施例1：
HCPL- 0738-500E在磁带和卷轴包装符合RoHS标准订购小外形SO- 8封装的产品。
实施例2：
HCPL- 0738在软管包装和非RoHS标准订购小外形SO- 8封装的产品。
选择数据表可用。请联系您的安华高的销售代表或授权分销商的信息。
选购指南
小外形SO- 8
HCPL-0738
封装外形图
HCPL- 0738外形图（小外形SO - 8封装）
土地格局的建议
8
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
销1
一
0.405 ± 0.076
(0.015 ± 0.003)
7
6
XXX
YWW
5
5.994 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
类型编号
（后3位）
7.49 (0.295)
2
3
4
1.270
BSC
(0.050)
日期代码
1.9 (0.075)
0.64 (0.025)
7°
45° x 0.432
(0.017)
*5.080 ± 0.127
(0.205 ± 0.005)
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
1.524
(0.060)
0 - 7°
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
0.202 ± 0.102
(0.008 ± 0.004)
0.305
分钟。
(0.012)
*总包长（毛边融合型）
5.207 ± 0.254 (0.205 ± 0.010)
尺寸以毫米（英寸） 。
引脚共面性= 0.10毫米（ 0.004英寸）最大。
注：浮动引脚突出为0.15毫米（ 6密耳） MAX 。
焊锡溢流温度廓线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
温度（℃）
200
160°C
150°C
140°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
30
美国证券交易委员会。
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
注：非卤化物助焊剂应使用。
推荐无铅红外廓
时间内5℃的实际
峰值温度
20-40秒。
t
p
T
p
T
L
温度
260 +0/-5 °C
217 °C
斜升
3°C /秒。 MAX 。
150 - 200 °C
T
SMAX
T
SMIN
减速
6 ° C /秒。 MAX 。
t
s
预热
60至180秒。
25
t
L
60至150秒。
吨25 ° C到峰值
时间
注意事项：
的时间从25 ° C至峰值温度=最多8分钟。
T
SMAX
= 200℃ ，T
SMIN
= 150 °C
注：非卤化物助焊剂应使用。
3
法规信息
本HCPL- 0738已经
批准通过以下
组织：
UL
UL 1577所承认，
组件识别程序，
文件E55361 。
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件
CA88324.
IEC / EN / DIN EN 60747-5-2
根据批准：
IEC 60747-5-2 ： 1997 + A1 ：2002
EN 60747-5-2 ： 2001 + A1 ：2002
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 Teil 2 ） ：2003-01
（选件060只）
价值
.9
.8
0.08
≥ 175
IIIa受体
单位
mm
mm
mm
Volts
条件
从输入端至输出端测得
通过空气的最短距离。
从输入端至输出端测得
最短距离路径沿着身体。
发射器与检测器之间的绝缘厚度;还
被称为穿通绝缘距离。
DIN IEC 11/VDE 0303 Part 1
Material Group (DIN VDE 0110, 1/89, Table 1)
焊料之间的印刷电路板的表面
的输入和输出引线的鱼片必须加以考虑。
有诸如凹槽推荐技术
并且肋可在印刷电路板用
要达到理想的爬电距离和电气间隙。爬电距离
并根据间隙距离也将改变
因素，如污染程度和绝缘水平。
绝缘和安全相关规范（审批申请中）
参数
最小外部气隙
（间隙）
最少的外部跟踪
（爬）
最小内部塑料峡
（游隙）
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
符号
L(I01)
L(I0)
CTI
所有Avago的数据表报告的爬电距离和电气间隙
固有的光耦元件本身。这些
尺寸是根据需要作为起点为多功能数码
确定电路的绝缘换货时，设计师
要求。然而，一旦安装在一个印刷
电路板，最小爬电距离和电气间隙要求一
指定单个设备ments必须满足
标准。为漏电，最短距离的路径沿
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
电源电压
输出电压
平均正向电流输入
平均输出电流
无铅焊锡温度
回流焊温度曲线
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
输入电流（ ON）的
符号
T
S
T
A
V
DD
V
O
I
F
I
O
最低
–55
–0
0
–0.5
—
—
最大
15
100
6.0
V
DD
+ 0.5
0
单位
C
C
伏
伏
mA
mA
60C for 10 seconds, 1.6 mm below seating plane
见回流焊温度曲线段
符号
T
A
V
DD
I
F
最低
–0
.5
10
最大
100
5.5
16
单位
C
V
mA
电气规格
在推荐的温度（T
A
= –0C to +100C) and .5 V ≤ V
DD
≤ 5.5 V.
所有典型规格在T
A
= 5C, V
DD
= +5 V.
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
输入正向电压
V
F
1.3
1.5
1.8
输入反向击穿
电压
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
输入阈值电流
逻辑低输出电源
当前
逻辑高电平输出电源
当前
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
5
.0
5
0.01
.5
10
8
0.1
8.
18.0
15.0
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 1 mA
I
R
= 10 A
I
F
= 0, I
O
= –0 A
I
F
= 1 mA, I
O
= 0 A
I
OL
= 0 A
I
F
= 1 mA
I
F
= 0 mA
图。
1
笔记
3
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= –0C to +100C) and .5 V ≤ V
DD
≤ 5.5 V.
所有典型规格在T
A
= 5C, V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10% – 90%)
输出下降时间
(90% – 10%)
共模瞬变
免疫力为逻辑高电平输出
共模瞬变
免疫力在逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
分钟。
0
11
100
0
10
10
典型值。
35
0
15
0
5
15
15
马克斯。
60
60
30
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
I
F
= 1 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
I
F
= 1 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
I
F
= 0 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
I
F
= 1 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V, T
A
= 5C,
I
F
= 0 mA
V
CM
= 1000 V, T
A
= 5C,
I
F
= 1 mA
5
5
3
测试条件
I
F
= 1 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
I
F
= 1 mA, C
L
= 15 pF
CMOS信号电平
图。
5
5
笔记
1
1
5
QQ：2880707522 复制
