安捷伦HCPL- 0708
高速
CMOS光电耦合器
数据表
特点
+5 V CMOS兼容
15纳秒典型的脉冲宽度失真
描述
可在SO- 8封装，
HCPL- 0708光电耦合器采用了
最新的CMOS芯片技术
实现卓越的性能
具有非常低的功耗。
在HCPL-的基本构建块
30 ns（最大值） 。脉宽失真
40 ns（最大值） 。传播延迟
SKEW
高速： 15兆位
60 ns（最大值） 。传播延迟
10 KV / μs的最小共模
拒绝
-40 ℃100℃的温度范围内
安全和法规认证
PENDING
UL认证
2500 V有效值，持续1分钟。每
UL 1577为HCPL- 0708
- CSA元器件验收
通知＃ 5
- VDE 0884 （ TUV ）批准
HCPL- 0708选件060
应用
在PDP扫描驱动器
数字现场总线隔离：
的DeviceNet ， SDS ，PROFIBUS
复用的数据传输
计算机外设接口
微处理器系统接口
DC / DC转换器
0708顷高速LED和
CMOS检测器芯片。该探测器
采用集成
光电二极管，一个高速反
阻抗放大器，和一个电压
比较器的输出驱动器。
工作原理图
NC
1
8
V
DD
阳极
2
7
NC
阴极
3
6
V
O
NC
4
5
GND
真值表
LED
关闭
ON
V
O
，输出
H
L
*A 0.1
F
旁路电容
必须在连
销5和8 。
注意事项：
据表示，正常的静电注意事项应采取的处理，这和组装
部件，以防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
订购信息
指定型号后面选号码（如果需要的话）
例子
HCPL-0708#XXX
060 = VDE0884选项。
500 =卷带式封装选项。
封装外形图
HCPL- 0708 （小外形SO - 8封装）
8
7
6
XXX
YWW
5
5.842 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
类型编号（后3位）
2
3
4
1.270 BSG
(0.050)
日期代码
销1
一
0.381 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
5.080 ± 0.005
(0.200 ± 0.005)
7°
45° X 0.432
(0.017)
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
1.524
(0.060)
0.152 ± 0.051
(0.006 ± 0.002)
0.305
分钟。
(0.012)
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
尺寸以毫米（英寸） 。
铅的共面性= 0.10毫米（ 0.004英寸） 。
*选件500没有标明。
2
回流焊温度曲线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
法规信息
本HCPL- 0708已经
批准通过以下
组织：
UL
UL 1577所承认，
组件识别程序，
文件E55361 。
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件
CA88324.
VDE
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，
文件6591-23-4880-1005 。
TUV
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，证书
R9650938.
绝缘和安全相关规范
参数
最少的外部空气
间隙（间隙）
最少的外部
跟踪（漏电）
最小内部塑料
间隙（游隙）
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
所有安捷伦数据表报告
爬电距离和电气间隙的内在
到光耦元件
本身。这些尺寸
需要为起点的
设备设计时，
确定电路的绝缘
要求。然而，一旦
安装在印刷电路上
3
符号
L(I01)
L(I02)
价值
4.9
4.8
0.08
单位
mm
mm
mm
条件
输入端至输出端测得
终端，通过空气的最短距离。
输入端至输出端测得
码头，沿车身最短距离路径。
发射极之间的绝缘厚度
检测器;也称为距离通
绝缘。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
CTI
≥175
伏
IIIa受体
材料集团（ DIN VDE 0110 ， 1/89 ，表1）
有推荐
如沟槽技术和
肋可在使用
印刷电路板，以实现
所需的爬电距离和电气间隙。
爬电距离和电气间隙
根据也将改变
因素，如污染程度
和绝缘水平。
板，最小爬电距离和
间隙要求必须是
作为指定的个别会面
设备标准。为
爬电距离，最短距离
沿着一个表面的路径
之间的印刷电路板
输入的钎料焊脚和
输出引线必须加以考虑。
VDE 0884绝缘相关特性（选件060 ）
描述
根据DIN VDE 0110 / 1.89 ，表1的安装分类网络阳离子
额定电源电压
≤150
V有效值
额定电源电压
≤300
V有效值
额定电源电压
≤450
V有效值
气候分类
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
最大工作绝缘电压
输入到输出的测试电压，方法B
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产
采用t检验
m
= 1秒，局部放电< 5件
输入到输出的测试电压，方法a
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试，
t
m
= 60秒，局部放电< 5件
最高允许过压
（暂态过电压，T
INI
= 10秒）
安全限制值
（在故障的情况下允许的最大值，
也看到热降额曲线，图11）。
外壳温度
输入电流
输出功率
在T绝缘电阻
S
, V
10
= 500 V
符号
HCPL- 0708选件060
Ⅰ-Ⅳ
I-III
55/85/21
2
560
1050
单位
V
IORM
V
PR
V峰值
V峰值
V
PR
840
V峰值
V
IOTM
4000
V峰值
T
S
I
S， INPUT
P
S，输出
R
IO
150
150
600
≥10
9
°C
mA
mW
参照的光耦合器部的前
隔离和控制组件设计的目录，
在产品安全规例第
（VDE 0884 ） ，进行了详细的描述。
注意：这些光电耦合器非常适合于“安全电气隔离”只在安全极限的数据。安全性数据的维护应
通过保护电路的手段保证。
注：表面贴装分类为A类符合CECC 00802 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
[1]
电源电压
输出电压
平均输出电流
平均正向电流输入
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
符号
T
S
T
A
V
DD
V
O
I
O
I
F
马克斯。
单位
125
°C
+100
°C
6
伏
V
DD2
+0.5
伏
2
mA
20
mA
260 ℃，持续10秒。 ，1.6毫米以下飞机座位
SEE
焊锡溢流温度廓线
部分
分钟。
–55
–40
0
–0.5
科幻gure
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
输入电流（ ON）的
4
符号
T
A
V
DD
I
F
分钟。
–40
4.5
10
马克斯。
+100
5.5
16
单位
°C
V
mA
科幻gure
1, 2
电气规格
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
电压
逻辑低输出
电压
输入阈值电流
逻辑低输出
电源电流
逻辑高电平输出。
电源电流
符号
V
F
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
分钟。
1.3
5
4.0
4.8
0.01
0.1
8.2
14.0
11.0
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 12毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 0, I
O
= –20
A
I
F
= 12 mA时，我
O
= 20
A
I
OL
= 20
A
I
F
= 12毫安
I
F
= 0
2
4
3
图。
1
笔记
6.0
4.5
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10 - 90%)
输出下降时间
(90 - 10%)
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高电平输出。
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
10
20
25
15
分钟。
20
13
100
0
典型值。
35
21
马克斯。
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
测试条件
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 12毫安
图。
5
5
笔记
1
1
14
30
40
2
3
2
3
4
4
|厘米
L
|
10
15
KV / μs的
5
5
5
安捷伦HCPL- 0708
高速
CMOS光电耦合器
数据表
特点
+5 V CMOS兼容
15纳秒典型的脉冲宽度失真
描述
可在SO- 8封装，
HCPL- 0708光电耦合器采用了
最新的CMOS芯片技术
实现卓越的性能
具有非常低的功耗。
在HCPL-的基本构建块
30 ns（最大值） 。脉宽失真
40 ns（最大值） 。传播延迟
SKEW
高速： 15兆位
60 ns（最大值） 。传播延迟
10 KV / μs的最小共模
拒绝
-40 ℃100℃的温度范围内
安全和法规认证
PENDING
UL认证
2500 V有效值，持续1分钟。每
UL 1577为HCPL- 0708
- CSA元器件验收
通知＃ 5
- VDE 0884 （ TUV ）批准
HCPL- 0708选件060
应用
在PDP扫描驱动器
数字现场总线隔离：
的DeviceNet ， SDS ，PROFIBUS
复用的数据传输
计算机外设接口
微处理器系统接口
DC / DC转换器
0708顷高速LED和
CMOS检测器芯片。该探测器
采用集成
光电二极管，一个高速反
阻抗放大器，和一个电压
比较器的输出驱动器。
工作原理图
NC
1
8
V
DD
阳极
2
7
NC
阴极
3
6
V
O
NC
4
5
GND
真值表
LED
关闭
ON
V
O
，输出
H
L
*A 0.1
F
旁路电容
必须在连
销5和8 。
注意事项：
据表示，正常的静电注意事项应采取的处理，这和组装
部件，以防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
订购信息
指定型号后面选号码（如果需要的话）
例子
HCPL-0708#XXX
060 = VDE0884选项。
500 =卷带式封装选项。
封装外形图
HCPL- 0708 （小外形SO - 8封装）
8
7
6
XXX
YWW
5
5.842 ± 0.203
(0.236 ± 0.008)
3.937 ± 0.127
(0.155 ± 0.005)
类型编号（后3位）
2
3
4
1.270 BSG
(0.050)
日期代码
销1
一
0.381 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
5.080 ± 0.005
(0.200 ± 0.005)
7°
45° X 0.432
(0.017)
3.175 ± 0.127
(0.125 ± 0.005)
1.524
(0.060)
0.152 ± 0.051
(0.006 ± 0.002)
0.305
分钟。
(0.012)
0.228 ± 0.025
(0.009 ± 0.001)
尺寸以毫米（英寸） 。
铅的共面性= 0.10毫米（ 0.004英寸） 。
*选件500没有标明。
2
回流焊温度曲线
300
- 预热速率3℃ + 1 ℃/ -0.5 ° C /秒。
流加热速率2.5 ° C± 0.5°C /秒。
PEAK
温度。
245°C
PEAK
温度。
240°C
PEAK
温度。
230°C
2.5 ° C± 0.5°C /秒。
160°C
150°C
140°C
3°C + 1°C/–0.5°C
30
美国证券交易委员会。
30
美国证券交易委员会。
焊接
时间
200°C
温度（℃）
200
100
预热时间
150 ° C， 90 + 30秒。
50秒。
紧
典型
LOOSE
房间
温度
0
0
50
100
150
200
250
时间（秒）
法规信息
本HCPL- 0708已经
批准通过以下
组织：
UL
UL 1577所承认，
组件识别程序，
文件E55361 。
CSA
根据CSA元器件批准
验收通知＃ 5 ，文件
CA88324.
VDE
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，
文件6591-23-4880-1005 。
TUV
按照批准
VDE 0884 / 06.92 ，证书
R9650938.
绝缘和安全相关规范
参数
最少的外部空气
间隙（间隙）
最少的外部
跟踪（漏电）
最小内部塑料
间隙（游隙）
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
隔离组
所有安捷伦数据表报告
爬电距离和电气间隙的内在
到光耦元件
本身。这些尺寸
需要为起点的
设备设计时，
确定电路的绝缘
要求。然而，一旦
安装在印刷电路上
3
符号
L(I01)
L(I02)
价值
4.9
4.8
0.08
单位
mm
mm
mm
条件
输入端至输出端测得
终端，通过空气的最短距离。
输入端至输出端测得
码头，沿车身最短距离路径。
发射极之间的绝缘厚度
检测器;也称为距离通
绝缘。
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
CTI
≥175
伏
IIIa受体
材料集团（ DIN VDE 0110 ， 1/89 ，表1）
有推荐
如沟槽技术和
肋可在使用
印刷电路板，以实现
所需的爬电距离和电气间隙。
爬电距离和电气间隙
根据也将改变
因素，如污染程度
和绝缘水平。
板，最小爬电距离和
间隙要求必须是
作为指定的个别会面
设备标准。为
爬电距离，最短距离
沿着一个表面的路径
之间的印刷电路板
输入的钎料焊脚和
输出引线必须加以考虑。
VDE 0884绝缘相关特性（选件060 ）
描述
根据DIN VDE 0110 / 1.89 ，表1的安装分类网络阳离子
额定电源电压
≤150
V有效值
额定电源电压
≤300
V有效值
额定电源电压
≤450
V有效值
气候分类
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
最大工作绝缘电压
输入到输出的测试电压，方法B
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产
采用t检验
m
= 1秒，局部放电< 5件
输入到输出的测试电压，方法a
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试，
t
m
= 60秒，局部放电< 5件
最高允许过压
（暂态过电压，T
INI
= 10秒）
安全限制值
（在故障的情况下允许的最大值，
也看到热降额曲线，图11）。
外壳温度
输入电流
输出功率
在T绝缘电阻
S
, V
10
= 500 V
符号
HCPL- 0708选件060
Ⅰ-Ⅳ
I-III
55/85/21
2
560
1050
单位
V
IORM
V
PR
V峰值
V峰值
V
PR
840
V峰值
V
IOTM
4000
V峰值
T
S
I
S， INPUT
P
S，输出
R
IO
150
150
600
≥10
9
°C
mA
mW
参照的光耦合器部的前
隔离和控制组件设计的目录，
在产品安全规例第
（VDE 0884 ） ，进行了详细的描述。
注意：这些光电耦合器非常适合于“安全电气隔离”只在安全极限的数据。安全性数据的维护应
通过保护电路的手段保证。
注：表面贴装分类为A类符合CECC 00802 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
[1]
电源电压
输出电压
平均输出电流
平均正向电流输入
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度廓线
符号
T
S
T
A
V
DD
V
O
I
O
I
F
马克斯。
单位
125
°C
+100
°C
6
伏
V
DD2
+0.5
伏
2
mA
20
mA
260 ℃，持续10秒。 ，1.6毫米以下飞机座位
SEE
焊锡溢流温度廓线
部分
分钟。
–55
–40
0
–0.5
科幻gure
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
输入电流（ ON）的
4
符号
T
A
V
DD
I
F
分钟。
–40
4.5
10
马克斯。
+100
5.5
16
单位
°C
V
mA
科幻gure
1, 2
电气规格
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
输入正向电压
输入反向
击穿电压
逻辑高电平输出。
电压
逻辑低输出
电压
输入阈值电流
逻辑低输出
电源电流
逻辑高电平输出。
电源电流
符号
V
F
BV
R
V
OH
V
OL
I
TH
I
DDL
I
DDH
分钟。
1.3
5
4.0
4.8
0.01
0.1
8.2
14.0
11.0
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
测试条件
I
F
= 12毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 0, I
O
= –20
A
I
F
= 12 mA时，我
O
= 20
A
I
OL
= 20
A
I
F
= 12毫安
I
F
= 0
2
4
3
图。
1
笔记
6.0
4.5
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 100 ° C）和4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= 25 ° C，V
DD
= +5 V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间
(10 - 90%)
输出下降时间
(90 - 10%)
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高电平输出。
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低输出
符号
t
PHL
t
PLH
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
|厘米
H
|
10
20
25
15
分钟。
20
13
100
0
典型值。
35
21
马克斯。
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
测试条件
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
I
F
= 12毫安，C
L
= 15 pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 12毫安
图。
5
5
笔记
1
1
14
30
40
2
3
2
3
4
4
|厘米
L
|
10
15
KV / μs的
5
5
5
QQ：2880707522 复制
