汕头华汕电子器件有限公司
硅
控制
整流器器
对应½外型号
BT152-600
HCP16C60
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值
(T
j
=25℃)
T
英镑
——贮存温度 …………………………………………………
-40~150℃
T
j
——结温 …………………………………………………………-40~125℃
V
DRM
——重复峰值断态电压
…………………………………………600V
█ 外½图及引脚排列
I
T
(
RMS
) - RMS通态电流(均方值) .................................... 16A
I
T( AV )
——平均通态电流(半正弦波,T
C
=102℃)…………………… 13A
I
TSM
——浪涌通态电流(1/2 周期,60H
Z,
正弦波,不重复) ……………
220A
V
RGM
—反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
I
FGM
——正向峰值门极电流 …………………………………………5.0A
P
GM
——峰值门极功耗……………………………………………………20W
█ 电参数
(T
c
=25℃)
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 ½
测
试
条
件
I
DRM
重复峰值断态电流
10
200
uA
V
mA
V
V
20
200
1.1
60
V
AK
=V
DRM
或
V
RRM
,
T
c
=25℃
T
c
=125℃
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
( dv / dt的)C
峰值通态电压(1)
门极触发电流(2)
门极触发电压(2)
门极不触发电压(1)
维持电流
最½电压上升率
热阻
热阻
0.2
1.6
15
1.5
I
TM
=24A,tp=380us
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 10欧姆
T
c
=25℃
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 10欧姆
T
c
=25℃
V
AK
= 12V ,R
L
= 100欧姆
T
c
=125
℃
mA
V /美
℃/W
℃/W
I
T
=100mA,
栅极开路
T
c
=25
℃
线 性 倾 斜 上 升 至
V
D
=V
DRM
67%,
栅极开路,T
j
=125℃
RTH (J -C )
Rth的第(j-一)
结到外壳
结到环境
汕头华汕电子器件有限公司
硅
控制
整流器器
对应½外型号
BT152-600
HCP16C60
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值
(T
j
=25℃)
T
英镑
——贮存温度 …………………………………………………
-40~150℃
T
j
——结温 …………………………………………………………-40~125℃
V
DRM
——重复峰值断态电压
…………………………………………600V
█ 外½图及引脚排列
I
T
(
RMS
) - RMS通态电流(均方值) .................................... 16A
I
T( AV )
——平均通态电流(半正弦波,T
C
=102℃)…………………… 13A
I
TSM
——浪涌通态电流(1/2 周期,60H
Z,
正弦波,不重复) ……………
220A
V
RGM
—反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
I
FGM
——正向峰值门极电流 …………………………………………5.0A
P
GM
——峰值门极功耗……………………………………………………20W
█ 电参数
(T
c
=25℃)
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 ½
测
试
条
件
I
DRM
重复峰值断态电流
10
200
uA
V
mA
V
V
20
200
1.1
60
V
AK
=V
DRM
或
V
RRM
,
T
c
=25℃
T
c
=125℃
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
( dv / dt的)C
峰值通态电压(1)
门极触发电流(2)
门极触发电压(2)
门极不触发电压(1)
维持电流
最½电压上升率
热阻
热阻
0.2
1.6
15
1.5
I
TM
=24A,tp=380us
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 10欧姆
T
c
=25℃
V
AK
= 6V (DC )中,R
L
= 10欧姆
T
c
=25℃
V
AK
= 12V ,R
L
= 100欧姆
T
c
=125
℃
mA
V /美
℃/W
℃/W
I
T
=100mA,
栅极开路
T
c
=25
℃
线 性 倾 斜 上 升 至
V
D
=V
DRM
67%,
栅极开路,T
j
=125℃
RTH (J -C )
Rth的第(j-一)
结到外壳
结到环境
汕头华汕电子器件有限公司。
HCP16C60
可控硅整流器
█
特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=16A)
*低导通电压( 1.35V (典型值) @我
TM
)
*非隔离型
█
概述
标准栅极触发可控硅适合于应用程序,其中
要求高的双向阻断电压能力,也
适合过电压保护器,马达控制cicuit电力
工具,浪涌电流限制电路和加热控制系统。
█
绝对最大额定值
(T
a
=25
℃
除非另有规定编)
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-40~125℃
T
j
■工作
结温----------------------------------------------
-40~125℃
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
(
RMS
) - R.M.S
通态电流( 180°导通角) ---------------------------------------- 16A
I
T( AV )
- 面积达
通态电流(半正弦波:T已
C
= 102 ° C) ----------------------------------------- 10A
I
TSM
■浪涌
通态电流(1/2周期, 60Hz的正弦波,不重复) -------------------------- 200A
I
2
t
--Circuit
熔断注意事项(T = 10毫秒) ------------------------------------------- ------------------ 180 A
2
s
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散(T
a
=25℃) --------------------------------------------------- 20W
P
G( AV )
--Forward
平均门功耗(T
a
= 25 ℃ , T = 8.3ms的) ---------------------------------- 1W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- --------------------------------- 4A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V