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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第873页 > HCF4071B
HCF4071B
四2输入或门
s
s
s
s
s
s
中速运行:
t
PD
= 60ns的( TYP 。 )在V
DD
= 10V
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "标准规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4071BEY
HCF4071BM1
T&R
HCF4071M013TR
描述
该HCF4071B是单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
该HCF4071B QUAD 2输入或门
提供了直接的系统设计
实现为正逻辑OR功能的
并补充CMOS现有家庭
城门。
引脚连接
2001年9月
1/7
HCF4071B
输入等效电路
引脚说明
针无
2, 6, 9, 12
1, 5, 8, 13
3, 4, 10, 11
7
14
符号
A,C , E,H
B,D , F,G
J,K, L,M
V
SS
V
DD
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
负电源电压
正电源电压
真值表
输入
A,C , E,H
L
L
H
H
B,D , F,G
L
H
L
H
输出
J,K, L,M
L
H
H
H
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
2/7
HCF4071B
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.01
0.01
0.01
0.02
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
±0.1
7.5
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
±1
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
±1
马克斯。
0.25
0.5
1
5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
7.5
15
30
150
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
7.5
15
30
150
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
A
pF
I
I
C
I
任何输入
任何输入
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
t
PHL
参数
传播延迟时间
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
分钟。
值(*)
典型值。
125
60
45
175
50
50
100
50
40
马克斯。
250
120
90
350
140
140
200
100
80
ns
单位
t
PLH
传播延迟时间
ns
t
TLH
t
THL
输出转换时间
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
3/7
HCF4071B
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
波形:传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
4/7
HCF4071B
塑料DIP -14机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
F
I
L
Z
1.27
3.3
2.54
0.050
8.5
2.54
15.24
7.1
5.1
0.130
0.100
0.51
1.39
0.5
0.25
20
0.335
0.100
0.600
0.280
0.201
1.65
典型值
马克斯。
分钟。
0.020
0.055
0.020
0.010
0.787
0.065
典型值。
马克斯。
P001A
5/7
HCC4071B/72B/75B
HCF4071B/72B/75B
或门
4071B - 四2输入或门
4072B - QUAD 4输入或门
4075B - 三路3输入或门
.
.
.
.
.
.
中速运转吨
PLH
, t
PHL
=
为60ns 。 (典型值)在V
DD
= 10V
静态电流规定为20V
肝癌设备
5V , 10V和15V额定值参
作者100nA的AT 18V输入电流和
25℃ HCC装置
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准N
o
。 13A “标准
规格有关说明, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
C1
(塑料芯片载体)
订购代码:
HCC40XXBF
HCF40XXBM1
HCF40XXBEY
HCF40XXBC1
描述
HCC4071B/4072B
4075B
(扩展级
温度范围内),并
HCF4071B/4072B
4075B
(中间温度范围)是单片IN-
tegrated电路, 14引脚双列直插可用
塑料或陶瓷封装和塑料micropack-
年龄。
引脚连接
HCC / HCF4071B , 4072B
4075B
或门
提供直接implemen-系统设计
正逻辑OR功能和补充的塔季翁
换货COS / MOS门的现有的家庭。
4071B
4072B
4075B
1989年6月
1/11
HCC/HFC4071B/72B/75B
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
吨OT
参数
电源电压:
肝癌
类型
慧聪F
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
顶级=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
英镑
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作指示节的功能操作评级
本规范的系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件
可靠性。
*所有的电压值被称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
参数
电源电压:
肝癌
类型
慧聪F
类型
输入电压
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
价值
3至18个
3至15个
0到V
DD
- 55至+ 125
- 40至+ 85
单位
V
V
V
°C
°C
典型的电压和电流传输
的特点。
典型输出低(汇)电流Characterisitcs 。
2/11
HCC/HCF4071B/72B/75B
最小输出低(汇)当前字符
开创性意义。
典型的输出高(源)当前字符
开创性意义。
最小输出高(源)当前字符
terisitcs 。
典型传播延迟时间与负载Capacit-
ANCE 。
典型的转换时间与负载电容。
典型的动态功耗与频
昆西。
3/11
HCC/HFC4071B/72B/75B
原理图
4071B
- 1 4个相同或门
4072B
- 1 2个相同或门
4075B
- 1的3个相同或门
4/11
HCC/HCF4071B/72B/75B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/ 5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/ 5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/ 5
HCC 0 / 5
类型0/10
0/15
0/ 5
0/ 5
HCF
类型0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/ 5
肝癌
0/10
类型
0/15
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
肝癌
0/18
类型
HCF
类型0/15
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
O
(V)
价值
单位
|I
O
| V
D D
T
1。·瓦特
*
25
°C
T
喜克
*
( μA ) (V )
分钟。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
任何输入
15
±
0.3
±10
– 5
±
0.3
5
7.5
±
1
pF
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.6 – 3.2
– 0.51 – 1
– 1.3 – 2.6
– 3.4 – 6.8
– 1.36 – 3.2
– 0.44 – 1
– 1.1 – 2.6
– 3.0 – 6.8
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
– 5
±
0.1
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0.9
– 2.4
– 1.1
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
1
A
mA
mA
0.25
0.5
1
5
1
2
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
V
V
0.01
0.01
0.01
0.02
0.01
0.01
0.01
0.25
0.5
1
5
1
2
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
V
V
7.5
15
30
150
7.5
15
30
A
I
L
当前
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
C
I
*
*
输入电容
T
= - 55℃
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
T
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V ,2.5V分钟。与V
DD
= 15V.
5/11
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    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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