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HCF4041UB
QUAD TRUE /补BUFFER
s
s
s
s
s
s
s
s
平衡漏极和源极电流：
约4倍标准"B"
DRIVE
均衡的延迟为TRUE，
补输出
静态电流最多指定
20V
界面标准对称输出
特征
5V ， 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA （最大值）在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 ％测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "标准规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
包
DIP
SOP
管
HCF4041UBEY
HCF4041UBM1
T&R
HCF4041UM013TR
描述
该HCF4041UB是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
该
HCF4041UB
is
a
四
TRUE /
补缓冲由n和p的
具有流路阻力低的信道单元和
大电流（采购和下沉）的能力。这
装置适用于用作缓冲器，线路驱动器，
或CMOS与TTL驱动程序。它可以作为一个
进行A / D超低功耗电阻网络驱动器和
D / A转换，作为传输线驱动器，和
在其他应用中的高抗噪声能力
低功耗是首要的设计
要求。
引脚连接
2001年9月
1/8
HCF4041UB
输入等效电路
引脚说明
针无
3, 6, 10, 13
1, 4, 8, 11
2, 5, 9, 12
7
14
符号
A， B，C ，D
E，G ， K，M
F，H ， L，N
V
SS
V
DD
名称和功能
数据输入
数据输出（ TRUE）
数据输出
（补）
负电源电压
正电源电压
真值表
输入
A， B，C ，D
H
L
输出
（真）
E，G ， K，M
H
L
输出
（补）
F，H ， L，N
L
H
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
2/8
HCF4041UB
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
（ μA ） （V ）
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
-5.44 -12.8
-1.36 -3.2
-4.25 -10
-16.1 -38
1.36
3.2
4.25
10
16.1
38
±10
-5
15
±0.1
22.5
-4.08
-1.02
-3.18
-12.1
1.02
3.18
12.11
±1
4
8
12.5
1
2
2.5
-4.08
-1.02
-3.18
-12.1
1.02
3.18
12.11
±1
马克斯。
1
2
4
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
A
pF
I
I
C
I
任何输入
任何输入
噪声余量为"1"和"0"级别： 1V分钟。与V
DD
= 5V ， 2V分钟。与V
DD
= 10V ， 2.5V分钟。与V
DD
=15V
3/8
HCF4041UB
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的，R
L
= 200KΩ ，T
r
= t
f
= 20纳秒）
测试条件
符号
参数
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
分钟。
值（*）
典型值。
60
35
25
40
20
15
马克斯。
120
70
50
80
40
30
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟时间
t
TLH
t
THL
输出转换时间
ns
（ * ）的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 ％/ ℃。
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
4/8
HCF4041UB
波形1 ：传播延迟时间同相条件
中（f = 1MHz的50％
占空比）
波形2 ：传播延迟时间，反转条件
中（f = 1MHz的50 ％的占空
循环）
5/8
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