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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1119页 > HCF4030M013TR
HCF4030B
四异或门
s
s
s
s
s
s
s
中速运行 - 吨
PHL
= t
PLH -
65ns （典型值）位于C
L
= 50pF的和V
DD-
V
SS =
10V
低输出阻抗： 500
（典型值） ，在
V
DD-
V
SS =
10V
静态电流最多指定
20V
5V ， 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA （最大值）在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 ％测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "STANDARD规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
包
DIP
SOP
管
HCF4030BEY
HCF4030BM1
T&R
HCF4030M013TR
描述
HCF4030B是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
HCF4030B类型包括四个indipendent
异或门电路集成在单个
单片硅芯片。每个异或门
由四个n沟道和4 p沟道的
增强型晶体管。所有的输入和
输出保护，防止静电的效果。
引脚连接
2002年9月
1/10
HCF4030B
输入等效电路
引脚说明
针无
符号
名称和功能
2 ， 1 ， 5 ， 6 ， 8 ， A，B ，C ， D，E ，
数据输入
9, 12, 13
F，G ，H
3, 4, 10, 11
J，K ， L，M数据输出
V
SS
负电源电压
7
14
V
DD
正电源电压
真值表
IN1
L
L
H
H
IN2
L
H
L
H
OUT
L
H
H
L
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
2/10
HCF4030B
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
（ μA ） （V ）
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
马克斯。
4
8
16
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
4
8
16
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
V
OH
V
OL
V
IH
0/5
0/10
0/15
0/20
输出高
0/5
电压
0/10
0/15
输出低电压5/0
10/0
15/0
输入高电压
A
V
IL
输入低电压
I
OH
输出驱动器
当前
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
I
I
任何输入
任何输入
±0.1
7.5
±1
±1
A
pF
C
I
噪声余量为"1"和"0"级别： 1V分钟。与V
DD
= 5V ， 2V分钟。与V
DD
= 10V ， 2.5V分钟。与V
DD
=15V
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的，R
L
= 200KΩ ，T
r
= t
f
= 20纳秒）
测试条件
符号
参数
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
分钟。
值（*）
典型值。
140
65
50
100
50
40
马克斯。
280
130
100
200
100
80
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟时间
t
TLH
t
THL
输出转换时间
ns
3/10
HCF4030B
典型应用：
偶校验位发生器
典型应用：
偶校验检查器
典型应用：
奇宇称 - 位发生器
4/10
HCF4030B
典型应用：
奇宇称检查器
典型应用：
8位比较器
5/10
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