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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第639页 > HCF4030BEY
HCF4030B
四异或门
s
s
s
s
s
s
s
中速运行 - 吨
PHL
= t
PLH -
65ns (典型值)位于C
L
= 50pF的和V
DD-
V
SS =
10V
低输出阻抗: 500
(典型值) ,在
V
DD-
V
SS =
10V
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "STANDARD规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4030BEY
HCF4030BM1
T&R
HCF4030M013TR
描述
HCF4030B是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
HCF4030B类型包括四个indipendent
异或门电路集成在单个
单片硅芯片。每个异或门
由四个n沟道和4 p沟道的
增强型晶体管。所有的输入和
输出保护,防止静电的效果。
引脚连接
2002年9月
1/10
HCF4030B
输入等效电路
引脚说明
针无
符号
名称和功能
2 , 1 , 5 , 6 , 8 , A,B ,C , D,E ,
数据输入
9, 12, 13
F,G ,H
3, 4, 10, 11
J,K , L,M数据输出
V
SS
负电源电压
7
14
V
DD
正电源电压
真值表
IN1
L
L
H
H
IN2
L
H
L
H
OUT
L
H
H
L
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
2/10
HCF4030B
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
马克斯。
4
8
16
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
4
8
16
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
V
OH
V
OL
V
IH
0/5
0/10
0/15
0/20
输出高
0/5
电压
0/10
0/15
输出低电压5/0
10/0
15/0
输入高电压
A
V
IL
输入低电压
I
OH
输出驱动器
当前
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
I
I
任何输入
任何输入
±0.1
7.5
±1
±1
A
pF
C
I
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
参数
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
分钟。
值(*)
典型值。
140
65
50
100
50
40
马克斯。
280
130
100
200
100
80
ns
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟时间
t
TLH
t
THL
输出转换时间
ns
3/10
HCF4030B
典型应用:
偶校验位发生器
典型应用:
偶校验检查器
典型应用:
奇宇称 - 位发生器
4/10
HCF4030B
典型应用:
奇宇称检查器
典型应用:
8位比较器
5/10
HCC/HCF4030B
四异或门
.
.
.
.
.
.
.
.
中速运转 - 吨
PHL
= t
PLH
=
为60ns (典型值) @
L
= 50pF的和V
DD
– V
SS
= 10V
低输出阻抗: 500Ω (典型值) @
V
DD
– V
SS
= 10V
静态电流规定为20V
肝癌设备
界面标准对称输出
特征
5V , 10V , 15V和参评级
作者100nA的AT 18V和输入电流25℃
肝癌设备
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准的N ° 13A “标准SPE-
CIFICATIONS关于描述, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
C1
(塑料芯片载体)
订购代码:
HCC4030BF
HCF4030BM1
HCF4030BEY
HCF4030BC1
引脚连接
描述
HCC4030B
(扩展温度范围),
HCF4030B
(中间温度范围)是
单片集成电路,提供14引脚可用
双列直插式塑料或陶瓷封装和塑料
微型封装。
HCC/HCF4030B
类型包括四个不知疲倦
悬垂异或门集成在单个
单片硅芯片。每个异或门CON-
4 n沟道和4 p沟道enhance-的sists
彪型晶体管。所有的输入和输出
防止静电的效果。
1996年11月
1/12
HCC/HCF4030B
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
合计
参数
电源电压:
肝癌
类型
HCF
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
对于T
op
=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
HCF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
s TG
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作指示节的功能操作评级
本规范的系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件
可靠性。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
参数
电源电压:
肝癌
类型
慧聪F
类型
输入电压
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
价值
3至18个
3至15个
0到V
DD
- 55至+ 125
- 40至+ 85
单位
V
V
V
°C
°C
真值表
其中四个相同的盖茨
A
0
1
0
1
其中,“ 1” =高级别
“ 0 ” =低的水平。
B
0
0
1
0
J
0
1
1
0
2/12
HCC/HCF4030B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/ 5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/ 5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/ 5
HCC 0 / 5
类型0/10
0/15
0/ 5
0/ 5
HCF
类型0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/ 5
肝癌
0/10
类型
0/15
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
肝癌
0/18
类型
HCF
0/15
类型
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
O
(V)
价值
单位
|I
O
| V
D D
T
1。·瓦特
*
25
°C
T
喜克
*
( μA ) (V )
分钟。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
任何输入
15
±
0.3
±10
– 5
±
0.3
5
7.5
±
1
pF
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.6 – 3.2
– 0.51 – 1
– 1.3 – 2.6
– 3.4 – 6.8
– 1.36 – 3.2
– 0.44 – 1
– 1.1 – 2.6
– 3.0 – 6.8
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
– 5
±
0.1
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0.9
– 2.4
– 1.1
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
1
A
mA
mA
1
2
4
20
4
8
16
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
V
V
0.02
0.02
0.02
0.04
0.02
0.02
0.02
1
2
4
20
4
8
16
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
V
V
30
60
120
600
30
60
120
A
I
L
当前
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
C
I
输入电容
* T
LO W
= - 55℃
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
* T
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V ,2.5V分钟。与V
DD
= 15V.
3/12
HCC/HCF4030B
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200k,
典型温度系数为所有V
D D
= 0.3 % /°C的值,所有输入的上升和下降时间为20ns = )
符号
参数
测试条件
V
C C
(V)
分钟。
5
10
15
t
T L ^ h
, t
THL
转换时间
5
10
15
价值
典型值。
140
65
50
100
50
40
马克斯。
280
130
100
200
100
80
ns
ns
单位
t
PL
, t
PHL
传播延迟时间
典型输出低(汇)电流特性。
最小输出低(汇)当前字符
开创性意义。
典型的输出高(源)当前字符
开创性意义。
最小输出高(源)当前字符
开创性意义。
4/12
HCC/HCF4030B
典型应用
偶宇称 - 位发生器
(1-3/4 x
HCC/HCF4030B).
偶宇称检查器
(2 x
HCC/HCF4030B).
奇宇称 - 位发生器
(2 x
HCC/HCF4030B).
ODD-奇偶校验器
(2 x
HCC/HCF4030B).
5/12
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCF4030BEY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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