HCC/HCF40181B
4位算术逻辑单元
.
.
.
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.
.
.
.
.
.
.
.
FULL先行进FOR SPEED
手术对长单词
产生两个16的逻辑功能
布尔变量
产生16算术函数
两个4位二进制字
A = B比较器输出
纹波进位输入和输出可用
ABLE
典型的加入时间为200ns @ V
DD
= 10V
界面标准对称输出
特征
静态电流的20V肝癌DE-
副
5V , 10V , 15V和参评级
作者100nA的AT 18V和输入电流25℃
肝癌设备
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准的N ° 13A “标准SPE-
CIFICATIONS关于描述, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
订购代码:
HCC40181BF
HCF40181BEY
HCF40181BM1
引脚连接
描述
该
HCC40181B
(扩展级温度范围)
和
HCF40181B
(中间温度范围)
是单片集成电路,可用24
引线双列直插式塑料或陶瓷封装和
塑料微型封装。该
HCC/HCF40181B
是
低功耗的4比特并行算术逻辑单元
(ALU)能提供16个二进制算术
在两个4位字和16的逻辑功能的操作
两个布尔变量系统蒸发散。模式控制
输入M选择逻辑(M =高)或运算(M =
低)的操作。四个选择输入(S0, S1,S2
和S3),选择所需的逻辑或算术功能
系统蒸发散,其包括与,或,与非门,或非门,与EX-
clusive - OR和-NOR的逻辑模式,并
加,减,减和左移位和
直转移在运算模式时,根据
真值表。该
HCC/HCF40181B
手术
可与任一低电平有效或主动 - 解释
在A和B的字输入和功能的高数据
输出女,通过使用适当的真值表。该
HCC/HCF40181B
包含逻辑,用于充分先行
进行操作,快速进位产生使用
随身携带的产生和实施,宣扬输出G和
1989年6月
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HCC/HCF40181B
P表示的4比特的
HCC/HCF40181B.
利用
该
HCC/HCF40182B
先行进位发生器
在具有多个结合
HCC/HCF40181B’s
Per-
长MITS高速算术运算
话。一个脉动进位输出C
n + 4
可供使用
在系统中速度是主要的导入 - 不
ANCE 。还包括在
HCC/HCF40181B
是
比较器的输出A = B ,假设高
工作原理图
低电平有效数据。
高电平有效数据。
级别:每当两个4位输入字甲乙
是相等的,该装置是在减法模式。在
此外,相对幅度信息可以是
从进位输入的C衍生
n
和纹波进位
从输出C
n + 4
通过将单位的减法
模式和使用该信息的外部解码
表II 。该
HCC/HCF40181B
类似于行业
尝试的类型MC 14581和74181 。
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
吨OT
参数
电源电压:
慧聪
类型
矫顽F
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
对于T
O·P
=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
英镑
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件的可靠性。
*所有的电压是相对于V
SS
(GND)。
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HCC/HCF40181B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/ 5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/ 5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/ 5
HCC 0 / 5
类型0/10
0/15
0/ 5
0/ 5
HCF
类型0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/ 5
肝癌
0/10
类型
0/15
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
HCC 0/18
类型
HCF
类型0/15
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
O
(V)
价值
单位
|I
O
| V
D D
T
1。·瓦特
*
25
°C
T
喜克
*
( μA ) (V )
分钟。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
15
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
±
0.3
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.6 – 3.2
– 0.51 – 1
– 1.3 – 2.6
– 3.4 – 6.8
– 1.36 – 3.2
– 0.44 – 1
– 1.1 – 2.6
– 3.0 – 6.8
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
– 5
±
0.1
±10
– 5
±
0.3
5
7.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0.9
– 2.4
– 1.1
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
1
±
1
pF
mA
mA
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
V
V
0.04
0.04
0.04
0.08
0.04
0.04
0.04
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
V
V
150
300
600
3000
150
300
600
A
I
L
静
当前
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
任何输入
A
C
I
输入电容
* T
LO W
= - 55℃
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
* T
高
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
= 15V.
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