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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第364页 > HCF4012BM1
HCC4011B/12B/23B
HCF4011B/12B/23B
与非门
四2输入HCC / HCF 4011B
双4输入HCC / HCF 4012B
三路3输入HCC / HCF 4023B
.
.
.
.
.
.
.
传播延迟时间为60ns = (典型值)的
C
L
= 50pF的,V
DD
= 10V
缓冲输入和输出
静态电流规定为20V
肝癌设备
作者100nA的AT 18V和输入电流25℃
肝癌设备
100 %测试静态电流
5V , 10V和15V额定值参
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准N
o
。 13A “标准
规格有关说明, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
C1
(塑料芯片载体)
订购代码:
HCC40XXBF
HCF40XXBM1
HCF40XXBEY
HCF40XXBC1
描述
HCC4011B , HCC4012B
HCC4023B
( EX-
倾向于温度范围)和
HCF4011B,
HCF4012B
HCF4023B
(中间温度
TURE系列)是单片集成电路,可用
能够在14引脚双列直插式塑料或陶瓷
封装和塑料Micropackage 。
引脚连接
4011B
HCC / HCF4011B , HCC / HCF4012B
HCC/HCF4023B
NAND门提供的系统
设计师直接执行的NAND
功能和补充现有的家庭
COS / MOS门。所有的输入和输出缓冲器消耗
fered 。
4012B
4023B
1989年6月
1/12
HCC/HFC4011B/12B/23B
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
给T
参数
电源电压:
慧聪
类型
CF
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
对于T
O·P
=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
英镑
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成permane损坏。这是一个值仅为
nt
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件的可靠性。
*所有的电压值被称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
参数
电源电压:
慧聪
类型
矫顽F
类型
输入电压
工作温度:
慧聪
类型
矫顽F
类型
价值
3至18个
3至15个
0到V
DD
- 55至+ 125
- 40至+ 85
单位
V
V
V
°C
°C
2/12
HCC/HCF4011B/12B/23B
原理图和逻辑图
4011B
4012B
4023B
3/12
HCC/HFC4011B/12B/23B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/5
0/5
肝癌
类型0/10
0/15
0/5
0/5
HCF
类型0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/5
肝癌
0/10
类型
0/15
0/5
HCF
0/10
类型
0/15
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
HCC 0/18
类型
HCF
0/15
类型
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
O
(V)
价值
单位
|I
O
| V
D D
T
1。·瓦特
*
25
°C
T
喜克
*
( μA ) (V )
分钟。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
任何输入
15
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
±
0.3
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.6 – 3.2
– 0.51 – 1
– 1.3 – 2.6
– 3.4 – 6.8
– 1.36 – 3.2
– 0.44 – 1
– 1.1 – 2.6
– 3.0 – 6.8
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
–5
I
L
当前
0.25
0.5
1
5
1
2
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
4.95
9.95
14.95
0.01
0.01
0.01
0.02
0.01
0.01
0.01
0.25
0.5
1
5
1
2
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0.9
– 2.4
– 1.1
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
0.1
7.5
15
30
150
7.5
15
30
V
0.05
0.05
0.05
V
1.5
3
4
V
V
A
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
mA
mA
±
1
±
1
A
±10
– 5
±
0.3
5
7.5
C
I
输入电容
pF
* T
= - 55 ℃保温
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
* T
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V与V
DD
= 15V.
4/12
HCC/HCF4011B/12B/23B
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200k,
典型温度系数为所有V
D D
值的0.3 % / ° C,所有输入的上升和下降时间为20ns = )
符号
参数
测试条件
V
D D
(V)
分钟。
5
10
15
t
THL
, t
T L ^ h
转换时间
5
10
15
价值
典型值。
125
60
45
100
50
40
马克斯。
250
120
90
200
100
80
ns
ns
单位
t
PL
, t
P HL
传播延迟时间
测试电路
静态器件电流。
抗干扰能力。
输入漏电流。
5/12
HCF4012B
双4输入与非门
s
s
s
s
s
s
s
s
传播延迟时间
t
PD
= 60ns的( TYP 。 )在V
DD
= 10V
缓冲输入和输出
界面标准对称输出
特征
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "标准规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4012BEY
HCF4012BM1
T&R
HCF4012M013TR
描述
该HCF4012B是单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
该HCF4012B双路4输入与非门
提供了直接的系统设计
实现NAND功能和
补充CMOS门电路的现有的家庭。所有
输入和输出缓冲。
引脚连接
2001年9月
1/7
HCF4012B
输入等效电路
引脚说明
针无
6, 8
2, 3, 4, 5
9, 10, 11, 12
1, 13
7
14
符号
NC
A, B,C ,D
E,F , G,H
J,K
V
SS
V
DD
名称和功能
没有连接
数据输入
数据输入
数据输出
负电源电压
正电源电压
真值表
输入
A, B,C ,D
E,F , G,H
L
H
L
H
输出
J,K
H
H
H
L
逻辑图
L
L
H
H
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
2/7
HCF4012B
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.01
0.01
0.01
0.02
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
±0.1
7.5
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
±1
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
±1
马克斯。
0.25
0.5
1
5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
7.5
15
30
150
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
7.5
15
30
150
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
A
pF
I
I
C
I
任何输入
任何输入
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
参数
V
DD
(V)
t
PLH
t
PHL
传播延迟时间
5
10
15
5
10
15
分钟。
典型值。
125
60
45
100
50
40
马克斯。
250
120
90
200
100
80
ns
值(*)
单位
t
TLH
t
THL
输出转换时间
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
3/7
HCF4012B
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
波形:传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
4/7
HCF4012B
塑料DIP -14机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
a1
B
b
b1
D
E
e
e3
F
I
L
Z
1.27
3.3
2.54
0.050
8.5
2.54
15.24
7.1
5.1
0.130
0.100
0.51
1.39
0.5
0.25
20
0.335
0.100
0.600
0.280
0.201
1.65
典型值
马克斯。
分钟。
0.020
0.055
0.020
0.010
0.787
0.065
典型值。
马克斯。
P001A
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCF4012BM1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
HCF4012BM1
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ST MICROELECTRONICS SEMI
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HCF4012BM1
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