【HCF40107B双2输入与非缓冲器/驱动器ssssss32倍于标准B系列输出电流驱动的吸收能力 -】,IC型号HCF40107B_02,HCF40107B_02 PDF资料,HCF40107B_02经销商,ic,电子元器件-51电子网

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HCF40107B

双2输入与非缓冲器/驱动器

s

s

s

s

s

s

32倍于标准B系列输出

电流驱动的吸收能力 -

136毫安TYP 。在V

DD

= 10V, V

DS

= 1V

静态电流注明：。 UP TO 20V

5V ， 10V和15V额定值参

输入漏电流

I

I

=为100nA （最大值）在V

DD

= 18V牛逼

A

= 25°C

100 ％测试静态电流

MEETS JEDEC的所有要求

JESD13B "STANDARD规格

为了说明的B系列CMOS

DEVICES"

DIP

SOP

订购代码

包

DIP

SOP

管

HCF40107BEY

HCF40107BM1

T&R

HCF40107M013TR

描述

HCF40107B是一个单片集成电路

在制造金属氧化物半导体

技术DIP和SOP封装。

HCF40107B是双2输入与非缓冲器/驱动器

含有两个独立的二输入NAND缓冲器

开漏单N沟道晶体管

输出。该器件具有一个线或

能力和高输出灌电流能力

（ 136毫安典型值在V

DD

= 10V, V

DS

= 1V).

引脚连接

2002年10月

1/11

HCF40107B

输入等效电路

引脚说明

针无

2, 1, 7, 6

3, 5

4

8

符号

A，B ， D，E

C，F

V

SS

V

DD

名称和功能

输入

输出

负电源电压

正电源电压

工作原理图

真值表

A

L

H

L

H

B

L

L

H

H

H*

H*

H*

L

C

Z

#

Z

#

Z

#

* ：需要外部和上拉电阻器（R

L

）到V

DD

.

＃：如果没有上拉电阻（ 3态）。

2/11

HCF40107B

逻辑图

绝对最大额定值

符号

V

DD

V

I

I

I

P

D

T

op

T

英镑

电源电压

直流输入电压

DC输入电流

每个封装功耗

每个输出晶体管功耗

工作温度

储存温度

参数

价值

-0.5至+22

-0.5到V

DD

+ 0.5

±

10

200

100

-55到+125

-65到+150

单位

V

V

mA

mW

mW

°C

°C

绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作

不是暗示。

所有电压值称为V

SS

引脚电压。

推荐工作条件

符号

V

DD

V

I

T

op

电源电压

输入电压

工作温度

参数

价值

3至20个

0到V

DD

-55至125

单位

V

V

°C

3/11

HCF40107B

DC特定网络阳离子

测试条件

符号

参数

V

I

(V)

0/5

0/10

0/15

0/20

0.5/4.5

1/9

1.5/13.5

4.5/0.5

9/1

13.5/1.5

0.4

1

0.5

1

0.5

<1

<1

<1

<1

<1

<1

V

O

(V)

|I

O

| V

DD

（ μA ）（V ）

5

10

15

20

5

10

15

5

10

15

5

5

10

10

15

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

0.02

0.02

0.02

0.04

3.5

7

11

1.5

3

4

21

44

49

89

66

32

68

74

136

100

16

30

37

68

50

马克斯。

5

10

20

100

3.5

7

11

1.5

3

4

12

25

28

51

38

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

150

300

600

3000

3.5

7

11

1.5

3

4

-55到125°C

分钟。

马克斯。

30

60

120

600

单位

I

L

静态电流

A

V

IH **

输入高电平

电压

低电平输入

电压

输出灌

当前

5

5

10

10

15

V

V

IL **

V

I

OL

mA

输出驱动器

当前

I

IH ，

I

IL

输入漏

当前

I

OH ，

I

OL

三态输出

漏电流

***

C

I

输入电容

I

OH

C

O

产量

电容

没有内部上拉器件

0/18

0/18

任何输入

18

任何输入

任何输出

18

18

±10

-5

±10

-4

5

30

mA

±0.1

2

7.5

±0.1

2

±1

20

A

A

pF

pF

噪声余量为"1"和"0"级别： 1V分钟。与V

DD

= 5V ， 2V分钟。与V

DD

= 10V ， 2.5V分钟。与V

DD

=15V

**测量与外部上拉电阻，R

L

= 10kΩ至V

DD

.

***强制输出禁用。

动态电气特性

(T

AMB

= 25°C, C

L

= 50pF的，R

L

= 200KΩ ，T

r

= t

f

= 20纳秒）

测试条件

符号

参数

V

DD

(V)

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

R

L

* = 120

分钟。

值（*）

典型值。

100

45

30

100

60

50

50

20

10

50

35

25

马克斯。

200

90

60

200

120

100

100

40

20

100

70

50

ns

单位

t

PHL

t

PLH

传播延迟时间

前高后低

从低到高

R

L

* = 120

ns

t

THL

t

TLH

转换时间

前高后低

从低到高

R

L

* = 120

ns

R

L

* = 120

ns

(*) R

L

外部上拉电阻到V

DD.

4/11

HCF40107B

典型应用

线路驱动器电路。

一个2.2瓦的白炽灯驱动电路。

40107B与三端双向可控硅，用COS / MOS界面

组件和三端双向可控硅隔离。

电磁阀驱动电路

40107B的直流电直接驱动程序接口与一个三端双向可控硅。

5/11

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