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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第448页 > HCF4009UBM1
HCF4009UB
HEX BUFFER /转换器(反相)
s
s
s
s
s
s
s
s
s
传播延迟时间t
PD
= 40ns的
(典型值)在V
DD
= 10V
L
= 50pF的
高到低逻辑电平转换
多工器: 16或6到1
HIGH “汇”和“源” CURRENT
能力
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B “标准规格
为了说明的B系列CMOS
设备“
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4009UBEY
HCF4009UBM1
T&R
HCF4009UM013TR
描述
该HCF4009UB是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
它是一个反相十六进制缓冲器/转换器,并且可以是
作为CMOS与TTL逻辑电平转换器
目前的“下沉”或“来源”驱动程序或多路复用器
(1 6)。
它是HCF4049UB在一个优选的替换
缓存的应用程序。
引脚连接
2001年9月
1/8
HCF4009UB
输入等效电路
引脚说明
针无
符号
名称和功能
数据输入
数据输出
没有连接
正电源电压
负电源电压
正电源电压
3 , 5 , 7 , 9 , 11 , A,B ,C , D,E ,
14
F
2,4, 6,10, G,H ,I,J ,K
12, 15
L
13
NC
V
CC
1
8
16
V
SS
V
DD
真值表
输入
A,B , C,D , E,F
L
H
输出
G,H ,I,J ,K,L
H
L
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
2/8
HCF4009UB
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
V
DD
|I
O
|
=
V
CC
(A)
(V)
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
-0.8
-0.2
-0.45
-1.5
3
8
24
-1.6
-0.4
-0.9
-3
4
10
36
±10
-5
15
±0.1
22.6
-0.65
-0.18
-0.38
-1.25
2.4
6.4
19
±1
4
8
12.5
1
2
2.5
-0.65
-0.18
-0.38
-1.25
2.4
6.4
19
±1
马克斯。
1
2
4
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
V
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
mA
mA
A
pF
I
I
C
I
任何输入
任何输入
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
3/8
HCF4009UB
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
t
TLH
参数
输出转换时间
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
10
15
15
5
10
10
15
15
V
I
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
10
15
15
5
10
10
15
15
V
CC
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
5
15
5
5
10
5
15
5
分钟。
值(*)
典型值。
150
75
55
35
20
15
70
40
35
30
30
30
20
15
15
10
马克斯。
350
15
110
70
40
30
140
80
70
60
60
60
40
30
30
20
ns
单位
t
THL
输出转换时间
ns
t
PLH
传播延迟时间
ns
t
PHL
传播延迟时间
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
4/8
HCF4009UB
波形:传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
5/8
HCF4009UB
HEX BUFFER /转换器(反相)
s
s
s
s
s
s
s
s
s
传播延迟时间t
PD
= 40ns的
(典型值)在V
DD
= 10V
L
= 50pF的
高到低逻辑电平转换
多工器: 16或6到1
高"SINK"和"SOURCE" CURRENT
能力
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "标准规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4009UBEY
HCF4009UBM1
T&R
HCF4009UM013TR
描述
该HCF4009UB是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
它是一个反相十六进制缓冲器/转换器,并且可以是
作为CMOS到TTL或DTL逻辑电平
转换器的电流"sink" OT "source"驱动程序或
作为多路转换器(1 6)。
它是HCF4049UB在一个优选的替换
缓存的应用程序。
引脚连接
2002年7月
1/8
HCF4009UB
输入等效电路
引脚说明
针无
符号
名称和功能
数据输入
数据输出
没有连接
正电源电压
负电源电压
正电源电压
3 , 5 , 7 , 9 , 11 , A,B ,C , D,E ,
14
F
2,4, 6,10, G,H ,I,J ,K
12, 15
L
13
NC
V
CC
1
8
16
V
SS
V
DD
真值表
输入
A,B , C,D , E,F
L
H
输出
G,H ,I,J ,K,L
H
L
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
CC
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
0.5 V
DD
+ 0.5
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
CC
V
I
T
op
电源电压
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
V
°C
该器件具有高仅低一级电压转换功能
2/8
HCF4009UB
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
-0.8
-0.2
-0.45
-1.5
3
8
24
-1.6
-0.4
-0.9
-3
4
10
36
±10
-5
15
-0.65
-0.18
-0.38
-1.25
0.36
6.4
1.9
4
8
12.5
1
2
2.5
-0.65
-0.18
-0.38
-1.25
0.36
6.4
1.9
马克斯。
1
2
4
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
4
8
12.5
1
2
2.5
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
I
I
任何输入
任何输入
±0.1
22.6
±1
±1
A
pF
C
I
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
3/8
HCF4009UB
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
t
TLH
参数
输出转换
时间
输出转换
时间
传播延迟
时间
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
10
15
15
5
10
10
15
15
V
I
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
10
15
15
5
10
10
15
15
V
CC
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
5
15
5
5
10
5
15
5
分钟。
值(*)
典型值。
150
75
55
35
20
15
70
40
35
30
30
30
20
15
15
10
马克斯。
350
15
110
70
40
30
140
80
70
60
600
60
40
30
30
20
ns
单位
t
THL
ns
t
PLH
ns
t
PHL
传播延迟
时间
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
4/8
HCF4009UB
波形1 :传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
5/8
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    联系人:杨小姐
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    HCF4009UBM1
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:陈小姐 付先生
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联系人:何小姐
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联系人:刘经理
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联系人:刘先生
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