HCC/HCF4006B
18级静态移位寄存器
.
.
.
.
.
.
.
.
.
永久性寄存器存储
时钟线“高”或“低” ...... NO Infor公司
息再循环必填
全静态操作
UP转移概率TO的12MHz @ 10V (典型值)。
界面标准对称输出
特征
静态电流规定为20V
肝癌设备
作者100nA的AT 18V和25输入电流
°C
肝癌设备
100 %测试静态电流
5V , 10V , 15V和参评级
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准的N ° 13A “标准SPE-
CIFICATIONS关于描述, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
C1
(塑料芯片载体)
订购代码:
HCC4006BF
HCF4006BM1
HCF4006BEY
HCF4006BC1
引脚连接
描述
该
HCC4006B
(扩展温度范围),
该
HCF4006B
(标准温度范围内),都
单片集成电路,提供14引脚可用
双列直插式塑料或陶瓷封装和塑料
微型封装。的类型包括4 sep-
独的“移位寄存器”部分;四两节
阶段和一个输出的两个部分的五个阶段
挖掘在第四阶段。每个部分都有一个不知疲倦
悬垂“单轨”数据路径。公共时钟显
纳尔用于所有阶段。数据被移动到下一个
台上的时钟的负向过渡。
通过对输入和输出适当的连接
4放入,多寄存器的部分, 5,8,和9中
阶段或者是10个单个寄存器部分,12,13 ,14,
16 , 17和18可以用一种来实现
HCC/HCF4006B
封装。较长的移位寄存器
部分可以通过使用一个以上的被组装
HCC/HCF4006B.
为了便于级联阶段
在时钟的上升和下降时间是缓慢的,可选
输出(D
1
+ 4' ),其延迟一个半时钟周期,
提供(见真值表输出引脚2 ) 。
1989年6月
1/11
HCC/HCF4006B
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
吨OT
参数
电源电压:
肝癌
类型
慧聪F
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
对于T
O·P
=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
英镑
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件,在操作指示节的功能操作评级
本规范的系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件
可靠性。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
参数
电源电压:
肝癌
类型
慧聪F
类型
输入电压
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
价值
3至18个
3至15个
0到V
DD
- 55至+ 125
- 40至+ 85
单位
V
V
V
°C
°C
2/11
HCC/HCF4006B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/ 5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/ 5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/ 5
肝癌
类型
0/ 5
0/10
0/15
0/ 5
HCF
类型
0/ 5
0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/ 5
肝癌
类型
0/10
0/15
0/ 5
HCF
类型
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
0/10
0/15
HCC 0/18
类型
HCF
0/15
类型
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
& LT ; 1
V
O
(V)
| I
O
|
(A)
V
DD
(V)
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
任何输入
15
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
±
0.3
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.6 – 3.2
– 0. 51
– 1.3
– 3.4
– 0. 44
– 1.1
– 3.0
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
– 1
– 2.6
– 6.8
– 1
– 2.6
– 6.8
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
–5
±
0.1
±10
–5
±
0.3
5
7.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0. 9
– 2. 4
– 1. 1
– 0.36
– 0. 9
– 2. 4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
1
±
1
A
mA
mA
T
LO W
*
分钟。
MAX 。 MIN 。
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
V
V
价值
25
°C
0.04
0.04
0.04
0.08
0.04
0.04
0.04
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
V
V
T
高
*
马克斯。
150
300
600
3000
150
300
600
A
单位
典型值。马克斯。分钟。
I
L
静
当前
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
– 1. 36 – 3.2
C
I
*
*
输入电容
pF
T
LO W
= - 55℃
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
T
高
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V ,2.5V分钟。与V
DD
= 15V.
4/11
HCC/HCF4006B
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200k,
典型温度系数为所有V
DD
值的0.3 % / ° C,所有输入的上升和下降时间为20ns = )
符号
参数
测试条件
V
D D
(V)
分钟。
5
10
15
t
THL
, t
T L ^ h
转换时间
5
10
15
t
w
时钟脉冲宽度
5
10
15
t
r
, t
f
时钟输入信号上升和下降时间*
5
10
15
t
SE吨ü P
数据建立时间
5
10
15
f
最大
最大时钟输入频率
5
10
15
价值
典型值。
200
100
80
100
50
40
100
45
30
15
15
15
50
25
20
5
12
16
兆赫
ns
s
ns
ns
ns
马克斯。
单位
t
P L H
, t
P HL
传播延迟时间
*如果不是单位更是级联吨
r
CL应小于或等于的过渡时间的总和与所述固定传输延迟
d
输出的估计的容性负载的驱动级。
典型输出低(汇)电流特性。
最小输出低(汇)当前字符
开创性意义。
5/11
HCF4006B
18级静态移位寄存器
s
s
s
s
s
s
s
s
s
永久性寄存器存储
时钟线"HIGH"或"LOW" NO ...
信息再循环
需要
全静态操作
转移概率UP TO
12MHzat 10V (典型值)。
界面标准对称输出
特征
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "标准规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
包
DIP
SOP
管
HCF4006BEY
HCF4006BM1
T&R
HCF4006M013TR
描述
该HCF4006B是单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
该HCF4006B是由4个单独的"shift
register"段;四个阶段的两个部分,并
具有输出抽头处的两个部分的五个阶段
第四阶段。每个部分都有一个独立的
"single rail"数据路径。公共时钟信号
用于所有阶段。数据被移动到下一个
级上的时钟的负向过渡。
通过输入相应的连接和
输出的4多寄存器段,图5,图8和9
阶段或者是10个单个寄存器部分,12,13 ,14,
16 , 17和18可以用一种来实现
HCF4006B包。较长的移位寄存器
段可通过使用以上被组装
1 HCF4006B 。为了便于级联阶段
在时钟的上升和下降时间是缓慢的,可选
输出( D1 + 4' ),其延迟一个半
时钟周期中,提供了(参见,输出真值表
从引脚2 )
引脚连接
2001年9月
1/8
HCF4006B
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
3/8