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HCF4006B

18级静态移位寄存器

s

s

s

s

s

s

s

s

s

永久性寄存器存储

时钟线"HIGH"或"LOW" NO ...

信息再循环

需要

全静态操作

转移概率UP TO

12MHzat 10V （典型值）。

界面标准对称输出

特征

静态电流最多指定

20V

5V ， 10V和15V额定值参

输入漏电流

I

I

=为100nA （最大值）在V

DD

= 18V牛逼

A

= 25°C

100 ％测试静态电流

MEETS JEDEC的所有要求

JESD13B "标准规格

为了说明的B系列CMOS

DEVICES"

DIP

SOP

订购代码

包

DIP

SOP

管

HCF4006BEY

HCF4006BM1

T&R

HCF4006M013TR

描述

该HCF4006B是单片集成电路

在制造金属氧化物半导体

技术DIP和SOP封装。

该HCF4006B是由4个单独的"shift

register"段;四个阶段的两个部分，并

具有输出抽头处的两个部分的五个阶段

第四阶段。每个部分都有一个独立的

"single rail"数据路径。公共时钟信号

用于所有阶段。数据被移动到下一个

级上的时钟的负向过渡。

通过输入相应的连接和

输出的4多寄存器段，图5，图8和9

阶段或者是10个单个寄存器部分，12，13 ，14，

16 ， 17和18可以用一种来实现

HCF4006B包。较长的移位寄存器

段可通过使用以上被组装

1 HCF4006B 。为了便于级联阶段

在时钟的上升和下降时间是缓慢的，可选

输出（ D1 + 4' ），其延迟一个半

时钟周期中，提供了（参见，输出真值表

从引脚2 ）

引脚连接

2001年9月

1/8

HCF4006B

输入等效电路

引脚说明

针无

1, 4, 5, 6

2

13, 11, 10, 8

12, 9

3

7

14

符号

D1至D4

D1+4’

DN + 4

DN + 5

时钟

V

SS

V

DD

名称和功能

数据输入

延迟可选的输出

4级移位寄存器

产量

5级移位寄存器

产量

时钟输入

负电源电压

正电源电压

真值表移位寄存器级

工作原理图

D

L

H

X

时钟*

D+1

L

H

没有变化

真值表输出引脚2

D1 + 4

L

H

X

*：级别更改

X：无关

时钟*

D1 + 4’

L

H

没有变化

逻辑图

2/8

HCF4006B

绝对最大额定值

符号

V

DD

V

I

I

I

P

D

T

op

T

英镑

电源电压

直流输入电压

DC输入电流

每个封装功耗

每个输出晶体管功耗

工作温度

储存温度

参数

价值

-0.5至+22

-0.5到V

DD

+ 0.5

±

10

200

100

-55到+125

-65到+150

单位

V

V

mA

mW

mW

°C

°C

绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作

不是暗示。

所有电压值称为V

SS

引脚电压。

推荐工作条件

符号

V

DD

V

I

T

op

电源电压

输入电压

工作温度

参数

价值

3至20个

0到V

DD

-55至125

单位

V

V

°C

3/8

HCF4006B

DC特定网络阳离子

测试条件

符号

参数

V

I

(V)

0/5

0/10

0/15

0/20

0/5

0/10

0/15

5/0

10/0

15/0

0.5/4.5

1/9

1.5/13.5

4.5/0.5

9/1

13.5/1.5

2.5

4.6

9.5

13.5

0.4

0.5

1.5

V

O

(V)

|I

O

| V

DD

（ μA ）（V ）

5

10

15

20

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

5

10

15

5

10

15

18

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

0.04

0.04

0.04

0.08

4.95

9.95

14.95

0.05

0.05

0.05

3.5

7

11

1.5

3

4

-1.36

-0.44

-1.1

-3.0

0.44

1.1

3.0

-3.2

-1

-2.6

-6.8

1

2.6

6.8

±10

-5

5

±0.1

7.5

-1.1

-0.36

-0.9

-2.4

0.36

0.9

2.4

±1

3.5

7

11

1.5

3

4

-1.1

-0.36

-0.9

-2.4

0.36

0.9

2.4

±1

马克斯。

5

10

20

100

4.95

9.95

14.95

0.05

0.05

0.05

3.5

7

11

1.5

3

4

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

150

300

600

3000

4.95

9.95

14.95

0.05

0.05

0.05

-55到125°C

分钟。

马克斯。

150

300

600

3000

单位

I

L

静态电流

A

V

OH

高电平输出

电压

低电平输出

电压

输入高电平

电压

低电平输入

电压

输出驱动器

当前

V

OL

V

IH

V

IL

I

OH

I

OL

输出灌

当前

输入漏

当前

输入电容

0/5

0/5

0/10

0/15

0/5

0/10

0/15

0/18

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

<1

V

V

V

V

mA

mA

A

pF

I

I

C

I

任何输入

任何输入

噪声余量为"1"和"0"级别： 1V分钟。与V

DD

= 5V ， 2V分钟。与V

DD

= 10V ， 2.5V分钟。与V

DD

=15V

4/8

HCF4006B

动态电气特性

(T

AMB

= 25°C, C

L

= 50pF的，R

L

= 200KΩ ，T

r

= t

f

= 20纳秒）

测试条件

符号

参数

V

DD

(V)

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

分钟。

值（*）

典型值。

200

100

80

100

50

40

100

45

30

15

15

15

50

25

20

5

12

16

马克斯。

ns

单位

t

PLH

t

PHL

传播延迟时间

t

TLH

t

THL

输出转换时间

ns

t

W

时钟脉冲宽度

ns

t

r,

t

f

时钟输入上升或下降

时间*

数据建立时间

s

t

格局

ns

f

最大

最大时钟输入

频率

兆赫

（ * ）的典型温度系数为所有V

DD

值是0.3 ％/ ℃。

测试电路

C

L

= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）

R

L

= 200K

R

T

= Z

OUT

脉冲发生器（通常为50Ω ）

5/8

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