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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第802页 > HBNP2227S6R
CYStech电子股份有限公司
规格。编号： C903S6R
发行日期： 2003年3月18日
修订日期： 2004年6月19日
页页次： 1/6
通用NPN / PNP外延平面晶体管
（双晶体管）
HBNP2227S6R
特点
包括PN2222A芯片和PN2907A芯片采用SOT- 363R包。
安装可能与SOT -323自动装配机器。
晶体管元件是独立的，从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
等效电路
HBNP2227S6R
概要
SOT-363R
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
TR1 （ NPN ）
75
40
6
600
TR2 （ PNP ）
-60
-60
-5
-600
200(total)
*1
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：每个元素* 1为150mW不得超过。
HBNP2227S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
TR1 （ NPN ）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
*V
CE （ SAT ）
*V
BE （ SAT ）
*V
BE （ SAT ）
h
FE
h
FE
h
FE
*h
FE
*h
FE
*h
FE
f
T
COB
分钟。
75
40
6
-
-
-
-
-
-
-
35
50
75
100
50
40
300
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
100
0.3
1.0
1.2
2.0
-
-
-
300
-
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
兆赫
pF
规格。编号： C903S6R
发行日期： 2003年3月18日
修订日期： 2004年6月19日
页页次： 2/6
测试条件
I
C
=10 A
I
C
=10mA
I
E
=10 A
V
CB
=60V
V
CE
=60V,V
EB
=3V
V
EB
=3V
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100 A
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=150mA
V
CE
= 1V ，我
C
=150mA
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA时， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380
S，责任Cycle≤2 ％
TR2 （ PNP ）
符号
分钟。
BV
CBO
-60
BV
首席执行官
-60
BV
EBO
-5
I
CBO
-
I
CEX
-
I
EBO
-
*V
CE （ SAT ）
-
*V
CE （ SAT ）
-
*V
BE （ SAT ）
-
*V
BE （ SAT ）
-
h
FE
75
h
FE
100
h
FE
100
*h
FE
100
*h
FE
50
f
T
200
COB
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-10
-50
-100
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
-
-
-
300
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
-
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-10 A
I
C
=-10mA
I
E
=-10 A
V
CB
=-50V
V
CE
=-30V,V
EB
=-0.5V
V
EB
=-3V
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ，我
B
=-15mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-100 A
V
CE
= -10V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -20V ，我
C
= -50mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380
S，责任Cycle≤2 ％
HBNP2227S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
TR1 （ NPN ）
电流增益VS集电极电流
1000
饱和电压 - （毫伏）
1000
规格。编号： C903S6R
发行日期： 2003年3月18日
修订日期： 2004年6月19日
页页次： 3/6
饱和电压与集电极电流
VCE(SAT)@IC=10IB
电流增益---
的hFE
VCE=10V
100
VCE=1V
100
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
饱和电压与集电极电流
10000
VBE(SAT)@IC=10IB
饱和电压 - （毫伏）
截止频率（MHz ）
1000
截止频率与集电极电流
VCE=20V
1000
100
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
100
1
10
集电极电流IC --- （MA ）
100
HBNP2227S6R
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TR2 （ PNP ）
电流增益VS集电极电流
1000
HFE@VCE=10V
饱和电压 - （毫伏）
电流增益---
的hFE
1000
VCE(SAT)@IC=10IB
规格。编号： C903S6R
发行日期： 2003年3月18日
修订日期： 2004年6月19日
页页次： 4/6
饱和电压与集电极电流
100
100
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
饱和电压&集电极电流
10000
VBE(SAT)@IC=10IB
饱和电压 - （毫伏）
截止频率（MHz ）
1000
截止频率与集电极电流
VCE=20V
1000
100
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
100
1
10
集电极电流IC --- （MA ）
100
功率降额曲线
250
功耗--- PD （MW ）
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
环境温度--- TA （ ℃ ）
HBNP2227S6R
CYStek产品规格
d
UAL
单身
CYStech电子股份有限公司
REEL DIMENSION
规格。编号： C903S6R
发行日期： 2003年3月18日
修订日期： 2004年6月19日
页页次： 5/6
载带尺寸
HBNP2227S6R
CYStek产品规格
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HYE18L512320BF-7.5
HE722B0435
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封装
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