HB56U132系列
1,048,576-word
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32位高动态密度内存模块
描述
该HB56U132是1M
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32动态RAM模块，安装8个4兆位DRAM （ HM514405CS ）
在SOJ包装密封。
在HB56U132的轮廓是72脚单列直插式封装。因此， HB56U132使高密度
安装可能没有表面贴装技术。该HB56U132提供了常见的数据输入和
输出。去耦电容器被安装在模块基板的每个SOJ下方。
该HB56U132提供了扩展数据输出（ EDO ）页面模式的高速接入方式。
特点
72脚单列直插式封装
- 引线间距： 1.27毫米
采用5 V （ ± 5 ％ ）电源
高速
- 访问时间：吨
RAC
= 60/70 NS （最大值）
低功耗
- 主动模式： 4.62 / 4.20 W（最大）
- 待机模式： 84毫瓦（最大）
EDO页面模式功能
1024刷新周期： 16毫秒
刷新2变化
—
RAS-只
刷新
—
CAS先于RAS
刷新
TTL兼容
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