【HB56SW3272ESK-5/6缓冲256MB EDO DRAM DIMM32-Mword×72位】,IC型号HB56SW3272ESK-6,HB56SW3272ESK-6 PDF资料,HB56SW3272ESK-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

HB56SW3272ESK-5/6

缓冲256MB EDO DRAM DIMM

32-Mword

×

72位， 4K刷新， 2银模块

（ 36个16M的

×

4组件）

ADE - 203-872B （ Z）

1.0版

1998年6月23日

描述

该HB56SW3272ESK属于8个字节的DIMM （双列直插式内存模块）系列，并已

开发了4和8字节的处理器应用优化的主存储器解决方案。该

HB56SW3272ESK是32男

×

72动态内存模块，安装36个64兆DRAM

（ HM5165405 ）中的TCP包的密封和2个16位的BiCMOS线驱动密封在TSSOP

封装。该HB56SW3272ESK提供扩展数据输出（ EDO ）页面模式作为一种高速接入

模式。在HB56SW3272ESK的轮廓是168针插座式封装（双导出来）。因此，该

HB56SW3272ESK进行高密度安装可能没有表面贴装技术。该

HB56SW3272ESK提供共用数据输入和输出。去耦电容的旁边安装

每个TCP上的模块板。

注意：不要推盖或删除模块，以便从机械缺陷，保护它

将电气缺陷。

特点

168针插座式封装（双引出来）

引线间距： 1.27毫米

3.3 V单电源（ ± 0.3 V ）

高速

访问时间：吨

RAC

= 50纳秒/ 60纳秒（最大）

访问时间：吨

CAC

= 18纳秒/ 20纳秒（最大）

低功耗

主动模式： 8.78 W / 7.49 W（最大）

待机模式（ TTL ）： 295.2万千瓦（最大）

JEDEC标准大纲缓冲的8个字节的DIMM

缓冲输入除

RAS

和DQ

HB56SW3272ESK-5/6

4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）

EDO页面模式功能

4096刷新周期： 64毫秒

刷新2变化

RAS-只

刷新

CAS先于RAS

刷新

订购信息

型号

HB56SW3272ESK-5

HB56SW3272ESK-6

存取时间

50纳秒

60纳秒

包

168针双导出来

插座类型

接触焊盘

金

管脚配置

1针10针11针

40针41针

84 PIN

85针94针95针124针125针

168针

2

HB56SW3272ESK-5/6

PIN号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

信号名称引脚号

V

SS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

V

CC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

V

SS

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

V

CC

DQ14

DQ15

DQ16

DQ17

V

SS

NC

V

CC

WE0

CE0

NC

RE0

OE0

V

SS

A0

A2

A4

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

76

77

信号名称引脚号

V

SS

OE2

RE2

CE4

NC

WE2

V

CC

NC

DQ18

DQ19

V

SS

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

V

CC

DQ24

NC

DQ25

DQ26

DQ27

V

SS

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

V

CC

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

信号名称引脚号

V

SS

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

V

CC

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

V

SS

DQ45

DQ46

DQ47

DQ48

DQ49

V

CC

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

V

SS

NC

V

CC

NC

CE1

NC

RE1

NC

V

SS

A1

A3

A5

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160

161

信号名称

V

SS

NC

RE3

CE5

NC

PDE

V

CC

NC

DQ54

DQ55

V

SS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

V

CC

DQ60

NC

DQ61

DQ62

DQ63

V

SS

DQ64

DQ65

DQ66

DQ67

V

CC

DQ68

DQ69

DQ70

DQ71

3

HB56SW3272ESK-5/6

管脚配置

（续）

PIN号

36

37

38

39

40

41

42

信号名称引脚号

A6

A8

A10

NC

V

CC

NC

78

79

80

81

82

83

84

信号名称引脚号

V

SS

PD1

PD3

PD5

PD7

ID0 （V

SS

)

V

CC

120

121

122

123

124

125

126

信号名称引脚号

A7

A9

A11

NC

V

CC

NC

B0

162

163

164

165

166

167

168

信号名称

V

SS

PD2

PD4

PD6

PD8

ID1 （V

SS

)

V

CC

引脚说明

引脚名称

A0到A11 ， B0

功能

地址输入

行地址（ D0到D35 ）

列地址（ D0到D35 ）

刷新地址（D0至D35 ）

DQ0到DQ71

RE0

to

RE3

CE0 ， CE1 ， CE4 ， CE5

WE0 ， WE2

OE0 ， OE2

PD1到PD8

ID0 ， ID1

PDE

V

CC

V

SS

NC

数据输入/输出

行地址选通（RAS）的

列地址选通（CAS ）

读/写使能

OUTPUT ENABLE

设备检测

ID位

设备检测启用

电源

地

无连接

A0到A11 ， B0

4

HB56SW3272ESK-5/6

存在检测引脚分配

（由控制

PDE

针）

PDE

= LOW

引脚名称

PD1

PD2

PD3

PD4

PD5

PD6

PD7

PD8

PIN号

79

163

80

164

81

165

82

166

50纳秒

1

0

1

0

60ns

1

0

1

0

PDE

=高

所有

高-Z

注： 1：高电平（驱动器输出）。 0 ：低电平（驱动器输出）

5

HB56SW3272ESK-5/6

缓冲256MB EDO DRAM DIMM

32-Mword

×

72位， 4K刷新， 2银模块

（ 36个16M的

×

4组件）

ADE - 203-872B （ Z）

1.0版

1998年6月23日

描述

该HB56SW3272ESK属于8个字节的DIMM （双列直插式内存模块）系列，并已

开发了4和8字节的处理器应用优化的主存储器解决方案。该

HB56SW3272ESK是32男

×

72动态内存模块，安装36个64兆DRAM

（ HM5165405 ）中的TCP包的密封和2个16位的BiCMOS线驱动密封在TSSOP

封装。该HB56SW3272ESK提供扩展数据输出（ EDO ）页面模式作为一种高速接入

模式。在HB56SW3272ESK的轮廓是168针插座式封装（双导出来）。因此，该

HB56SW3272ESK进行高密度安装可能没有表面贴装技术。该

HB56SW3272ESK提供共用数据输入和输出。去耦电容的旁边安装

每个TCP上的模块板。

注意：不要推盖或删除模块，以便从机械缺陷，保护它

将电气缺陷。

特点

168针插座式封装（双引出来）

引线间距： 1.27毫米

3.3 V单电源（ ± 0.3 V ）

高速

访问时间：吨

RAC

= 50纳秒/ 60纳秒（最大）

访问时间：吨

CAC

= 18纳秒/ 20纳秒（最大）

低功耗

主动模式： 8.78 W / 7.49 W（最大）

待机模式（ TTL ）： 295.2万千瓦（最大）

JEDEC标准大纲缓冲的8个字节的DIMM

缓冲输入除

RAS

和DQ

HB56SW3272ESK-5/6

4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）

EDO页面模式功能

4096刷新周期： 64毫秒

刷新2变化

RAS-只

刷新

CAS先于RAS

刷新

订购信息

型号

HB56SW3272ESK-5

HB56SW3272ESK-6

存取时间

50纳秒

60纳秒

包

168针双导出来

插座类型

接触焊盘

金

管脚配置

1针10针11针

40针41针

84 PIN

85针94针95针124针125针

168针

2

HB56SW3272ESK-5/6

PIN号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

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21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

信号名称引脚号

V

SS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

V

CC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

V

SS

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

V

CC

DQ14

DQ15

DQ16

DQ17

V

SS

NC

V

CC

WE0

CE0

NC

RE0

OE0

V

SS

A0

A2

A4

43

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46

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49

50

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53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

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66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

76

77

信号名称引脚号

V

SS

OE2

RE2

CE4

NC

WE2

V

CC

NC

DQ18

DQ19

V

SS

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

V

CC

DQ24

NC

DQ25

DQ26

DQ27

V

SS

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

V

CC

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

85

86

87

88

89

90

91

92

93

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101

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118

119

信号名称引脚号

V

SS

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

V

CC

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

V

SS

DQ45

DQ46

DQ47

DQ48

DQ49

V

CC

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

V

SS

NC

V

CC

NC

CE1

NC

RE1

NC

V

SS

A1

A3

A5

127

128

129

130

131

132

133

134

135

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137

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139

140

141

142

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150

151

152

153

154

155

156

157

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159

160

161

信号名称

V

SS

NC

RE3

CE5

NC

PDE

V

CC

NC

DQ54

DQ55

V

SS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

V

CC

DQ60

NC

DQ61

DQ62

DQ63

V

SS

DQ64

DQ65

DQ66

DQ67

V

CC

DQ68

DQ69

DQ70

DQ71

3

HB56SW3272ESK-5/6

管脚配置

（续）

PIN号

36

37

38

39

40

41

42

信号名称引脚号

A6

A8

A10

NC

V

CC

NC

78

79

80

81

82

83

84

信号名称引脚号

V

SS

PD1

PD3

PD5

PD7

ID0 （V

SS

)

V

CC

120

121

122

123

124

125

126

信号名称引脚号

A7

A9

A11

NC

V

CC

NC

B0

162

163

164

165

166

167

168

信号名称

V

SS

PD2

PD4

PD6

PD8

ID1 （V

SS

)

V

CC

引脚说明

引脚名称

A0到A11 ， B0

功能

地址输入

行地址（ D0到D35 ）

列地址（ D0到D35 ）

刷新地址（D0至D35 ）

DQ0到DQ71

RE0

to

RE3

CE0 ， CE1 ， CE4 ， CE5

WE0 ， WE2

OE0 ， OE2

PD1到PD8

ID0 ， ID1

PDE

V

CC

V

SS

NC

数据输入/输出

行地址选通（RAS）的

列地址选通（CAS ）

读/写使能

OUTPUT ENABLE

设备检测

ID位

设备检测启用

电源

地

无连接

A0到A11 ， B0

4

HB56SW3272ESK-5/6

存在检测引脚分配

（由控制

PDE

针）

PDE

= LOW

引脚名称

PD1

PD2

PD3

PD4

PD5

PD6

PD7

PD8

PIN号

79

163

80

164

81

165

82

166

50纳秒

1

0

1

0

60ns

1

0

1

0

PDE

=高

所有

高-Z

注： 1：高电平（驱动器输出）。 0 ：低电平（驱动器输出）

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