HB56A472E系列
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72位的高密度动态内存模块
描述
该HB56A472E属于8字节DIMM (双列直插式内存模块)系列,并已开发出
为4和8字节处理器应用的优化主存储器解决方案。该HB56A472E是一个4米
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72动态RAM模块,安装18个16兆位DRAM ( HM5116400BTS )的TSOP封
包和2个16位的BiCMOS线驱动器( 74ABT16244 )密封在TSSOP封装。轮廓
该HB56A472E的是168针插座式封装(双导出来) 。因此, HB56A472E使得高
密度安装可能没有表面贴装技术。该HB56A472E提供通用的数据
输入和输出。去耦电容安装在模块板的每个TSOP旁边。
特点
168针插座式封装(双引出来)
引线间距: 1.27毫米
采用5 V ( ± 5 % )电源
高速
访问时间:吨
RAC
= 60/70/80 NS (最大值)
访问时间:吨
CAC
= 20/23/25 NS (最大值)
低功耗
主动模式: 7.90 / 6.95 / 6.48 W(最大)
待机模式( TTL ) : 525毫瓦(最大)
待机模式( CMOS ) : 431毫瓦(最大)
除了缓冲输入
RAS
和DQ
4字节交织启用,双地址输入( A0 / B0 )
快页模式功能
4096刷新周期: 64毫秒
刷新2变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
TTL兼容
这种材料版权归其各自的制造商