数据表
注册1GB DDR SDRAM DIMM
HB54R1G9F2 - A75B / B75B / 10B （ 128M词
×
72位， 2家银行）
描述
该HB54R1G9F2是128M
×
72
×
2银行双
数据速率（ DDR ） SDRAM模块，安装36件
的256Mbits DDR SDRAM （ HM5425401BTB ）密封
的TCP包， 1片的锁相环时钟驱动器，2块的
注册驱动器和1个串行EEPROM （ 2K位
EEPROM ），用于检测（ PD ） 。读取和写入
操作都在CK的交叉点处执行
和/ CK 。这种高速数据传输来实现
由2位预取指令流水线架构。数据
选通（DQS ），既用于读操作，写操作可用于
高速，可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中，芯片上的延迟锁定
回路（ DLL） ，可设置启用或禁用。的轮廓
该产品是184针插座式封装（双导
出） 。因此，它使高密度安装
可能没有表面贴装技术。它提供
常见的数据输入和输出。
脱钩
电容器被安装在每个TCP旁
模块板。
注意：不要推盖或删除模块
为了从机械缺陷，保护它
将电气缺陷。
特点
184针插座式封装（双引出来）
概要： 133.35毫米（长）
×
43.18毫米（高）
×
4.80毫米（厚度）
引线间距： 1.27毫米
2.5V电源（ VCC / VCCQ ）
所有的输入和输出SSTL - 2接口
时钟频率： 143MHz下/ 133MHz的/ 125MHz的（最大）
数据输入和输出都与DQS同步
4银行可以同时运行，
独立地（组成）
突发读/写操作
可编程的突发长度： 2，4， 8
突发读取停止功能
可编程的突发序列
顺序
交错
开始寻址能力
奇数和偶数
可编程/ CAS延迟（CL） ： 3,3.5
8192刷新周期： 7.8μs （ 8192 / 64毫秒）
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0089H40 （版本4.0 ）
发布日期2002年8月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2001-2002年
Hitachi ，
有限公司2000
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
HB54R1G9F2-A75B/B75B/10B
订购信息
产品型号
HB54R1G9F2-A75B*
HB54R1G9F2-B75B*
2
HB54R1G9F2-10B*
1
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
133
133
100
/ CE潜伏期
3.0
3.5
3.0
包
接触焊盘
184针双引出插座
金
TYPE
注：在/ 1 143MHz下运行CAS延迟= 3.5 。
在/ CAS延迟2 100MHz的操作= 3.0 。
在/ CAS延迟3 125MHz的操作= 3.5 。
销刀豆网络gurations
正面
1针
52针53针
92针
93针
背面
144针145针184针
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
引脚名称
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VCC
DQ3
NC
/ RESET
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VCCQ
NC
NC
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VCCQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
PIN号
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
引脚名称
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
DQ32
VCCQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
VCCQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VCC
NC
DQ48
DQ49
VSS
PIN号
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VCCQ
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
NC
VCCQ
DQ12
DQ13
DM1/DQS10
VCC
DQ14
DQ15
CKE1
VCCQ
NC
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2/DQS11
VCC
PIN号
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
引脚名称
VSS
DM8/DQS17
A10
CB6
VCCQ
CB7
VSS
DQ36
DQ37
VCC
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
/ RAS
DQ45
VCCQ
/S0
/S1
DM5/DQS14
VSS
DQ46
DQ47
NC
VCCQ
DQ52
DQ53
数据表E0089H40 （版本4.0 ）
2
数据表
注册1GB DDR SDRAM DIMM
HB54R1G9F2 - B75B / 10B （ 128M词
×
72位， 2级）
描述
该HB54R1G9F2是128M
×
72
×
2列双
数据速率（ DDR ） SDRAM模块，安装36件
的256Mbits DDR SDRAM封装在TCP包中， 1
片的锁相环时钟驱动器， 2个寄存器驱动
和1个串行EEPROM （ 2K位EEPROM ），用于
存在检测（ PD ） 。读取和写入操作
在CK和/ CK的交叉点处执行。
这个高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线架构。数据选通（ DQS ）
既用于读操作，写操作可用于高速和
可靠的数据总线设计。通过设置扩展模式
寄存器中，芯片上的延迟锁定环（DLL），可以是
设置启用或禁用。该产品的轮廓
184针插座式封装（双导出来） 。
因此，它使高密度安装可能
没有表面贴装技术。它提供了常见的
数据输入和输出。去耦电容
安装在所述模块基板的每个TCP旁边。
注意：不要推盖或删除模块
为了从机械缺陷，保护它
将电气缺陷。
特点
184针插座式封装（双引出来）
概要： 133.35毫米（长）
×
43.18毫米（高）
×
4.80毫米（厚度）
引线间距： 1.27毫米
2.5V电源（ VCC / VCCQ ）
所有的输入和输出SSTL - 2接口
时钟频率： 133MHz的/ 125MHz的（最大）
数据输入和输出都与DQS同步
4银行可以同时运行，
独立地（组成）
突发读/写操作
可编程的突发长度： 2，4， 8
突发读取停止功能
可编程的突发序列
顺序
交错
开始寻址能力
奇数和偶数
可编程/ CAS延迟（CL） ： 3,3.5
8192刷新周期： 7.8μs （ 8192 / 64毫秒）
刷新2变化
自动刷新
自刷新
EO
一号文件E0089H50 （版本5.0 ）
发布日期2003年3月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL于2004年5月。
Elpida
内存方面，公司2001年-2003年
Hitachi ，
有限公司2000
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
od
Pr
t
uc
HB54R1G9F2-B75B/10B
订购信息
产品型号
HB54R1G9F2-B75B*
HB54R1G9F2-10B*
2
1
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
133
100
/ CE潜伏期
3.5
3.0
包
接触焊盘
184针双引出插座
金
TYPE
注：在/ 1 100MHz的运行CAS延迟= 3.0 。
在/ CAS延迟2 125MHz的操作= 3.5 。
销刀豆网络gurations
正面
1针
52针53针
92针
EO
PIN号
1
引脚名称
VREF
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VCC
DQ3
NC
/ RESET
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VCCQ
NC
NC
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VCCQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VCCQ
数据表E0089H50 （版本5.0 ）
93针
背面
144针145针184针
PIN号
47
48
49
50
引脚名称
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
DQ32
VCCQ
DQ33
PIN号
93
94
95
96
97
98
99
100
101
引脚名称
VSS
DQ4
DQ5
VCCQ
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
VSS
NC
PIN号
139
140
141
142
143
144
145
146
147
引脚名称
VSS
DM8/DQS17
A10
CB6
VCCQ
CB7
VSS
DQ36
DQ37
VCC
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
/ RAS
DQ45
VCCQ
/S0
/S1
DM5/DQS14
L
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
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66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
od
Pr
DQS4
102
NC
148
DQ34
VSS
BA0
103
NC
149
104
VCCQ
150
105
DQ12
151
DQ35
106
DQ13
152
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DM1/DQS10
VCC
153
VCCQ
/ WE
108
154
109
DQ14
155
DQ41
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DQ15
156
/ CAS
VSS
111
CKE1
157
112
VCCQ
158
DQS5
DQ42
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VCC
NC
DQ48
DQ49
VSS
NC
NC
113
NC
159
114
115
116
117
118
119
120
121
122
DQ20
A12
VSS
160
161
162
DQ21
A11
163
164
DM2/DQS11
VCC
165
166
DQ22
A8
167
168
t
uc
VSS
DQ46
DQ47
NC
VCCQ
DQ52
DQ53
NC
VCC
2
QQ：2880707522 复制
