数据表
512MB无缓冲SDRAM S.O.DIMM
HB52RF649DC -B （ 64M字
×
72位， 2行）
HB52RD649DC -B （ 64M字
×
72位， 2行）
描述
该HB52RF649DC ， HB52RD649DC是64M
×
72
×
2银行同步动态RAM小外形
双列直插式内存模块（ S.O.DIMM ） ，安装18
256M的位片SDRAM封装在TCP包
和1片的串行EEPROM （ 2k个比特）为存在
检测（ PD ） 。该产品的外形是144针齐格
字形双片式插座小型化，薄型封装。
因此，他们提出的高密度安装可能
没有表面贴装技术。
它们提供
常见的数据输入和输出。
脱钩
电容器被安装的TCP旁边的模块上
板。
注意：不要推盖或删除模块
为了从机械缺陷，保护它
将电气缺陷。
特点
JEDEC标准的大纲8 ：完全兼容
字节S.O.DIMM
144针之字形双片式插座（双引出来）
PCB高度： 33.02毫米（ 1.30inch ）
引线间距： 0.80毫米
3.3V电源
时钟频率： 133MHz的/ 100MHz的（最大）
LVTTL接口
数据总线宽度：
×
72 ECC
单脉冲/ RAS
4银行可以同时操作和
独立地
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2，4， 8
爆序列的2个版本
顺序
交错
可编程的/ CE的延迟（CL） ：2,3
通过DQMB字节控制
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
低自刷新电流
： HB52RF649DC - xxBL （L-版本）
： HB52RD649DC - xxBL （L-版本）
一号文件E0223H30 （ 3.0版）
发布日期2002年4月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2001-2002年
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
HB52RF649DC -B ， HB52RD649DC -B
订购信息
产品型号
HB52RF649DC-75B*
HB52RF649DC-75BL*
1
HB52RD649DC-A6B*
1
HB52RD649DC-A6BL*
1
1
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
133兆赫
133兆赫
100兆赫
100兆赫
/ CE潜伏期
3
3
2, 3
2, 3
包
144针S.O.DIMM
接触焊盘
金
安装设备
256M位的SDRAM TCP *
2
注：在/ 1 100MHz的运行CE延时= 2 。
2.请参考TSOP产品HM5225XX5B数据表（ E0082H ）查看详细信息。
销刀豆网络gurations
正面
1pin
2pin
59pin
60pin
61pin
62pin
143pin
144pin
背面
正面
PIN号
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQMB0
DQMB1
VCC
A0
A1
A2
VSS
PIN号
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
引脚名称
NC
VSS
CB2
CB3
VCC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
A6
A8
VSS
背面
PIN号
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
引脚名称
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQMB4
DQMB5
VCC
A3
A4
A5
VSS
PIN号
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
引脚名称
CK1
VSS
CB6
CB7
VCC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VSS
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VCC
A7
BA0
VSS
数据表E0223H30 （ 3.0版）
2
HB52RF649DC -B ， HB52RD649DC -B
正面
PIN号
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
引脚名称
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VCC
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
CB0
CB1
CK0
VCC
/ RE
/W
/S0
/S1
PIN号
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
引脚名称
A9
A10 （ AP）
VCC
DQMB2
DQMB3
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SDA
VCC
背面
PIN号
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
引脚名称
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VCC
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VSS
CB4
CB5
CKE0
VCC
/ CE
CKE1
A12
NC
PIN号
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
引脚名称
BA1
A11
VCC
DQMB6
DQMB7
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
SCL
VCC
引脚说明
引脚名称
A0到A12
功能
地址输入
行地址
列地址
A0到A12
A0到A9
BA0 ， BA1
DQ0到DQ63
CB0到CB7
/S0, /S1
/ RE
/ CE
/W
DQMB0到DQMB7
CK0 ， CK1
CKE0 ， CKE1
SDA
SCL
VCC
VSS
NC
银行选择地址
数据输入/输出
校验位（数据输入/输出）
芯片选择
行地址断言银行启用
列地址断言
写使能
字节输入/输出的掩码
时钟输入
时钟使能
数据输入/输出的串行的PD
时钟输入串行PD
电源
地
无连接
数据表E0223H30 （ 3.0版）
3
HB52RF649DC -B ， HB52RD649DC -B
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
所使用的模块的字节数
生产厂家
总SPD内存大小
内存类型
行地址数位
列地址数位
银行的数量
模块数据宽度
模块的数据宽度（续）
模块接口信号电平
SDRAM的周期时间
（最高/ CE潜伏期）
（ -75 ） 7.5ns
（ -A6 ）为10ns
位7位6位5位4位3位2位1位0的十六进制值
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
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0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
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0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
80
08
04
0D
0A
02
48
00
01
75
A0
54
60
02
82
08
08
01
0F
04
06
01
01
00
0E
A0
评论
128
256byte
SDRAM
13
10
2
72
0 (+)
LVTTL
CL = 3
10
从时钟SDRAM存取（最高
/ CE潜伏期）
0
（ -75 ） 5.4ns
（ -A6 ）为6ns
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
模块配置类型
刷新率/类型
SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性：
最小时钟延时返回，用于─
回到随机列地址
SDRAM器件的属性：
突发长度支持
SDRAM器件属性：数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性：
/ CE潜伏期
SDRAM器件的属性：
/ S延迟
SDRAM器件的属性：
/ W延迟
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
SDRAM的周期时间
（第二最高/ CE潜伏期）
10ns
从时钟SDRAM的访问（第2
最高/ CE潜伏期）
6ns
SDRAM的周期时间
（ 3最高/ CE潜伏期）
未定义
ECC
正常
(7.8125s)
自刷新
×
8
×
8
1 CLK
1, 2, 4, 8
4
2, 3
0
0
无缓冲
VCC的± 10％的
CL = 2
24
0
1
1
0
0
0
0
0
60
25
0
0
0
0
0
0
0
0
00
数据表E0223H30 （ 3.0版）
4
HB52RF649DC -B ， HB52RD649DC -B
第一个字节
26
27
28
函数来描述
从时钟SDRAM的访问（第3
最高/ CE潜伏期）
未定义
最小行预充电时间
行主动到行主动分钟
(-75)
(-A6)
29
30
/ RE为/ CE延迟分
最小/ RE脉冲宽度
(-75)
(-A6)
31
32
模块每家银行的密度
地址和命令信号输入
建立时间
(-75)
(-A6)
33
地址和命令信号输入
保持时间
(-75)
(-A6)
34
数据信号输入建立时间
(-75)
(-A6)
35
数据信号输入保持时间
(-75)
(-A6)
36至61
62
63
超信息
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0到62
(-75)
(-A6)
64
65至71
72
73
74
75
76
77
78
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码
生产地点
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
(-75)
(-A6)
79
80
81
82
83
84
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
制造商零件编号
位7位6位5位4位3位2位1位0的十六进制值
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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×
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×
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1
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1
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0
0
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0
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×
0
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×
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×
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×
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×
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0
0
1
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00
14
0F
14
14
2D
32
40
15
20
08
10
15
20
08
10
00
12
5D
C4
07
00
××
48
42
35
32
52
46
44
36
34
39
44
43
2D
*
2
（ ASCII - 8位代码）
H
B
5
2
R
F
D
6
4
9
D
C
20ns
15ns
20ns
20ns
45ns
50ns
256M字节
1.5ns
2.0ns
0.8ns
1.0ns
1.5ns
2.0ns
0.8ns
1.0ns
未来使用
牧师1.2B
93
196
HITACHI
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