【HAT3004R硅N沟道/ P沟道功率MOS FET高速电源开关REJ03G1196-1100（上一】,IC型号HAT3004R,HAT3004R PDF资料,HAT3004R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT3004R

硅N沟道/ P沟道功率MOS FET

高速电源开关

REJ03G1196-1100

（上一个： ADE- 208-500I ）

Rev.11.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

7 8

D D

5 6

D D

65

87

12

34

2

G

4

G

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S1

NCH

S3

PCH

Rev.11.00 2005年9月7日第1页10

HAT3004R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

注1

价值

NCH

30

±20

5.5

44

5.5

2

3

150

PCH

–30

±20

–3.5

–28

–3.5

单位

V

A

W

°C

I

DR

注2

PCH

总胆固醇

注3

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

N沟道

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

±20

—

1.0

—

3.5

—

典型值

—

0.050

0.078

5.5

310

220

100

17

190

25

60

0.9

50

最大

—

±10

10

2.0

0.065

0.11

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注4

I

D

= 3 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

注4

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 3 A

V

DD

10 V

注4

I

F

= 5.5 A，V

GS

= 0

I

F

= 5.5 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 20 A / μs的

注4

Rev.11.00 2005年9月7日第2页10

HAT3004R

P沟道

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

5.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

–30

±20

—

–1.0

—

2.5

—

典型值

—

0.12

0.20

3.5

350

230

75

18

110

20

30

–1.0

60

最大

—

±10

–10

–2.5

0.16

0.34

—

–1.5

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= -3.5 A，V

GS

= 0

I

F

= -3.5 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 20 A / μs的

注5

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

I

D

= -2 A ，V

GS

= –10 V

注5

I

D

= -2 A ，V

GS

= –4 V

I

D

= -2 A ，V

DS

= –10 V

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= -4 V，I

D

= –2 A

V

DD

–10 V

注5

Rev.11.00 2005年9月7日第3页10

HAT3004R

主要特点

N沟道

最高安全工作区

100

30

10

s

20

典型的输出特性

10 V

8V

6V

5V

脉冲测试

I

D

(A)

I

D

(A)

10

0

10

3

1

0.3

0.1

DC

PW

1

s

16

m

4.5 V

4V

Op

=

s

漏电流

(P

操作

W

No

≤

1

TE 6

这个区域是

0

限于由R

DS （ ON）

s)

漏电流

er

at

10

离子

ms

12

8

3.5 V

3V

V

GS

= 2.5 V

TA = 25°C

0.03 1次脉冲

1驱动器操作

0.01

1

3

0.1 0.3

4

0

10

30

100

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

注6 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的传输特性

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

20

–25°C

TC = 75℃

0.5

脉冲测试

I

D

(A)

16

25°C

0.4

12

0.3

漏电流

I

D

= 5 A

8

0.2

2A

0.1

1A

0

2

4

6

8

10

4

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

2

4

6

8

10

栅极至源极电压

V

GS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

1

脉冲测试

0.5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.20

脉冲测试

0.16

I

D

= 5 A

V

GS

= 4 V

0.08

2A

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

1A

0.2

0.1

0.05

10 V

0.02

0.01

0.2

V

GS

= 4 V

0.12

0.04

10 V

0

–40

0

40

1 A, 2 A, 5 A

0.5

1

2

5

10

20

80

120

160

漏电流

I

D

(A)

外壳温度

TC （ ℃）

Rev.11.00 2005年9月7日第4页10

HAT3004R

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

反向恢复时间trr （ NS ）

20

10

5

2

1

0.5

75°C

25°C

TC = -25°C

500

体漏二极管的反向

恢复时间

200

100

50

20

10

5

0.1

的di / dt = 20A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

1

2

5

10

0.2

0.1

0.2

0.5

1

2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

5

10

20

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

V

DS

(V)

1000

500

50

反向漏电流

I

DR

(A)

动态输入特性

I

D

= 5.5 A

40

16

电容C （PF ）

西塞

200

100

CRSS

50

科斯

漏源极电压

30

V

DS

20

V

DD

= 5 V

10 V

20 V

V

GS

12

8

20

10

0

10

20

30

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

40

50

V

DD

= 20 V

10 V

5V

0

2

4

6

8

10

4

0

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

开关特性

500

20

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

DR

(A)

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

PW = 3

s,

税

≤

1 %

开关时间t（ NS ）

200

100

tr

tf

16

V

GS

= 5 V

12

50

TD （关闭）

20

10

5

0.1

TD （上）

8

0,

–

5 V

4

脉冲测试

0

0.2

0.5

1

2

5

10

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏电流

I

D

(A)

源极到漏极电压

V

SD

(V)

Rev.11.00 2005年9月7日第5页10

栅极至源极电压

V

GS

(V)

20

HAT3004R

硅N和P沟道功率MOS FET

应用

高速电源开关

SOP–8

7

65

8

特点

低导通电阻

能够4V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

7 8

D

1

2

G

1

4

G

2

D

2

3

1 2

5 6

4

订购信息

————————————————————

日立代码

EIAJ代码

JEDEC代码

FP–8DA

—

MS–012AA

S

1

S

2

3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

————————————————————

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

NCH

PCH

评级

————————

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

PCH ***

PCH **

总胆固醇

TSTG

NCH

30

±20

3.5

14

2.0

1.3

150

-55到+150

PCH

–30

±20

–2.5

–10

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

1驱动器操作：

***

2驱动器运转时采用表面安装在FR4板

HAT3004R （ N沟道）

表2电气特性N沟道

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

30

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

VDS = 10 V，I

D

= 1毫安

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

1.0

—

(0.08)

±10

10

2.0

0.1

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= 2A

V

GS

= 10V *

I

D

= 2A

V

GS

= 4V *

I

D

= 2 A

V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A

V

DD

= 10 V

————————————————————————

—

(0.11)

0.15

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

(2.0)

(3.0)

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

(180)

(110)

(45)

(10)

(60)

(25)

(20)

(0.8)

—

pF

ns

V

I

F

= 3.5A ，V

GS

= 0

I

F

= 3.5A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

(50)

—

ns

———————————————————————————————————————————

HAT3004R （ P沟道）

表2电气特性P通道

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

–30

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0

VDS = -10 V，I

D

= -1毫安

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

–1.0

—

(0.13)

±10

–10

–2.0

0.25

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= –1 A

V

GS

= –10 V *

I

D

= –1 A

V

GS

= –4 V *

I

D

= –1 A

V

DS

= –10 V *

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= -4 V，I

D

= –1 A

V

DD

= –10 V

————————————————————————

—

(0.2)

0.4

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

(2.0)

(3.0)

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

(250)

(150)

(60)

(10)

(60)

(20)

(25)

(–0.8)

—

pF

ns

V

I

F

= -2.5A ，V

GS

= 0

I

F

= -2.5A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

(50)

—

ns

———————————————————————————————————————————

HAT3004R

功率与温度降额

2.0

P沟* （W）的

***

1.5

**

1.0

散热通道

0.5

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

*当使用表面安装在FR4板

** 1驱动器操作

*** 2驱动器操作

包装尺寸

单位：mm

SOP- 8

5.2 MAX

4.05最大

8

5

1

0.75最大

4

1.75最大

6.3最大

0.05

0.20

+ 0.02

–

0 – 10 °

1.27

0.40

+ 0.10

– 0.05

0.10 ± 0.10

0.25

0.60

+ 0.18

–

0.1

0.12

M

日立代码FP- 8DA

—

EIAJ

MS-012AA

JEDEC