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HAT2279H

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1464-0200

Rev.2.00

2006年7月5日

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 9.5 m

（典型值）。（在V

GS

= 10 V)

无铅

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A ）

（包名称： LFPAK ）

5

D

5

4

4

G

3

12

1，2， 3源

4

门

5

漏

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在总胆固醇= 25

°

C， RG

≥

50

3.锝= 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

AP注2

E

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

80

±20

30

120

30

25

83

25

5

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

°

C / W

°

C

°

C

Rev.2.00 2006年7月5日第

1

of

7

HAT2279H

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

80

—

—

0.8

—

—

42

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

9.5

11

70

3520

410

160

0.5

60

9.5

9.0

9.5

14.5

56

9.5

0.83

50

最大

—

±0.5

1

2.3

12

15

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.08

—

单位

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0

V

DS

= 80 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 15 A，V

GS

= 4.5 V

Note4

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

V

DD

= 25 V, V

GS

= 10 V,

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A,

V

DD

30 V ，R

L

= 2

,

RG = 4.7

IF = 30 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 30 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A /

s

Rev.2.00 2006年7月5日第

2

of

7

HAT2279H

主要特点

功率与温度降额

40

1000

100

PW

DC

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

10

s

1

漏电流I

D

(A)

30

10

m

s

0

s

=

10

Op

10

Tc

20

er

at

离子

m

s

=

25

1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

0.1

1

°

C

10

0.1

0.01

0.01

0

50

100

150

200

10

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

3.1 V

10 V

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

30

2.7 V

漏电流I

D

(A)

40

2.9 V

40

30

TC = 75℃

20

20

10

V

GS

= 2.5 V

10

25°C

–25°C

脉冲测试

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

100

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极电压V

DS （ ON）

（毫伏）

200

脉冲测试

160

120

I

D

= 10 A

80

5A

40

2A

V

GS

= 4.5 V

10

10 V

脉冲测试

1

1

10

100

1000

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2006年7月5日第

3

of

7

HAT2279H

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

30

脉冲测试

25

V

GS

= 4.5 V

20

15 I

D

= 2 A, 5 A, 10 A

10

5

0

–25

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

1000

100

TC = -25°C

25°C

10

75°C

1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

100

V

GS

= 10 V

2 A, 5 A, 10 A

0

25

50

75

100 125 150

0.1

0.1

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

西塞

3000

1000

300

100

30

10

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

100

10

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

电容C （PF ）

1

0.1

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

开关特性

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

100

I

D

= 30 A

80

V

DS

= 50 V

25 V

10 V

V

DS

V

GS

栅极至源极电压V

GS

(V)

1000

V

GS

= 10 V, V

DS

= 30 V

RG = 4.7

,

税

≤

1 %

开关时间t（ NS ）

16

100

tf

10

TD （上）

tr

1

0.1

60

12

TD （关闭）

40

8

20

V

DS

= 50 V

25 V

10 V

20

40

60

80

4

0

100

0

1

10

100

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2006年7月5日第

4

of

7

HAT2279H

反向漏电流 -

源极到漏极电压

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

50

100

I

AP

= 25 A

V

DD

= 50 V

值班< 0.1 ％

Rg

≥

50

最大雪崩能量 -

通道温度降额

反向漏电流I

DR

(A)

40

80

30

10 V

V

GS

= 0 V, –5 V

60

20

40

10

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

20

0

25

50

75

100

125

150

源极到漏极电压V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

θch

- C （T ） =

γs

(t)

θch

- c

θch

- C = 5 ° C / W ，TC = 25°C

P

DM

u

tp

LSE

0.05

0.03

0.02

1

0.0

1s

D=

PW

T

PW

T

ho

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

V

DD

V

DS

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

E

AR

=

Rg

D. U.牛逼

I

D

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.2.00 2006年7月5日第

5

of

7

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