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HAT2217C
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G0449-0300
Rev.3.00
五月19.2005
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 105毫欧（典型值） 。 （在V
GS
= 4.5 V)
低驱动电流。
高密度安装
4.5 V门极驱动装置。
概要
瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A
（包名称： CMFPAK - 6 ）
2 3 4 5
DDD D
指数波段
4
5
6
2
3
6
G
1
1.源
2.漏
3.排水
4.漏
5.排水
6.门
S
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
注2
评级
60
+20 / –10
3
12
3
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
散热通道
PCH
1.25
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧树脂板。 （ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
5 s
Rev.3.00 2005年5月19日第1页6
HAT2217C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
分钟。
60
+20
–10
—
—
1
—
—
2.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
105
126
4.3
275
40
16
4.5
0.8
0.7
5
11
35
3
0.85
马克斯。
—
—
±10
1
2
132
183
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.25
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
= 16 / –8 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
Note3
I
D
= 1.5 A，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 1.5 A，V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 1.5 A，V
GS
= 10 V
Note3
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
V
DD
= 10 V
R
L
= 6.6
, R
g
= 4.7
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
Rev.3.00 2005年5月19日第2页6
HAT2217C
主要特点
功率与温度降额
1.6
P沟（W）的
100
30
I
D
(A)
最高安全工作区
TA = 25 ℃，脉搏1SHOT
100
s
当使用FR4板。
1.2
10
3
1
0.3
0.1
0.03
10
s
功耗
漏电流
0.8
PW
1
=
10
m
s
s
m
0.4
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
0.01 0.03 0.1 0.3
1
3
10 30 100
V
DS
(V)
环境温度
漏源极电压
典型的输出特性
10
5V
4V
10 V
脉冲测试
3.5 V
典型的传输特性
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
25°C
25°C
I
D
(A)
8
8
6
漏电流
3V
漏电流
6
TC = 75
°C
4
2.5 V
V
GS
= 2 V
4
2
2
0
2
4
6
漏源极电压
8
10
V
DS
(V)
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
800
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
脉冲测试
600
-4.5V
400
I
D
= 3 A
200
1.5 A
0.5 A
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
20
10
0.1
1
漏电流
10
I
D
(A)
100
100
V
GS
= 10 V
栅极至源极电压
Rev.3.00 2005年5月19日第3页6
HAT2217C
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
500
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
100
30
400
TC =
25°C
10
25°C
3
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
300
I
D
= 0.5,1.5 A
3A
200
V
GS
= 10V
3A
4.5V
0
25
0
25
50
0.5,1.5 A
脉冲测试
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
75°C
100
0.3
1
3
10
30
100
漏电流
I
D
(A)
动态输入特性
80
16
10000
典型的电容比。
漏源极电压
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
= 3 A
60
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DD
40
V
GS
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
8
12
3000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
1000
300
100
30
10
3
1
漏源极电压
栅极至源极电压
西塞
科斯
CRSS
20
4
0
2
4
栅极电荷
6
8
QG （ NC ）
0
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
(V)
60
漏源极电压
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
开关特性
1000
I
DR
(A)
8
6
10 V
tr
开关时间t（ NS ）
反向漏电流
100
TD （关闭）
V
GS
= 0 , -10 V
4
TD （上）
10
tf
1
0.01 0.03
2
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
源极到漏极电压
0.1
0.3
1
3
10
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年5月19日第4 6
HAT2217C
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
4.7
VIN
10 V
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
t
f
10%
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
Rev.3.00 2005年5月19日第5 6
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