【HAT2217C硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G0449-0300Rev.3.00五月19】,IC型号HAT2217C-EL-E,HAT2217C-EL-E PDF资料,HAT2217C-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2217C

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G0449-0300

Rev.3.00

五月19.2005

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 105毫欧（典型值）。（在V

= 4.5 V)

低驱动电流。

高密度安装

4.5 V门极驱动装置。

概要

瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A

（包名称： CMFPAK - 6 ）

2 3 4 5

DDD D

指数波段

1.源

2.漏

3.排水

4.漏

5.排水

6.门

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体 - 漏二极管的反向漏电流

符号

DSS

GSS

（脉冲）

Note1

注2

评级

+20 / –10

单位

°C

散热通道

PCH

1.25

通道温度

总胆固醇

150

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧树脂板。（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

5 s

Rev.3.00 2005年5月19日第1页6

HAT2217C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

| y

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

分钟。

+20

–10

—

2.8

—

典型值。

—

105

126

4.3

275

4.5

0.8

0.7

0.85

马克斯。

—

±10

132

183

—

1.25

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

= 16 / –8 V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

Note3

= 1.5 A，V

= 10 V

Note3

= 1.5 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.5 A，V

= 10 V

Note3

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 3 A

= 10 V

= 1.5 A

= 10 V

= 6.6

, R

= 4.7

= 3 A，V

= 0

Rev.3.00 2005年5月19日第2页6

HAT2217C

主要特点

功率与温度降额

1.6

P沟（W）的

100

(A)

最高安全工作区

TA = 25 ℃，脉搏1SHOT

100

当使用FR4板。

1.2

0.3

0.1

0.03

功耗

漏电流

0.8

0.4

操作在此

区域由限定

DS （ ON）

100

150

的Ta （℃）

200

0.01 0.03 0.1 0.3

10 30 100

(V)

环境温度

漏源极电压

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

3.5 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

25°C

(A)

漏电流

TC = 75

°C

2.5 V

= 2 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

800

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1000

脉冲测试

600

-4.5V

400

= 3 A

200

1.5 A

0.5 A

(V)

0.1

漏电流

(A)

100

= 10 V

栅极至源极电压

Rev.3.00 2005年5月19日第3页6

HAT2217C

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

500

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

100

400

TC =

25°C

0.3

0.1

= 10 V

脉冲测试

300

= 0.5,1.5 A

200

= 10V

4.5V

0.5,1.5 A

脉冲测试

100 125 150

TC （ ℃）

外壳温度

75°C

100

0.3

100

漏电流

(A)

动态输入特性

10000

典型的电容比。

漏源极电压

(V)

= 3 A

= 10 V

25 V

50 V

= 50 V

25 V

10 V

3000

= 0

F = 1 MHz的

电容C （PF ）

1000

300

100

漏源极电压

栅极至源极电压

西塞

科斯

CRSS

栅极电荷

QG （ NC ）

(V)

漏源极电压

反向漏电流 -

源极到漏极电压

开关特性

1000

(A)

10 V

开关时间t（ NS ）

反向漏电流

100

TD （关闭）

= 0 , -10 V

TD （上）

0.01 0.03

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

(V)

2.0

源极到漏极电压

0.1

0.3

漏电流

(A)

Rev.3.00 2005年5月19日第4 6

HAT2217C

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

4.7

VIN

10 V

= 10 V

VIN

VOUT

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

10%

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

Rev.3.00 2005年5月19日第5 6

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