HAT2198R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0062-0200
Rev.2.00
Oct.18.2004
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 7.2 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
SOP-8
5 6 7 8
D D D D
65
4
G
8
7
3
1 2
S S S
1 2 3
4
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
注2
评级
30
±20
14
112
14
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
雪崩电流
I
AP
14
注2
雪崩能量
E
AR
19.6
散热通道
PCH
Note3
2.5
Note3
通道到环境热阻
θch -A
50
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
Rev.2.00 ， Oct.18.2004 ，页7 1
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电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.0
—
—
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
7.2
9.6
30
1650
390
135
0.55
11
4.7
2.5
8.5
5
38
3.8
0.80
28
最大
—
± 0.1
1
2.5
9.0
14.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.04
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 7 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 7 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 7 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 14 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
V
DD
10 V
R
L
= 1.42
RG = 4.7
IF = 14 A，V
GS
= 0
Note4
IF = 14 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A /
s
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主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟（W）的
I
D
(A)
最高安全工作区
500
10
s
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
100
DC
10
散热通道
漏电流
Op
PW
ERA
1m
=1
10
s
0
s
2.0
TIO
n
(P
0m
s
W
＆ LT ; 1
记
0s
5
)
1
1.0
0.1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的输出特性
20
10 V
3V
20
脉冲测试
2.8 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
16
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
16
12
2.6 V
8
V
GS
= 2.4 V
12
TC = 75℃
25°C
4
–25°C
1
2
3
栅极至源极电压
5
4
V
GS
(V)
漏电流
8
4
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
V
DS （ ON）
（毫伏）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
300
脉冲测试
240
漏极至源极导通电阻
V
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
20
10
5
2
1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
1000
V
GS
= 4.5 V
漏源极电压
180
I
D
= 20 A
10 V
120
10 A
60
5A
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
0
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静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
20
脉冲测试
20 A
16
I = 5 A， 10 A
D
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳| YFS | （ S）
1000
TC = -25°C
100
12 V
GS
= 4.5 V
8
5 A, 10 A, 20 A
4
0
-25
10 V
10
25°C
1
75°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.1
0.3
1
3
10
30
(A)
100
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
体漏二极管的反向
恢复时间
漏电流I
D
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
5
10
15
20
科斯
CRSS
100
反向恢复时间trr （ NS ）
50
20
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
1
10
100
反向漏电流I
DR
(A)
电容C （PF ）
西塞
10
0.1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
25
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
20
1000
动态输入特性
V
DS
(V)
50
漏源极电压
栅极至源极电压
30
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
DS
开关时间t（ NS ）
40
V
GS
16
V
GS
(V)
I
D
= 14 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
值班< 1 ％
100
吨D（关闭）
tr
12
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
8
16
24
32
栅极电荷Qg （ NC ）
8
10
吨D（上）
10
4
0
40
tf
1
0.1
1
漏电流
10
I
D
(A)
100
0
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反向漏电流 -
源极到漏极电压
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
20
I
AP
= 11 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
20
(A)
反向漏电流I
DR
16
10 V
16
12
5V
V
GS
= 0,-5 V
12
8
8
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
2.0
(V)
源极到漏极电压
4
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
1s
ho
u
tp
LS ê
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）
PDM
PW
T
0.001
D=
PW
T
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
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