HAT2195R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0060-0300Z
Rev.3.00
Apr.01.2004
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 4.6 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
SOP-8
5 6 7 8
D D D D
5
7 6
8
4
G
3
1 2
4
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -A
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
18
144
18
18
32.4
2.5
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
Rev.3.00 ， Apr.01.2004 ，页6 1
HAT2195R
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.0
—
—
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
4.6
5.8
42
3400
785
250
1.0
23
10
5.5
12
16
50
6.5
0.80
32
最大
—
± 0.1
1
2.5
5.8
8.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.04
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
9 = A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
9 = A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
9 = A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
DD
10 V
R
L
= 1.11
RG = 4.7
IF = 18 A，V
GS
= 0
Note4
IF = 18 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
主要特点
功率与温度降额
4.0
500
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
最高安全工作区
10 s
P沟（W）的
I
D
(A)
100
PW
1m
10
0
10
散热通道
漏电流
DC
=1
s
s
Op
e
0m
s
2.0
RAT
1.0
(P
W
N
1在操作
＆ LT ; 1
OTE
0s
5
这个区域是
)
限于由R
DS （ ON）
0.1
离子
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
TA = 25℃
1次脉冲
Rev.3.00 ， Apr.01.2004 ， 6 2页
HAT2195R
典型的输出特性
50
10 V
4V
2.8 V
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
40
I
D
(A)
典型的传输特性
I
D
(A)
40
30
漏电流
2.6 V
30
25°C
TC = 75℃
–25°C
20
V
GS
= 2.4 V
漏电流
20
10
10
脉冲测试
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
200
脉冲测试
160
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
20
10
V
GS
= 4.5 V
5
10 V
2
1
1
3
10
30 100 300
漏电流I
D
(A)
1000
漏源极电压
120
I
D
= 20 A
80
10 A
40
5A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
12
脉冲测试
10
5 A, 10 A
8
V
GS
= 4.5 V
6
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
10 V
2
–25
0 25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
20 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
25 °C
75 °C
TC = -25°C
4
漏电流
I
D
(A)
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HAT2195R
体漏二极管反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
典型的电容比。
漏源极电压
10000
西塞
3000
1000
300
100
30
10
0
科斯
CRSS
50
20
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
电容C （PF ）
10
0.1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
5
10
15
20
25
(V)
30
漏极至源极电压V
DS
开关特性
V
DS
(V)
50
开关时间t（ NS ）
40
V
GS
V
GS
(V)
I
D
= 18 A
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
TD （关闭）
tr
16
漏源极电压
30
V
DS
12
V
DD
= 25 V
10 V
5V 8
V
DD
= 25 V
10 V
5V
20
40
60
80
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
4
0
100
栅极至源极电压
20
TD （上）
tf
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
值班< 1 ％
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
10
0
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
反向漏电流I
DR
(A)
50
I
AP
= 18 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
40
10 V
5V
V
GS
= –5.0 V
40
30
30
20
20
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
源极到漏极电压
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
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HAT2195R
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
归瞬态热阻抗
γs
(t)
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
PDM
0.001
o
1sh
u
tp
LSE
D=
PW
T
PW
T
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
E
AR
=
雪崩波形
1
2
L
I
AP
2
V
DSS
V
DSS -
V
DD
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
Rg
VIN
15 V
D. U.牛逼
50
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
Rg
D.U.T.
R
L
VIN
VIN
10 V
V
DS
= 10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
t
f
10%
VOUT
Rev.3.00 ， Apr.01.2004 ， 6个5页
QQ：2881677436 复制
