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HAT2137H
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1191-0400
(上一个: ADE- 208-1579B )
Rev.4.00
2005年9月7日
特点
可7 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 3.8 m
(典型值) 。 (在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码: PTZZ0005DA -A
(包名称: LFPAK )
5
D
5
4
4
G
3
12
1, 2, 3
4
5
来源
S S S
1 2 3
Rev.4.00 2005年9月7日第1页7
HAT2137H
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.锝= 25
°C
3.价值在总胆固醇= 25°C , RG
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
40
±20
45
180
45
30
72
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意:
4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
40
±20
2.0
38
典型值
3.8
4.4
64
6200
780
410
95
24
14
27
50
90
14
0.84
40
最大
±10
1
3.5
4.8
6.0
1.10
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
注4
I
D
= 22.5 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 22.5 A,V
GS
= 7 V
注4
I
D
= 22.5 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 22.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.44
RG = 4.7
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注4
注4
Rev.4.00 2005年9月7日第2 7
HAT2137H
主要特点
功率与温度降额
40
500
100
10
0
s
PW 1米
s
DC
=1 s
0
Op
时代毫秒
TIO
n
操作
10
最高安全工作区
P沟(W)的
30
I
D
(A)
漏电流
散热通道
10
20
1
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
10
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
外壳温度
TC ( ℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
4V
脉冲测试
50
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
40
3.8 V
40
30
漏电流
3.6 V
30
20
3.4 V
10
V
GS
= 3.2 V
20
25°C
TC = 75℃
10
–25°C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(毫伏)
500
脉冲测试
400
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m)
1000
脉冲测试
300
100
30
10
3
1
0.1
漏源极电压
300
200
I
D
= 50 A
V
GS
= 7 V
10 V
0.3
1
3
10
30
100
100
20 A
10 A
0
4
8
12
16
20
0
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页7
HAT2137H
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(m)
正向转移导纳| YFS | ( S)
10
脉冲测试
8
I
D
= 20 A, 10 A
6
V
GS
= 7 V
4
10 V
2
10 A, 20 A, 50 A
50 A
1000
300
100
30
10
3
25°C
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
75°C
TC = -25°C
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(
°
C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
科斯
300
CRSS
100
30
10
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr ( NS )
50
20
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
电容C (PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
50
I
D
= 50 A
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
DS
20
1000
500
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
1 %
漏源极电压
开关时间t( NS )
40
16
V
GS
栅极至源极电压
30
12
200
100
50
tf
TD (关闭)
20
8
10
0
0
40
V
DD
= 25 V
10 V
5V
80
120
160
4
TD (上)
20
tr
0.5 1
2
5 10 20
50 100
0
200
10
0.1 0.2
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 7
HAT2137H
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
(兆焦耳)
100
I
AP
= 30 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 %
Rg
50
反向漏电流I
DR
(A)
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0
80
60
20
40
10
脉冲测试
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch ( ° C)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C (T ) =
γ
S( T)
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
PW
T
0.05
0.03
0.02
1
0.0
1s
ho
u
tp
LSE
0.01
10
100
脉冲宽度PW (S )
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
( BR ) DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
15 V
50
V
DD
0
Rev.4.00 2005年9月7日第5 7
HAT2137H
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
ADE - 208-1579B ( Z)
初步
3 。版
2002年12月
特点
可7 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 3.8 m
(典型值) 。 (在V
GS
= 10 V)
概要
LFPAK
5
5
D
3
1 2
4
4
G
1,2, 3源
4
5
S S S
1 2 3
HAT2137H
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注3
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
40
±20
45
180
45
30
72
30
150
-55到+ 150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2. TC = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C , RG
50
Rev.2号文件, 2002年12月, 10个2页
HAT2137H
电气特性
( TA = 25°C )
符号最小值
40
典型值
3.8
4.4
64
6200
780
410
95
24
14
27
50
90
14
0.84
40
最大
± 10
1
3.5
4.8
6.0
1.10
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 22.5 A,V
GS
= 10 V
Note3
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
V
( BR ) GSS
± 20
2.0
38
I
D
= 22.5 A,V
GS
= 7 V
Note3
I
D
= 22.5 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 22.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.44
RG = 4.7
IF = 45 A,V
GS
= 0
Note3
IF = 45 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
注: 3.脉冲测试
Rev.2号文件, 2002年12月, 10 3页
HAT2137H
主要特点
功率与温度降额
40
P沟(W)的
I
D
(A)
最高安全工作区
500
100
PW
10
10
0
s
30
1m
s
10
散热通道
漏电流
=1
s
20
DC
0m
1
10
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
TC = 25°C
1次脉冲
Op
e
s
on
RAT
i
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
外壳温度
典型的输出特性
50
10 V
I
D
(A)
典型的传输特性
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
I
D
漏电流
脉冲测试
3.8 V
40
40
4.0 V
30
漏电流
3.6 V
30
25°C
TC = 75℃
-25°C
20
3.4 V
10
V
GS
= 3.2 V
20
10
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
Rev.2号文件, 2002年12月, 10第4页
HAT2137H
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
500
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
脉冲测试
200
100
30
10
V
GS
= 7 V
3
1
0.1
10 V
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
V
DS ( ON)
(毫伏)
400
300
I
D
= 50 A
200
100
20 A
10 A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(m)
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
8
50 A
I
D
= 20 A, 10 A
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m)
漏源极电压
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
(A)
100
75°C
25°C
TC = -25°C
6
V
GS
= 7 V
4
10 V
2
0
-25
10 A, 20 A, 50A
0
25 50 75 100 125 150
壳温度( ° C)
漏电流I
D
Rev.2号文件, 2002年12月, 10个5页
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HAT2137H
HITACHI
25+23+
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