【HAT2088R硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1183-0200（上一个： ADE-】,IC型号HAT2088R,HAT2088R PDF资料,HAT2088R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2088R

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1183-0200

（上一个： ADE- 208-1234 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

低漏电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

65

87

12

34

4

G

1, 2, 3

4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

HAT2088R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

200

±30

2

16

2

2.5

150

单位

V

A

W

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

200

—

3.0

—

1.5

—

典型值

—

0.35

2.5

450

65

13

2

6

19

8.5

48

11

0.8

65

最大

—

±0.1

1

4.5

0.44

—

1.2

—

单位

V

A

V

S

pF

nC

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注3

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 1 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 160 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 1 A

V

DD

100 V

R

L

= 100

RG = 10

I

F

= 2 A，V

GS

= 0

I

F

= 2 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

注3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

HAT2088R

主要特点

功率与温度降额

4

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

10

s

最高安全工作区

P沟（W）的

I

D

(A)

10

PW

1

3

10

=

m

0

s

散热通道

1

漏电流

DC

10

s

2

1

0

50

100

150

200

TIO

n

操作

(P

W

N

这个区域是

≤

OTE

10

4

限于由R

DS （ ON）

0.01

s)

TA = 25°C

1次脉冲

0.001

0.1 0.3 1

3

10 30 100 300 1000

Op

e

m

s

0.1

ra

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

10

10 V

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

6V

8

8V

6.5 V

脉冲测试

8

I

D

6

漏电流

4

5.5 V

2

V

GS

= 5 V

0

4

8

12

16

20

漏电流

4

25°C

2

TC = 75℃

–25°C

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

5

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

2

1

0.5

10

漏源极电压

6

I

D

= 8 A

5A

2A

0

4

8

12

16

20

4

2

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10 20

50

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

HAT2088R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

2.5

脉冲测试

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5

1

2

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

10 20

50

25°C

75°C

TC = -25°C

2.0

1.5

I

D

= 8 A

1.0

0.5

5A

0

–40

0

40

80

2A

120

160

外壳温度

Tc

(°C)

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

5000

2000

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

电容C （PF ）

1000

500

200

100

50

20

10

5

科斯

200

100

50

20

10

0.1

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

CRSS

0

20

40

60

80

100

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 2 A

16

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

V

GS

200

V

DS

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

0

4

8

12

16

20

8

开关特性

V

GS

(V)

20

500

200

100

50

20

10

5

2

1

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10 20

50

TD （上）

tr

V

GS

= 10 V, V

DD

= 100 V

PW = 5

s,

税

≤

1 %

RG = 10

TD （关闭）

500

400

漏源极电压

300

12

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

tf

100

4

0

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

HAT2088R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

5

I

D

= 10毫安

1毫安

3

0.1毫安

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

8

4

6

4

10 V

2

5V

V

GS

= 0 V

2

1

V

DS

= 10 V

0

–40

0

40

80

120

160

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

壳温度（ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.325 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

0.001

h

1s

0.0001

10

o

u

tp

LSE

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

D=

PW

T

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DS

= 100 V

TD （上）

10%

90%

10%

90%

tr

90%

TD （关闭）

tf

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

HAT2088R

硅N沟道MOSFET

高速电源开关

ADE - 208-1234 （ Z）

1日。版

2001年3月

特点

低导通电阻

低漏电流

高密度安装

概要

SOP–8

8

5

7 6

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2088R

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

200

±30

2

16

2

2.5

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

注意事项： 1， PW

≤

10

s

和占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×1.6

毫米）， PW

≤

10 s

2

HAT2088R

电气特性（Ta = 25 ° C）

项

漏源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

民

200

—

3.0

—

1.5

—

典型值

—

0.35

2.5

450

65

13

2

6

19

8.5

48

11

0.8

65

最大

—

±0.1

1

4.5

0.44

—

1.2

—

单位

V

A

V

S

pF

nC

ns

V

ns

V

DD

= 160 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 2 A

V

GS

= 10V ，我

D

= 1A

V

DD

100V

R

L

= 100

R

g

= 10

I

F

= 2A ，V

GS

= 0

注3

I

F

= 2A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 100A / μs的

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30V,

V

DS

= 0

V

DS

= 200V, V

GS

= 0

V

DS

= 10V ，我

D

= 1毫安

I

D

= 1A ，V

GS

= 10V

Note3

I

D

= 1A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0

F = 1 MHz的

Note3

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

V

DF

TRR

3

HAT2088R

主要特点

功率与北部沿海地区降额

4

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

3 （ FR4 40x40x1.6mm ）

PW

≤

10 s

100

最高安全工作区

10

s

10

1

散热通道

2

漏电流

0.1

10

0

s

1

m

=

s

10

DC

m

O

s

pe

(1

ra

sh

TIO

ot

n

)

(

PW

≤

不

10

e

s)

4

1

操作在此

面积有限

0.01

由R

DS （ ON）

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

TA = 25°C

0.001 1次脉冲

0.1

1

10

100

1000

北部沿海地区环境

漏极至源极电压V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6mm ）

典型的输出特性

10

10 V

I

D

(A)

I

D

(A)

8

8V

6.5 V

脉冲测试

8

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

6

6V

6

漏电流

4

5.5 V

2

V

GS

= 5V

0

4

8

12

16

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏电流

4

TC = 75℃

25°C

—25°C

2

4

6

栅极至源极电压

8

10

V

GS

(V)

2

0

4

HAT2088R

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS

（上）

()

漏极至源极电压V

DS （ ON）

(V)

10

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

5

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

2

1

0.5

8

6

I

D

= 8A

5A

2A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

4

2

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5 1 2

漏电流

5 10 20

I

D

(A)

50

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳| YFS | （ S）

R

DS

（上）

()

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

2.5

脉冲测试

2

V

GS

= 10 V

50

20

10

5

2

1

正向转移导纳主场迎战

漏电流

TC = -25°C

1.5

I

D

=8A

25°C

75°C

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5 1

2

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

10 20

50

漏电流

I

D

(A)

0.5

5A

0

–40

0

40

80

CACE温度

2A

120

160

TC （ ℃）

5