【HAT2088R硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1183-0200（上一个： ADE-】,IC型号HAT2088R-EL-E,HAT2088R-EL-E PDF资料,HAT2088R-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2088R

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1183-0200

（上一个： ADE- 208-1234 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

低漏电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

1, 2, 3

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

HAT2088R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

200

±30

2.5

150

单位

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

200

—

3.0

—

1.5

—

典型值

—

0.35

2.5

450

8.5

0.8

最大

—

±0.1

4.5

0.44

—

1.2

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±30

V, V

= 0

= 200 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

注3

= 1 A，V

= 10 V

= 1 A，V

= 10 V

= 25 V, V

= 0

F = 1 MHz的

= 160 V

= 10 V

= 2 A

= 10 V，I

= 1 A

100 V

= 100

RG = 10

= 2 A，V

= 0

= 2 A，V

= 0

/ DT = 100 A / μs的

注3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

HAT2088R

主要特点

功率与温度降额

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

散热通道

漏电流

100

150

200

TIO

操作

这个区域是

≤

OTE

限于由R

DS （ ON）

0.01

TA = 25°C

1次脉冲

0.001

0.1 0.3 1

10 30 100 300 1000

0.1

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

典型的输出特性

10 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

6.5 V

脉冲测试

漏电流

5.5 V

= 5 V

漏电流

25°C

TC = 75℃

–25°C

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

= 10 V, 15 V

0.5

漏源极电压

= 8 A

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5

10 20

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

HAT2088R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

2.5

脉冲测试

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5

= 10 V

脉冲测试

10 20

25°C

75°C

TC = -25°C

2.0

1.5

= 8 A

1.0

0.5

–40

120

160

外壳温度

(°C)

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

5000

2000

= 0

F = 1 MHz的

西塞

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

电容C （PF ）

1000

500

200

100

科斯

200

100

0.1

的di / dt = 100 A /

= 0 ， TA = 25℃

0.3

100

CRSS

100

反向漏电流I

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= 2 A

= 160 V

100 V

50 V

200

= 160 V

100 V

50 V

开关特性

(V)

500

200

100

0.1 0.2

0.5

10 20

TD （上）

= 10 V, V

= 100 V

PW = 5

税

≤

1 %

RG = 10

TD （关闭）

500

400

漏源极电压

300

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

100

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

HAT2088R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

= 10毫安

1毫安

0.1毫安

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

10 V

= 0 V

= 10 V

–40

120

160

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

(V)

壳温度（ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.325 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

0.001

0.0001

LSE

10 m

100 m

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

= 100 V

TD （上）

10%

90%

10%

90%

TD （关闭）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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