【HAT2085T硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G0163-0500Rev.5.0020】,IC型号HAT2085T,HAT2085T PDF资料,HAT2085T经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2085T

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G0163-0500

Rev.5.00

2007年11月27日

特点

低导通电阻

低驱动电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PTSP0008JB -B

（包名称： TSSOP - 8 <TTP - 8DV> ）

1, 2, 3

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

200

±30

1.4

11.2

1.4

1.3

150

-55到+150

单位

°C

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

REJ03G0163-0500 Rev.5.00 2007年11月27日

第1页6

HAT2085T

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

200

—

3.0

—

1.0

—

典型值

—

0.49

1.7

300

1.8

4.8

0.8

最大

—

±0.1

4.5

0.64

—

1.2

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±30

V, V

= 0

= 200 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 0.7 A，V

= 10 V

注3

= 0.7 A，V

= 10 V

注3

= 25 V

= 0

F = 1 MHz的

100 V，I

= 0.7 A

= 10 V

= 143

RG = 10

= 160 V

= 10 V

= 1.4 A

= 1.4 A，V

= 0

注3

= 1.4 A，V

= 0

/ DT = 100 A / μs的

REJ03G0163-0500 Rev.5.00 2007年11月27日

第2 6

HAT2085T

主要特点

功率与温度降额

2.0

最高安全工作区

100

P沟（W）的

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

1.5

散热通道

漏电流

1.0

0.5

操作

≤

这个区域是

0.01

限于由R

DS （ ON）

0.1

TIO

100

150

200

0.001

0.1

TA = 25°C

1SHOT脉冲

100

1000

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

(V)

典型的输出特性

脉冲测试

10 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

TC = 75℃

= 4.5 V

25°C

–25°C

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

= 10 V

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

1.5

0.5

1.0

= 1.4 A

0.5

1.0 A

0.5 A

0.2

0.1

0.1 0.2 0.5 1

5 10 20

50 100

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

REJ03G0163-0500 Rev.5.00 2007年11月27日

第3页6

HAT2085T

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

2.0

= 10 V

脉冲测试

1.5

= 1.4 A

1.0

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.5

0.2

0.1

75°C

25°C

0.5

0.5 A

–25

100 125 150

0.2

0.5

外壳温度

(

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

500

西塞

体漏二极管反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

200

100

= 0

F = 1 MHz的

100

CRSS

科斯

200

100

的di / dt = 100 A /

= 0 ， TA = 25℃

100

1000

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= 2 A

开关特性

(V)

1000

= 10 V, V

= 100 V

PW = 5

税

≤

1 %

300 RG = 10

100

0.1 0.2

TD （关闭）

TD （上）

400

= 50 V

100 V

160 V

300

漏源极电压

200

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

100

= 160 V

100 V

50 V

0.5

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

REJ03G0163-0500 Rev.5.00 2007年11月27日

第4 6

HAT2085T

反向漏电流 -

源极到漏极电压

门源截止电压V

GS （关闭）

(V)

门源截止电压主场迎战

外壳温度

= 10毫安

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

1毫安

0.1毫安

10 V

= 0

= 10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

–25

100 125 150

源极到漏极电压

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 139 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

0.01

0.001

LSE

0.0001

100

10 m

100 m

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

VOUT

MONITOR

D.U.T.

90%

10%

VIN

VOUT

VIN

10 V

= 100 V

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

REJ03G0163-0500 Rev.5.00 2007年11月27日

分页： 5 6

HAT2085T

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE-208-1028A(Z)

目标规范第2位。版

2000年12月

特点

低导通电阻

低驱动电流

高密度安装

概要

TSSOP-8

5 6 7 8

D D D D

4 G

S S S

1 2 3

1, 2, 3

5, 6, 7, 8

DRA

HAT2085T

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±30

(1.4)

(11.2)

(1.4)

1.3

150

-55到+150

单位

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号最小值

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

200

—

(3.0)

—

(1.0)

—

典型值

—

(0.49)

(1.7)

(300)

(43)

(12)

(19)

(11)

(51)

(17)

(10)

(2)

(5)

(0.8)

(60)

最大

—

±0.1

(4.5)

(0.64)

—

(1.2)

—

单位

测试条件

= 10毫安，V

= 0

= ±30V, V

= 0

= 200 V, V

= 0

= 1mA时， V

= 10V

= 0.7A ，V

= 10V

Note3

= 0.7A ，V

= 10V

Note3

= 25V

= 0

F = 1MHz的

100V ，我

= 0.7A

= 10V

= 143

= 10

= 160V

= 10V

= 1.4A

= 1.4A ，V

= 0

Note3

= 1.4A ，V

= 0

DIF / DT = 100A / μs的

HAT2085T

包装尺寸

至于， 2001年1月

单位：mm

3.00

3.30最大

4.40

*0.22

+0.08

–0.07

0.20

0.06

0.65

1.0

0.13 M

0.805最大

*0.17

0.05

0.15

0.04

1.10最大

6.40

0.20

0° – 8° 0.50

0.10

0.07

+0.03

–0.04

*尺寸包括电镀厚度

基材尺寸

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

TTP-8D

—

HAT2085T

注意事项

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本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

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使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

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人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

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产品。

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后记2.0