添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第707页 > HAT2083R
HAT2038R/HAT2038RJ
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-666C ( Z)
4 。版
1999年2月
特点
对于汽车上的应用(在类型代码“J” )
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
高密度安装
概要
SOP–8
8
7
65
3
1 2
7 8
D D
5 6
D D
4
2
G
4
G
S1
S3
1, 3
来源
2, 4
5,6, 7,8排水
MOS1
MOS2
HAT2038R/HAT2038RJ
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
HAT2038R
HAT2038RJ
HAT2038R
HAT2038RJ
PCH
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
E
AR
Note4
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP
Note4
评级
60
±
20
5
40
5
5
2.14
2
3
150
- 55至+ 150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C
注意:
1.PW
为10μs ,占空比
1 %
2.1驱动器的操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
3.2驱动器的操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
4.Value在总胆固醇= 25°C , Rg≥50Ω
电气特性(Ta = 25 ° C)
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
零栅极电压
漏电流
HAT2038R
HAT2038RJ
HAT2038R
HAT2038RJ
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
60
±
20
1.2
6
典型值
最大
±
10
1
0.1
10
2.2
单位
V
V
A
A
A
A
A
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0
TA = 125°C
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
Note5
I
D
= 3 A,V
GS
= 4 V
Note5
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V
Note5
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 10 V,I
D
= 3 A
V
DD
@ 30 V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
2
0.043 0.058
0.056 0.084
9
520
270
100
11
40
110
80
0.84
40
1.1
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
IF = 5 A,V
GS
= 0
Note5
IF = 5 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
HAT2038R/HAT2038RJ
注意:
5.Pulse测试
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟(W)的
最高安全工作区
100
10 s
I
D
(A)
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米) , PW < 10秒
30
10
3
1
DC
Op
er
at
离子
10
PW
3.0
0
1
=
10
m
m
s
s
散热通道
漏电流
2
香港专业教育学院
Dr
2.0
1
Dr
s(
1s
ho
1.0
香港专业教育学院
Op
er
at
离子
0
50
100
150
200
环境温度
的Ta (℃)
0.3在操作
(P
这个区域是
W
N
& LT ;
OTE
0.1限制由R
DS ( ON)
10
5
s)
0.03 TA = 25℃
1次脉冲
0.01
3
30
0.1 0.3
1
10
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
t)
典型的输出特性
10
10 V
4V
3.5 V
3V
脉冲测试
10
Op
at
er
离子
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
I
D
I
D
(A)
8
8
6
6
25°C
4
TC = 75℃
–25°C
漏电流
4
2.5 V
2
V
GS
= 2 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
漏电流
2
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
HAT2038R/HAT2038RJ
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
0.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= 4 V
10 V
0.4
0.3
I
D
=5A
0.2
2A
1A
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
0.05
0.1
0.02
0.01
0.1
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.20
脉冲测试
0.16
1, 2 A
I
D
=5A
0.08
V
GS
= 4 V
1, 2, 5 A
0.04
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
TC = -25°C
25 °C
75 °C
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.12
0.2
1
2
5
0.5
漏电流I
D
(A)
10
4
HAT2038R/HAT2038RJ
体漏二极管的反向
恢复时间
500
2000
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
1000
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
电容C (PF )
200
100
50
20
10
5
0.1
500
200
100
50
20
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
西塞
科斯
CRSS
0.2
0.5
1
2
5
10
反向漏电流I
DR
(A)
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
100
I
D
= 5A
20
1000
300
开关特性
开关时间t( NS )
80
V
GS
60
V
DS
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
16
吨D(关闭)
100
30
10
3
1
0.1
tf
tr
吨D(上)
漏源极电压
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
8
16
24
32
栅极电荷Qg ( NC )
4
0
40
栅极至源极电压
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒,占空比< 1 %
0.2
0.5
1
漏电流
2
5
I
D
(A)
10
0
5
查看更多HAT2083RPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HAT2083R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
HAT2083R
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8449
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多HAT2083R供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!