【HAT2077R硅N沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-1228 （ Z）1日。版20】,IC型号HAT2077R,HAT2077R PDF资料,HAT2077R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2077R

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-1228 （ Z）

1日。版

2001年3月

特点

低导通电阻

低驱动电流

高密度安装

概要

SOP–8

8

5

7 6

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2077R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±30

3

24

3

2.5

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

200

—

3.0

—

2.3

—

典型值

—

0.18

3.8

830

115

23

10

70

10

23

3.5

10

0.75

75

最大

—

±0.1

1

4.5

0.235

—

1.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

V

GS

= ±30V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 1.5A ，V

GS

= 10V

Note3

I

D

= 1.5A ，V

DS

= 10V

Note3

V

DS

= 25V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

DD

100V ，我

D

= 1.5A

V

GS

= 10V

R

L

= 66.7

R

g

= 10

V

DD

= 160V

V

GS

= 10V

I

D

= 3A

I

F

= 3A ，V

GS

= 0

Note3

I

F

= 3A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 100A / μs的

2

HAT2077R

主要特点

功率与温度降额

4

P沟（W）的

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW

≤

10s

3

I

D

漏电流

(A)

100

最高安全工作区

10 s

10

1

DC

PW

O

=

10

0

s

1

m

s

m

s

(1

sh

散热通道

2

0.1

pe

ra

TIO

n

ot

1

操作

＆ LT ;

不

10

e 4

这个区域是

s)

0.01限制由R

DS （ ON）

(P

W

)

0

50

100

150

200

TA = 25℃

0.001 1次脉冲

0.1

1

10

100

1000

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

20

10 V

(A)

16

8V

6V

12

I

D

12

脉冲测试

(A)

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

16

漏电流

I

D

8

漏电流

5.5 V

8

TC = 75℃

25°C

–25°C

4

5V

V

GS

= 4.5V

4

0

4

8

12

漏源极电压

16

V

DS

(V)

20

0

2

4

6

8

V

GS

(V)

10

栅极至源极电压

3

HAT2077R

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

V

DS （ ON）

(V)

1.0

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

0.5

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

0.2

0.1

0.05

0.8

漏源极电压

0.6

I

D

= 3A

0.4

2A

1A

0.2

0.02

0.01

0.1 0.2

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

5 10 20

0.5 1 2

漏电流I

D

(A)

50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

脉冲测试

I

D

=3A

V

GS

= 10 V

0.4

1A

0.3

2A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5 1

2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

5

I

D

10 20

(A)

50

75 °C

TC = -25°C

25 °C

0.2

0.1

0

–40

0

40

80

外壳温度

120

160

TC （ ℃）

漏电流

4

HAT2077R

体漏二极管的反向

恢复时间

5000

2000

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

50

电容C （PF ）

1000

500

200

100

50

20

科斯

CRSS

20

10

0.1

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

反向漏电流I

DR

(A)

10

5

0

20

40

60

80

100

(V)

漏极至源极电压V

DS

动态输入特性

500

V

DS

(V)

V

GS

(V)

I

D

= 3 A

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

20

500

200

开关时间t（ NS ）

100

50

20吨D（上）

10

5

2

tr

开关特性

V

GS

= 10 V, V

DD

= 100 V

PW = 5微秒，占空比< 1 ％

R

G

=10

吨D（关闭）

400

16

V

GS

漏源极电压

300

12

200 V

DS

100

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

8

16

24

32

栅极电荷Qg （ NC ）

8

栅极至源极电压

tf

4

0

40

0

1

0.1 0.2 0.5 1 2

5 10 20

漏电流I

D

(A)

50

5

HAT2077R

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1179-0200

（上一个： ADE- 208-1228 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

低驱动电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

65

87

12

34

4

G

1, 2, 3

4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

HAT2077R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

200

±30

3

24

3

2.5

150

单位

V

A

W

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

民

200

—

3.0

—

2.3

—

典型值

—

0.18

3.8

830

115

23

10

70

10

23

3.5

10

0.75

75

最大

—

±0.1

1

4.5

0.235

—

1.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

注3

I

D

= 1.5 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 1.5 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

注3

V

DD

100 V，I

D

= 1.5 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 66.7

RG = 10

V

DD

= 160 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 3 A

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

注3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

HAT2077R

主要特点

功率与温度降额

4

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

10

s

10

=

1

最高安全工作区

P沟（W）的

I

D

(A)

10

DC

3

PW

Op

er

at

0

散热通道

1

10

m

s

漏电流

m

s(

1

2

离子

0.1

1

0.01

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

(P

W

sh

ot

)

≤

10

s)

No

te

4

0

50

100

150

200

0.001

0.1 0.3

1

3

10 30 100 300 1000

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

20

10 V

20

脉冲测试

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

6V

16

8V

16

I

D

12

I

D

12

8

漏电流

5.5 V

8

25°C

4

TC = 75℃

–25°C

0

4

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

0.2

0.1

0.05

1.0

漏源极电压

0.6

I

D

= 3 A

2A

1A

0.4

0.2

0.02

0.01

0.1 0.2

0

4

8

12

16

20

0.5

1

2

5

10 20

50

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

HAT2077R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

脉冲测试

V

GS

= 10 V

I

D

= 3 A

1A

2A

0.2

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

50

20

TC = -25°C

10

5

75°C

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5

1

2

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

10 20

50

25°C

0.4

0.3

0.1

0

–40

0

40

80

120

160

外壳温度

Tc

(°C)

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

5000

2000

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

电容C （PF ）

1000

500

200

100

50

20

10

5

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

20

40

西塞

200

100

50

科斯

CRSS

20

10

0.1

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

60

80

100

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 3 A

16

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

开关特性

V

GS

(V)

20

500

200

100

50

20

10

5

2

1

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10 20

50

tr

tf

TD （上）

TD （关闭）

V

GS

= 10 V, V

DD

= 100 V

PW = 5

s,

税

≤

1 %

RG = 10

500

400

漏源极电压

300

V

GS

12

200

V

DS

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

0

8

16

24

32

40

8

100

4

0

栅极电荷

QG （ NC ）

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

HAT2077R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

5

I

D

= 10毫安

4

1毫安

反向漏电流I

DR

(A)

16

12

3

0.1毫安

2

8

10 V

4

5V

V

GS

= 0 V

1

V

DS

= 10 V

0

–40

0

40

80

120

160

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

壳温度（ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

P

DM

D=

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

10000

PW

T

0.001

h

1s

0.0001

10

o

u

tp

LSE

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DS

= 100 V

TD （上）

10%

90%

10%

90%

tr

90%

TD （关闭）

tf

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6