【HAT2068R硅N沟道功率MOS FET电源开关ADE - 208-1225C （ Z）4 。版2】,IC型号HAT2068R,HAT2068R PDF资料,HAT2068R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2068R

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

ADE - 208-1225C （ Z）

4 。版

2002年8月

特点

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 7 m

（典型值）。（在V

GS

= 10 V)

概要

SOP-8

8

5

7 6

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2068R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道与环境的热

阻抗

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

Note2

Note1

评级

30

± 20

14

112

14

2.5

50

150

- 55至+ 150

单位

V

A

W

° C / W

°C

θch -A

总胆固醇

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10s

订正， 2002年8月， 10个2页

HAT2068R

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

30

± 20

—

1.0

—

16

—

典型值

—

7

11

28

1650

400

220

26

5

15

30

50

10

0.80

50

最大

—

± 10

1

2.5

9

16

—

1.10

—

单位

V

A

V

m

S

pF

nc

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= ±100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 7 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 7 A，V

GS

= 4.5 V

I

D

= 7 A，V

DS

=10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 14 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7 A

V

DD

10 V

R

L

= 1.43

R

g

= 4.7

IF = 14 A，V

GS

= 0

IF = 14 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

Note3

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

Note3

体漏二极管的反向恢复吨

rr

时间

注： 3.脉冲测试

订正， 2002年8月， 10 3页

HAT2068R

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

I

D

(A)

最高安全工作区

500

10

s

10

0

s

1

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

100

PW

Op

ERA

t

10

散热通道

漏电流

DC

=1

(P

ms

2.0

离子

0m

s

1

W

1.0

操作

这个区域是

0.1限制由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

N

＆ LT ; 1

OTE

0s

4

)

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

50

10 V

4.5 V

I

D

(A)

典型的传输特性

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

漏电流

脉冲测试

40

4V

3.5 V

30

漏电流

20

V

GS

= 3 V

20

TC = 75℃

10

25°C

-25°C

10

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

V

GS

(V)

5

订正， 2002年8月， 10第4页

HAT2068R

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

50

20

V

GS

= 4.5 V

10

5

2

1

0.1 0.2 0.5 1 2

5 10 20 50 100

漏电流I

D

(A)

10 V

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.16

漏源极电压

0.12

0.08

I

D

= 10 A

5A

2A

0.04

0

4

8

12

栅极至源极电压

16

V

GS

(V)

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m

)

脉冲测试

40

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

50

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m

)

0.20

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

30

10

25°C

3

1

0.3

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

100

TC = -25°C

75°C

30

I

D

= 2 A, 5 A

20

V

GS

= 4.5 V

10

2 A, 5 A, 10 A

0

-40

10 V

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

10 A

漏电流I

D

(A)

订正， 2002年8月， 10个5页

HAT2068R

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1176-0500

（上一个： ADE- 208-1225C ）

Rev.5.00

2005年9月7日

特点

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 7 m

（典型值）。（在V

GS

= 10 V)

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

5

76

8

12

34

4

G

1, 2, 3

4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.5.00 2005年9月7日第1页6

HAT2068R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道到环境热阻

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

30

±20

14

112

14

2.5

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

PCH

注2

θ

CH -A

总胆固醇

TSTG

注2

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

±20

—

1.0

—

16

—

典型值

—

7

11

28

1650

400

220

26

5

15

30

50

10

0.80

50

最大

—

±10

1

2.5

9

16

—

1.10

—

单位

V

A

V

m

S

pF

nC

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注3

I

D

= 7 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 7 A，V

GS

= 4.5 V

注3

I

D

= 7 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 14 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7 A

V

DD

≈

10 V

R

L

= 1.43

RG = 4.7

I

F

= 14 A，V

GS

= 0

I

F

= 14 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

注3

Rev.5.00 2005年9月7日第2 6

HAT2068R

主要特点

功率与温度降额

4.0

500

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

100

10

最高安全工作区

P沟（W）的

3.0

I

D

(A)

s

散热通道

2.0

1.0

漏电流

1m

s

=1

Op

ERA

0m

TIO

s

n(

PW

N

1在操作

≤

1

OTE 4

0s

这个区域是

)

限于由R

DS （ ON）

0.1

10

DC

PW

0

TA = 25°C

1次脉冲

0

50

100

150

200

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

100

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

50

10 V

50

脉冲测试

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

漏电流

4.5 V

40

4V

3.5 V

40

I

D

30

漏电流

20

V

GS

= 3 V

20

25°C

10

TC = 75℃

–25°C

10

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.16

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

50

0.20

漏源极电压

0.12

20

V

GS

= 4.5 V

10

5

10 V

0.08

I

D

= 10 A

5A

2A

0.04

2

1

0.1 0.2

0

4

8

12

16

20

0.5 1

2

5 10 20

50 100

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第3页6

HAT2068R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

50

脉冲测试

40

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

100

30

10

3

1

0.3

0.1

TC = -25°C

30

I

D

= 2 A, 5 A

V

GS

= 4.5 V

10

10 V

0

40

2 A, 5 A, 10 A

80

120

160

10 A

75°C

25°C

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

100

0

–40

外壳温度

Tc

(°C)

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

西塞

1000

300

100

30

10

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

100

50

20

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10

20

电容C （PF ）

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 14 A

V

GS

40

V

DD

= 25 V

10 V

5V

16

开关特性

V

GS

(V)

20

200

100

TD （关闭）

50

tf

tr

20

10

5

V

GS

= 10 V, V

DS

= 10 V

RG = 4.7

,

税

≤

1 %

2

0.1 0.2

0.5

1

2

5

10

20

TD （上）

50

漏源极电压

30

V

DS

20

12

8

10

0

20

V

DD

= 25 V

10 V

5V

40

60

80

4

0

100

栅极电荷

QG （ NC ）

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第4 6

HAT2068R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

反向漏电流I

DR

(A)

10 V

40

5V

V

GS

=

0

30

20

10

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.01

0.02

0.01

u

tp

LSE

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

P

DM

PW

T

100

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

10000

D=

PW

T

0.001

1s

ho

0.0001

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

Rg

R

L

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

90%

10%

VIN

10 V

V

DS

= 10 V

TD （上）

90%

tr

90%

TD （关闭）

tf

Rev.5.00 2005年9月7日第5 6