HAT2058R ， HAT2058RJ
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1174-0200
（上一个： ADE- 208-934 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
“J”是汽车应用
高温D-S间漏保
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
7 8
D D
5 6
D D
65
87
12
34
2
G
4
G
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S1
MOS1
S3
MOS2
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
HAT2058R ， HAT2058RJ
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
注2
注1
价值
HAT2058R
HAT2058RJ
100
±20
4
32
4
—
—
2
3
150
100
±20
4
32
4
4
1.6
2
3
150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP
注4
注4
E
AR
注2
PCH
PCH
总胆固醇
注3
储存温度
TSTG
-55到+150
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
4.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅压漏
当前
零栅压漏
当前
HAT2058R
HAT2058RJ
HAT2058R
HAT2058RJ
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
±20
—
—
—
—
—
1.0
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
5
120
150
420
180
100
10
30
110
60
0.85
75
最大
—
—
1
0.1
—
10
±10
2.5
—
145
180
—
—
—
—
—
—
—
1.1
—
单位
V
V
A
A
A
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注5
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
TA = 125°C
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V
注5
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 4 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
F = 1 MHz的
注5
注5
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏极至源极通态电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
5.脉冲测试
V
GS
= 10 V，I
D
= 2 A,
V
DD
30 V
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
HAT2058R ， HAT2058RJ
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
2.5
I
AP
= 4 A
V
DD
= 50 V
L = 100
H
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
8
2.0
6
10 V
4
V
GS
= 0, –5 V
5V
1.5
1.0
2
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 125°C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
0.01
0.001
1s
t
ho
ls
pu
e
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D=
PW
T
0.0001
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
0.01
0.001
h
1s
ot
p
e
ULS
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D=
PW
T
0.0001
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
初步
HAT2058R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
“J”是汽车应用
高温D-S间漏保
雪崩额定值
REJ03G1174-0300
Rev.3.00
2009年8月25日
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
7 8
D D
5 6
D D
65
87
12
34
2
G
4
G
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S1
MOS1
S3
MOS2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D注2
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
AP注4
E
AR注4
PCH
注2
PCH
注3
总胆固醇
TSTG
价值
100
±20
4
32
4
—
—
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C
PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
在总胆固醇值= 25 ° C， RG
≥
50
Ω
REJ03G1174-0300 Rev.3.00 2009年8月25日
第1页7
HAT2058R
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏极至源极通态电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
5.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
±20
—
—
1.0
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
5
120
150
420
180
100
10
30
110
60
0.85
75
最大
—
—
1
±10
2.5
—
145
180
—
—
—
—
—
—
—
1.1
—
单位
V
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 μA,
V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V
注5
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
注5
I
D
= 2 A，V
GS
= 4 V
注5
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V，I
D
= 2 A,
V
DD
30 V
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
注5
I
F
= 4 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
REJ03G1174-0300 Rev.3.00 2009年8月25日
第2 7
HAT2058R
初步
主要特点
功率与温度降额
4.0
100
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
10
μs
最高安全工作区
P沟（W）的
30
I
D
(A)
3.0
10
3
1
10
0
散热通道
D
C
漏电流
O
PW
1
=
μ
s
m
s
2.0
1
Dr
香港专业教育学院
pe
2
Dr
Op
1.0
er
at
离子
0
0
50
100
150
200
s
操作
(P
0.3
W
No
这个区域是
≤
TE 6
10
限于由R
DS （ ON）
0.1
s)
TA = 25°C
0.03 1次脉冲
1驱动器操作
0.01
0.1 0.3 1
3
10 30 100 300 1000
ra
t
10
io
m
环境温度
典型的输出特性
20
10 V
脉冲测试
10
(A)
(A)
香港专业教育学院
at
er
Op
离子
n
的Ta （℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
注6 ：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
8
16
6V
4V
I
D
12
I
D
6
漏电流
8
漏电流
4
25°C
TC = 75℃
–25°C
0
0
1
2
3
4
5
4
V
GS
= 2 V
0
0
2
4
6
8
10
2
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
0.8
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
10 V
漏源极电压
0.6
I
D
= 4 A
0.4
2A
0.2
1A
0
0
4
8
12
16
20
0.02
脉冲测试
0.01
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10 20
50
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
REJ03G1174-0300 Rev.3.00 2009年8月25日
第3页7
HAT2058R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.5
脉冲测试
0.4
4A
0.3
I
D
= 1 A, 2 A
V
GS
= 4 V
4A
0.1
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
1 A, 2 A
初步
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
20
TC = -25°C
10
25°C
5
75°C
0.2
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
5000
2000
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
500
电容C （PF ）
1000
500
200
100
50
20 V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
10
科斯
CRSS
西塞
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 50A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 4 A
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
V
DS
80
8
16
V
GS
开关特性
V
GS
(V)
20
1000
300
TD （关闭）
100
30
10
3
1
0.1
tf
tr
TD （上）
200
160
漏源极电压
120
12
40
0
0
8
16
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
24
32
40
4
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
0
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
μs,
税
≤
1 %
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
REJ03G1174-0300 Rev.3.00 2009年8月25日
第4 7
HAT2058R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
初步
最大雪崩
能源
与
通道
温度
降额
2.5
I
AP
= 4
A
V
DD
=
50 V
L =
100
μH
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
脉冲
TEST
8
重复性雪崩
能量E
AR
（兆焦耳）
反向漏电流
I
DR
(A)
2.0
6
10 V
4
V
GS
=
0,
–5
V
5V
1.5
1.0
2
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
V
SD
(V)
通道
温总胆固醇
(°C)
归瞬态热阻抗
与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
1
D
=
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0
.0
1
θch
–
F（ t）的
=
γ
秒（ t）的
θch
–
f
θch
–
f
=
125°C/W,
TA =
25°C
当使用玻璃环氧基板
(FR4
40
×
40
×
1.6 mm)
u
l
s
tp
e
0.01
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D
=
0.001
h
1s
o
PW
T
0.0001
10
μ
100
μ
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗
与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D
=
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0
.0
1
θch
–
F（ t）的
=
γ
秒（ t）的
θch
–
f
θch
–
f
=
166°C/W,
TA =
25°C
当使用玻璃环氧基板
(FR4
40
×
40
×
1.6 mm)
e
0.01
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D
=
0.001
1s
h
p
ot
u
l
s
PW
T
0.0001
10
μ
100
μ
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
REJ03G1174-0300 Rev.3.00 2009年8月25日
第5页第7
QQ：2881677436 复制
