【HAT2042T硅N沟道功率MOS FET高速电源开关ADE - 208-669F （ Z）第7位。】,IC型号HAT2042,HAT2042 PDF资料,HAT2042经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2042T

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-669F （ Z）

第7位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

TSSOP–8

65

34

87

1

D

8

D

12

4

G

5

G

S S

2 3

S S

6 7

MOS1

MOS2

1, 8

漏

2，3， 6 ， 7来源

4, 5

门

HAT2042T

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

28

±

12

5.0

40

5.0

1.0

1.5

150

- 55至+ 150

单位

V

A

W

°C

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2. 1驾驶操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10 s

3. 2驱动器操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

28

—

0.4

—

7

—

典型值

—

0.027

0.037

11

510

190

140

8.5

4.5

4

14

120

85

120

0.85

40

最大

—

±

0.1

1

1.4

0.034

0.044

—

1.1

—

单位

V

A

V

S

pF

nc

ns

V

ns

IF = 5.0 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 5.0 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A /

s

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

V

GS

=

±

12 V, V

DS

= 0

V

DS

= 28 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 3 A，V

GS

= 2.5 V

Note4

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4 V

I

D

= 5 A

V

GS

= 4 V，I

D

= 3 A

V

DD

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2

HAT2042T

主要特点

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

1.5

最高安全工作区

10

s

100

30

10

3

100

s

DC

散热通道

漏电流

Op

PW

er

at

离子

1

m

s

=

1.0

1

Dr

香港专业教育学院

1

0.3

0.1

0.03

10

2

m

0.5

Op

er

＆ LT ;

记

操作

10

5

这个区域是

s)

限于由R

DS （ ON）

(P

W

s

香港专业教育学院

Dr

at

离子

er

Op

离子

at

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

注5：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

TA = 25

°C

1次脉冲

典型的输出特性

10

10V

I

D

(A)

8

4V

6

1.5 V

脉冲测试

I

D

(A)

10

典型的传输特性

8

漏电流

6

–25°C

4

25°C

2

TC = 75℃

V

DS

= 10 V

脉冲测试

4

2

V

GS

= 1.0 V

0

1

2

3

漏源极电压

4

V

DS

(V)

5

0

1

2

3

栅极至源极电压

5

4

V

GS

(V)

3

HAT2042T

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.2

0.25

脉冲测试

0.1

0.05

0.20

2.5 V

漏源极电压

0.15

0.02

0.10

I

D

=5A

V

GS

= 4 V

0.01

0.05

2A

1A

0.005

0.002

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.2

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

100

50

正向转移导纳主场迎战

漏电流

80

I

D

= 5 A

V

GS

= 2.5 V

40

2A

1A

20

10

5

TC = -25°C

60

75 °C

25 °C

5, 2, 1 A

20

0

–40

4V

脉冲测试

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

4

HAT2042T

体漏二极管的反向

恢复时间

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

500

反向恢复时间trr （ NS ）

10000

3000

1000

100

50

电容C （PF ）

200

西塞

300

科斯

100

CRSS

30

10

20

10

5

0.1

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

1

2

反向漏电流

5

I

DR

(A)

10

0

10

20

30

40

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

开关特性

V

GS

(V)

50

I

D

= 5.0 A

40

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

10

1000

500

开关时间t（ NS ）

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

PW = 3微秒，占空比< 1 ％

8

V

GS

6

漏源极电压

30 V

DS

20

栅极至源极电压

200

100

50

tf

tr

吨D（上）

0.2

0.5

1

漏电流

2

5

I

D

(A)

10

吨D（关闭）

4

10

V

DD

= 25 V

10 V

5V

4

8

12

16

栅极电荷Qg （ NC ）

2

0

20

10

0.1

0

5

HAT2042T

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-669F （ Z）

第7位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

TSSOP–8

65

34

87

1

D

8

D

12

4

G

5

G

S S

2 3

S S

6 7

MOS1

MOS2

1, 8

漏

2，3， 6 ， 7来源

4, 5

门

HAT2042T

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

28

±

12

5.0

40

5.0

1.0

1.5

150

- 55至+ 150

单位

V

A

W

°C

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2. 1驾驶操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10 s

3. 2驱动器操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

28

—

0.4

—

7

—

典型值

—

0.027

0.037

11

510

190

140

8.5

4.5

4

14

120

85

120

0.85

40

最大

—

±

0.1

1

1.4

0.034

0.044

—

1.1

—

单位

V

A

V

S

pF

nc

ns

V

ns

IF = 5.0 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 5.0 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A /

s

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

V

GS

=

±

12 V, V

DS

= 0

V

DS

= 28 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 3 A，V

GS

= 2.5 V

Note4

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4 V

I

D

= 5 A

V

GS

= 4 V，I

D

= 3 A

V

DD

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2

HAT2042T

主要特点

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

1.5

最高安全工作区

10

s

100

30

10

3

100

s

DC

散热通道

漏电流

Op

PW

er

at

离子

1

m

s

=

1.0

1

Dr

香港专业教育学院

1

0.3

0.1

0.03

10

2

m

0.5

Op

er

＆ LT ;

记

操作

10

5

这个区域是

s)

限于由R

DS （ ON）

(P

W

s

香港专业教育学院

Dr

at

离子

er

Op

离子

at

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

注5：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

TA = 25

°C

1次脉冲

典型的输出特性

10

10V

I

D

(A)

8

4V

6

1.5 V

脉冲测试

I

D

(A)

10

典型的传输特性

8

漏电流

6

–25°C

4

25°C

2

TC = 75℃

V

DS

= 10 V

脉冲测试

4

2

V

GS

= 1.0 V

0

1

2

3

漏源极电压

4

V

DS

(V)

5

0

1

2

3

栅极至源极电压

5

4

V

GS

(V)

3

HAT2042T

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.2

0.25

脉冲测试

0.1

0.05

0.20

2.5 V

漏源极电压

0.15

0.02

0.10

I

D

=5A

V

GS

= 4 V

0.01

0.05

2A

1A

0.005

0.002

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.2

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

100

50

正向转移导纳主场迎战

漏电流

80

I

D

= 5 A

V

GS

= 2.5 V

40

2A

1A

20

10

5

TC = -25°C

60

75 °C

25 °C

5, 2, 1 A

20

0

–40

4V

脉冲测试

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

4

HAT2042T

体漏二极管的反向

恢复时间

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

500

反向恢复时间trr （ NS ）

10000

3000

1000

100

50

电容C （PF ）

200

西塞

300

科斯

100

CRSS

30

10

20

10

5

0.1

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

1

2

反向漏电流

5

I

DR

(A)

10

0

10

20

30

40

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

开关特性

V

GS

(V)

50

I

D

= 5.0 A

40

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

10

1000

500

开关时间t（ NS ）

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

PW = 3微秒，占空比< 1 ％

8

V

GS

6

漏源极电压

30 V

DS

20

栅极至源极电压

200

100

50

tf

tr

吨D（上）

0.2

0.5

1

漏电流

2

5

I

D

(A)

10

吨D（关闭）

4

10

V

DD

= 25 V

10 V

5V

4

8

12

16

栅极电荷Qg （ NC ）

2

0

20

10

0.1

0

5