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HAT2037T
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-530 D（ Z）
5 。版
1999年2月
特点
低导通电阻
能够2.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
TSSOP–8
65
34
87
12
1 5 8
D D D
4
G
S S S S
2 3 6 7
1, 5, 8
漏
2，3， 6 ， 7来源
4
门
HAT2037T
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
28
±12
5.5
44
5.5
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
28
±12
—
—
0.4
—
—
9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.021
0.027
14
780
470
190
20
130
155
160
0.81
55
最大
—
—
±10
1
1.4
0.028
0.038
—
—
—
—
—
—
—
—
1.06
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
IF = 5.5A ，V
GS
= 0
Note3
IF = 5.5A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 20A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 3A ，V
GS
= 4V
Note3
I
D
= 3A ，V
GS
= 2.5V
Note3
I
D
= 3A ，V
DS
= 10V
Note3
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 4V ，我
D
= 3A
V
DD
≈
10V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
3.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT2037T
主要特点
功率与温度降额
2.0
P沟（W）的
I
D
(A)
100
30
10
3
最高安全工作区
10
s
100
s
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
1.5
DC
PW
Op
e
ra
TIO
n
1
m
=
s
散热通道
漏电流
10
m
1.0
1
0.3
0.1
0.03
s
0.5
PW
操作
＆ LT ;
记
10
4
这个区域是
s)
限于由R
DS （ ON）
(
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 ：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
TA = 25
°C
1次脉冲
典型的输出特性
50
10V
5V
4V
2.5 V
50
3V
I
D
(A)
典型的传输特性
I
D
(A)
40
40
–25°C
25°C
TC = 75℃
30
30
漏电流
20
V
GS
= 1.5 V
10
脉冲测试
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
漏电流
20
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
1
2
3
栅极至源极电压
5
4
V
GS
(V)
3
HAT2037T
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
W
)
0.25
0.2
脉冲测试
0.1
0.05
0.20
漏源极电压
0.15
I
D
=5A
2.5 V
0.02
0.10
V
GS
= 4 V
0.01
0.05
2A
1A
2
4
6
栅极至源极电压
8
10
V
GS
(V)
0.005
0.002
0
0.2
0.5
1
2
漏电流
10
I
D
(A)
5
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
W
)
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
I
D
= 5 A 2 A 1 A
50
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
40
V
GS
= 2.5 V
20
10
5
2
1
0.5
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
75 °C
25 °C
30
20
4V
10
5, 2, 1 A
脉冲测试
0
–40
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
4
HAT2037T
体漏二极管的反向
恢复时间
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
500
反向恢复时间trr （ NS ）
10000
3000
1000
300
100
30
10
10
0
100
50
电容C （PF ）
200
西塞
科斯
CRSS
20
10
5
0.1
的di / dt = 20A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.2
0.5
1
2
反向漏电流
5
I
DR
(A)
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
开关特性
V
GS
(V)
50
I
D
= 5.5 A
40
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
GS
V
DD
= 25 V
10 V
5V
4
8
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
10
1000
500
开关时间t（ NS ）
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 3微秒，占空比< 1 ％
吨D（关闭）
tf
tr
吨D（上）
8
漏源极电压
30 V
DS
20
6
栅极至源极电压
200
100
50
4
10
2
0
20
20
10
0.1
0
0.2
0.5
1
漏电流
2
5
I
D
(A)
10
5
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