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HAT2036R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1166-0600
(上一个: ADE- 208-665D )
Rev.6.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 12毫欧(典型值)
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
高速开关
t
f
= 60纳秒(典型值) 。
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8 <FP - 8DAV> )
5 6 7 8
D D D D
65
87
12
34
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
S S S
1 2 3
Rev.6.00 2005年9月7日第1页4
HAT2036R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
30
±20
12
96
12
2.5
150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
30
1.5
12
典型值
12
20
20
1200
380
200
23
4.0
6.0
40
300
35
60
0.9
35
最大
±0.1
1
3.0
15
30
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 12 A,V
GS
= 0
I
F
= 12 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注3
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
注3
I
D
= 6 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A,V
GS
= 4.5 V
注3
I
D
= 6 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 6 A,
V
DD
10 V
注3
Rev.6.00 2005年9月7日第2页4
HAT2036R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟(W)的
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
3.0
散热通道
2.0
1.0
0
0
50
100
150
200
环境温度
的Ta (℃)
Rev.6.00 2005年9月7日第3页4
HAT2036R
包装尺寸
JEITA封装代码
P-SOP8-3.95
×
4.9-1.27
瑞萨代码
PRSP0008DD-D
包名称
FP-8DAV
质量[典型值]
0.085g
*
1
D
F
8
5
*
2
E
H
E
b
p
索引标记
1
Z
e
4
*
3
b
p
×M的
c
码头断面
(镍/钯/镀金)
注)
1.尺寸" * 1 ( NOM) "和" * 2"
不包括塑模FLASH 。
2.尺寸" * 3"不
INCLUDE TRIM抵消。
参考
符号
尺寸以毫米为单位
4.90
3.95
最大
5.3
L
1
D
E
A
2
A
1
A
0.10
0.14
0.25
1.75
A
b
p
b
1
0.34
0.40
0.46
A
1
c
0.15
0.20
0.25
L
c
1
H
E
5.80
6.10
1.27
0.25
0.1
0.75
0.40
0.60
1.08
1.27
6.20
y
详细F
e
x
y
Z
L
L
1
订购信息
部件名称
QUANTITY
中海集装箱
HAT2036R-EL-E
2500件
TAPING
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.6.00 2005年9月7日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(二)利用针对任何故障或事故不可燃材料,或(iii )预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路(S ) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
瑞萨科技韩国株式会社
KUKJE中心大厦。 18 FL 。 , 191 , 2 -KA ,邯钢-RO ,龙山区,首尔140-702 ,韩国
联系电话: <82> 2-796-3115传真: <82> 2-796-2145
http://www.renesas.com
瑞萨科技(马) 。 BHD 。
单元906 , B座,梅纳拉Amcorp , Amcorp贸易中心, 18号,惹Persiaran巴拉, 46050八打灵再也,雪兰莪雪兰莪,马来西亚
联系电话: <603> 7955-9390 ,传真: <603> 7955-9510
2005年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.3.0
HAT2036R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
ADE-208-665B(Z)
目标规范3 。版
1998年5月
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 12mΩ (典型值)
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
高速开关
TF = 60ns的典型值。
概要
SOP–8
8
5
7 6
5 6 7 8
D D D D
3
1 2
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
HAT2036R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
12
96
12
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
注意事项: 1, PW
为10μs ,占空比
1 %
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
电气特性
( TA = 25°C )
符号最小值
30
1.5
12
典型值
12
20
20
1200
380
200
23
4.0
6.0
40
300
35
60
0.9
35
最大
±0.1
1
3.0
15
30
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
IF = 12A ,V
GS
= 0 *
1
IF = 12A ,V
GS
= 0
DIF / DT = 20A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安,V
GS
= 0
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 6A ,V
GS
= 10V *
1
I
D
= 6A ,V
GS
= 4.5V *
1
I
D
= 6A ,V
DS
= 10V *
1
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 10V
V
GS
= 10V
I
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
DD
10V
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT2036R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟(W)的
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米) , PW < 10秒
3.0
散热通道
2.0
1.0
0
50
100
150
的Ta (℃)
环境温度
3
HAT2036R
包装尺寸
单位:mm
5.0最大
8
5
1
4
4.0最大
1.75最大
6.2最大
0.25最大
0 – 8°
1.27
0.51 MAX
0.25最大
1.27最大
0.15
0.25
M
日立代码
EIAJ
JEDEC
FP–8DA
MS-012AA
4
注意事项
1.日立公司并不保证或日立或任何权利,任何第三方的专利授权许可,
本文档中包含的信息,版权,商标或其他知识产权。
日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题,包括不承担任何责任
知识产权与使用本文档中包含的信息连接。
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收到最终的设计,购买或使用前的最新产品标准或规范。
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使用该产品,要求特别高的应用程序之前,请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害,如航天,航空,核电,燃烧控制,运输,
交通,安全设备,或用于生命支持医疗器械。
4.设计你的应用程序,使产品由日立公司保证范围内使用特别
对于最大额定值,工作电源电压范围,热辐射等特性,安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内,考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式,并采用系统性的措施,如故障 -
保险柜,使结合日立产品的设备不会造成人身伤害,火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5,本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的,任何形式的,该文献的全部或部分,而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
联系电话:东京( 03 ) 3270-2111传真: ( 03 ) 3270-5109
网址
北美洲
: HTTP : semiconductor.hitachi.com/
欧洲
: http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
亚洲(新加坡)
: http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm
亚洲(台湾)
: http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm
亚洲(香港) : http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
日本
: http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm
欲了解更多信息,写信至:
日立半导体
(美国)有限公司
179东塔斯曼驱动器,
圣何塞, CA 95134
联系电话: <1> ( 408 ) 433-1990
传真: <1> ( 408 ) 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩,慕尼黑
德国
联系电话: <49> ( 89 ) 9 9180-0
传真: <49> ( 89 ) 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585000
传真: <44> ( 1628 ) 778322
日立(亚洲) 。有限公司
16哥烈码头20-00 #
日立塔
新加坡049318
联系电话: 535-2100
传真: 535-1533
日立亚洲有限公司
台北分公司
3F ,洪郭建设。 167号,
敦华北路,台北( 105 )
联系电话: <886> ( 2 ) 2718-3666
传真: <886> ( 2 ) 2718-8180
日立亚洲(香港)有限公司
第三组(电子元器件)
7 / F。 ,北塔,世界金融中心,
海港城,广东道,尖沙咀,
香港九龙
联系电话: <852> ( 2 ) 735 9218
传真: <852> ( 2 ) 730 0281
电传: 40815国际展贸中心HX
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    HAT2036R
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    -
    -
    -
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联系人:朱咸华
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HAT2036R
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HAT2036R
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
HAT2036R
RENESAS
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SOP8
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
HAT2036R
RENESAS
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电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
HAT2036R
RENESAS
2116+
50000
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联系人:罗先生/严小姐/叶先生/林先生
地址:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
HAT2036R
NEC/RENESAS瑞萨
23+
36592
SOP-8
全新原装假一罚十诚信经营
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
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HAT2036R
hit
25+
4500
DIP/SOP
全新原装现货特价销售!
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