【HAT2033R ， HAT2033RJ硅N沟道功率MOS FET高速电源开关REJ03G1165-】,IC型号HAT2033R-EL-E,HAT2033R-EL-E PDF资料,HAT2033R-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2033R ， HAT2033RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

REJ03G1165-0400

（上一个： ADE- 208-664B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

1, 2, 3

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.4.00 2005年9月7日第1页7

HAT2033R ， HAT2033RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

HAT2033R

HAT2033RJ

HAT2033R

HAT2033RJ

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

±20

—

4.2

2.5

150

单位

—

°C

注4

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅压漏

HAT2033R

当前

HAT2033RJ

零栅压漏

HAT2033R

当前

HAT2033RJ

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

1.2

—

6.5

—

典型值

—

0.03

0.04

740

370

130

140

0.82

最大

—

±10

0.1

—

2.2

0.038

0.053

—

1.07

—

单位

= 7 A，V

= 0

= 7 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

注4

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 48 V, V

= 0

TA = 125°C

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 A，V

= 10 V

注4

= 4 A，V

= 4 V

= 4 A，V

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

注4

= 10 V，I

= 4 A,

30 V

Rev.4.00 2005年9月7日第2 7

HAT2033R ， HAT2033RJ

主要特点

功率与温度降额

4.0

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

3.0

0.3

0.1

0.03

散热通道

2.0

1.0

漏电流

离子

操作

记

≤

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

150

200

0.01

0.1

TA = 25°C

1次脉冲

1驱动器操作

0.3

100

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

(V)

注5 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

4.5 V

漏电流

3.5 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

= 2.5 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.4

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

0.2

0.1

0.05

= 4 V

10 V

0.5

漏源极电压

0.3

0.2

= 5 A

0.1

0.02

0.01

0.1 0.2

0.5 1

10 20

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第3页7

HAT2033R ， HAT2033RJ

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.10

脉冲测试

0.08

= 1, 2 A

0.06

= 4 V

0.04

1, 2, 5 A

0.02

10 V

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

TC = -25°C

25°C

75°C

0.5

0.1

= 10 V

脉冲测试

0.3

100

–40

120

160

外壳温度

(°C)

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

5000

2000

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

电容C （PF ）

1000

500

200

100

= 0

F = 1 MHz的

西塞

200

100

科斯

CRSS

0.1

0.3

100

反向漏电流I

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= 7 A

= 50 V

25 V

10 V

开关特性

(V)

1000

300

TD （关闭）

100

0.1

TD （上）

100

漏源极电压

60 V

= 50 V

25 V

10 V

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

= 4 V, V

= 30 V

PW = 3

税

≤

1 %

0.3

100

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4 7

HAT2033R ， HAT2033RJ

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= 7 A

= 25 V

L = 100

值班< 0.1 ％

≥

反向漏电流I

(A)

10 V

= 0, –5 V

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

100

125

150

源极到漏极电压

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.01

0.02

0.01

θch

- F（T） =

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

0.001

ULS

10 m

100 m

100

0.0001

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

L I

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

D.U.T

VIN

15 V

MONITOR

Rev.4.00 2005年9月7日第5 7

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