【HAT2033R/HAT2033RJ硅N沟道功率MOS FET高速电源开关ADE - 208-664】,IC型号HAT2033,HAT2033 PDF资料,HAT2033经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2033R/HAT2033RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-664B （ Z）

3 。版

1999年2月

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

SOP–8

8

7

65

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2033R/HAT2033RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

HAT2033R

HAT2033RJ

雪崩能量

HAT2033R

HAT2033RJ

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

E

AR注4

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注4 AP

评级

60

±

20

7

56

7

—

7

—

4.2

2.5

150

- 55至+ 150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3.价值在总胆固醇= 25°C ， Rg≥50Ω

2

HAT2033R/HAT2033RJ

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

零栅极电压

漏电流

HAT2033R

符号最小值

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

60

±

20

—

1.2

—

6.5

—

典型值

—

0.03

0.04

10

740

370

130

13

55

140

95

0.82

45

最大

—

±

10

1

0.1

—

10

2.2

0.038

0.053

—

1.07

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

IF = 7 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 7 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

V

DS

=4 8V , V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 4 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 4 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 4 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

DD

30 V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

HAT2033RJ我

DSS

HAT2033R

I

DSS

HAT2033RJ我

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

3

HAT2033R/HAT2033RJ

主要特点

最高安全工作区

100

I

D

(A)

4.0

P沟（W）的

功率与温度降额

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

10 s

100 s

1m

10

ms

30

10

3

1

0.3

DC

Op

PW

=

3.0

s

sh

o

漏电流

散热通道

er

a

2.0

1.0

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

N

操作

＆ LT ;

OTE

10

6

这个区域是

s)

0.1限制由R

DS （ ON）

TA = 25°C

0.03 1次脉冲

1驱动器操作

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

TIO

n(

(1

PW

t)

注6 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

50

10 V

I

D

(A)

典型的传输特性

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

16

6V

脉冲测试

4.5 V

(A)

40

30

4.0 V

I

D

漏电流

12

漏电流

20

3.5 V

3.0 V

V

GS

= 2.5 V

8

25°C

4

TC = 75℃

–25°C

10

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

4

V

GS

(V)

5

栅极至源极电压

4

HAT2033R/HAT2033RJ

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.2

0.4

0.3

0.1

V

GS

= 4 V

0.05

0.2

I

D

=5A

2A

1A

0.1

0.02

0.01

10 V

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

0.1 0.2

0.5 1 2

5 10 20

漏电流I

D

(A)

50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.10

脉冲测试

0.08

1, 2 A

0.06

V

GS

= 4 V

0.04

1, 2, 5 A

10 V

5A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

20

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

漏电流I

D

(A)

100

75 °C

TC = -25°C

25 °C

0.02

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

5

HAT2033R/HAT2033RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-664B （ Z）

3 。版

1999年2月

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

SOP–8

8

7

65

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2033R/HAT2033RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

HAT2033R

HAT2033RJ

雪崩能量

HAT2033R

HAT2033RJ

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

E

AR注4

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注4 AP

评级

60

±

20

7

56

7

—

7

—

4.2

2.5

150

- 55至+ 150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3.价值在总胆固醇= 25°C ， Rg≥50Ω

2

HAT2033R/HAT2033RJ

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

零栅极电压

漏电流

HAT2033R

符号最小值

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

60

±

20

—

1.2

—

6.5

—

典型值

—

0.03

0.04

10

740

370

130

13

55

140

95

0.82

45

最大

—

±

10

1

0.1

—

10

2.2

0.038

0.053

—

1.07

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

IF = 7 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 7 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

V

DS

=4 8V , V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 4 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 4 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 4 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

DD

30 V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

HAT2033RJ我

DSS

HAT2033R

I

DSS

HAT2033RJ我

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

3

HAT2033R/HAT2033RJ

主要特点

最高安全工作区

100

I

D

(A)

4.0

P沟（W）的

功率与温度降额

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

10 s

100 s

1m

10

ms

30

10

3

1

0.3

DC

Op

PW

=

3.0

s

sh

o

漏电流

散热通道

er

a

2.0

1.0

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

N

操作

＆ LT ;

OTE

10

6

这个区域是

s)

0.1限制由R

DS （ ON）

TA = 25°C

0.03 1次脉冲

1驱动器操作

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

TIO

n(

(1

PW

t)

注6 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

50

10 V

I

D

(A)

典型的传输特性

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

16

6V

脉冲测试

4.5 V

(A)

40

30

4.0 V

I

D

漏电流

12

漏电流

20

3.5 V

3.0 V

V

GS

= 2.5 V

8

25°C

4

TC = 75℃

–25°C

10

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

4

V

GS

(V)

5

栅极至源极电压

4

HAT2033R/HAT2033RJ

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.2

0.4

0.3

0.1

V

GS

= 4 V

0.05

0.2

I

D

=5A

2A

1A

0.1

0.02

0.01

10 V

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

0.1 0.2

0.5 1 2

5 10 20

漏电流I

D

(A)

50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.10

脉冲测试

0.08

1, 2 A

0.06

V

GS

= 4 V

0.04

1, 2, 5 A

10 V

5A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

20

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

漏电流I

D

(A)

100

75 °C

TC = -25°C

25 °C

0.02

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

5